Теория - выпрямление - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
Жизнь похожа на собачью упряжку. Если вы не вожак, картина никогда не меняется. Законы Мерфи (еще...)

Теория - выпрямление

Cтраница 1


Теория выпрямления для этого случая ( Мотт) сходна с изложенной выше.  [1]

2 Энергетические диаграммы выпрямляющего. [2]

Теория выпрямления на контакте металл-полупроводник, основанная на ур-нии (2.27), называется диффузионной.  [3]

4 Иарамстрич. диод с тонкой базой. 1 - металлич. основание ( электрод. 2 - полупроводник. 3 -п-р - персход. 4 -сплав ( в сплавных диодах. я - металлич. проволока ( электрод. 6 - наполнитель.| Корпус параметрич. диода. 1 и г - металлич. ниппели. 3 - керамич. втулка. [4]

По теории выпрямления ii ( ekT - 1), где 7 - заряд электрона; / г - постоянная Больц-мана; Т - абс.  [5]

6 Параметрич. диод с тонкой базой. 1 - металлич. основание ( электрод. 2 - полупроводник. 3 - п-р-переход. 4 -сплав ( в сплавных диодах. 5 -металлич. проволока ( электрод. 6 - наполнитель.| Корпус параметрич. диода. 1 и 2 - металлич. ниппели. з - керамич. втулка. [6]

По теории выпрямления г г 0 ( еАг - 1), где q - заряд электрона; k - постоянная Больц-мана; Т - абс.  [7]

Заключение теории выпрямления, что толщина запорного слоя растет в запорном направлении и убывает в пропускном, подтверждается непосредственным опытом. Так как удельное сопротивление запорного слоя весьма велико по сравнению с основной толщей полупроводника, то запорный слой играет роль изолирующей прослойки конденсатора, обкладками которого служат электрод и полупроводник.  [8]

Поэтому такая теория выпрямления называется диффузионной. Она применима для полупроводников с небольшой концентрацией носителей, малой их подвижностью и большой толщиной запирающего слоя.  [9]

10 Прямое включение перехода металл - полупроводник n - типа при фпфм.| Обратное включение. [10]

Существуют поэтому две теории выпрямления: диффузионная и диодная.  [11]

Важнейшими из них являются: теория выпрямления тока в контакте металл-полупроводник, предложенная Б. И. Давыдовым; квантовая теория полупроводников и теория генерации пар носителей заряда электрон - дырка; разработка полупроводниковых термоэлектрических батарей. Френкеля, Л. Д. Ландау, Б. И. Давыдова и др. создана теория фото - ЭДС в полупроводниках.  [12]

13 Вольтамперные характеристики контакта полупроводника с металлом, рассчитанные по диодной ( а и диффузионной ( б теориям. [13]

Однако на практике наблюдается расхождение теории выпрямления с экспериментальными результатами. Так, рассчитанные по формулам ( 1 17) и (1.23) вольтамперные характеристики имеют сравнительно небольшие коэффициенты выпрямления ( отношения прямого и обратного токов при фиксированном напряжении), в реальных же выпрямителях они значительно больше и достигают нескольких сотен и тысяч.  [14]

Однако учет этого нагрева в теориях выпрямления не приводит к существенным поправкам.  [15]



Страницы:      1    2    3    4