Теория - выпрямление
Cтраница 2
Иоффе, Б. И. Давыдовым, была разработана теория выпрямления на границе двух полупроводников разного типа электропроводности: электронной и дырочной. Он предположил, что тонкий слой закиси меди в непосредственной близости от медного контакта обладает электронной электропроводностью, тогда как в остальном объеме закись меди является дырочным полупроводником. В этой модели выпрямление имеет место в объеме полупроводника, а металл обеспечивает только омические невыпрямляющие контакты с электронной и дырочной областями полупроводника. [16]
Как и всякая диффузионная теория, диффузионная теории выпрямления и детектирования является законной только в том случае, когда длина свободного пробега диффундирующих частиц во много раз меньше, чем толщина того слоя переменной концентрации, через который происходит движение частиц. Это основное условие не соблюдается при толщине запирающего слоя 10-в см, которая в то же время все еще слишком велика дли туннельного эффекта. [17]
В 1937 г. А. Ф. Иоффе, А. В. Иоффе, Б. И. Давыдовым К Д. И. Блохинцевым была разработана теория выпрямления тока при контакте металла с полупроводниковым материалом. [18]
 |
Вольт-амперные харак - го напряжения и равен qnsV. / 4. теристики контакта металл-полу - Выпрямляющие контакты типа ме. [19] |
На рис. 2.4 приведены вольт-амперные характеристики контакта металл-полупроводник согласно диффузионной и диодной теориям выпрямления. При внешнем напряжении, приложенном в прямом направлении, плотность тока согласно обеим теориям определяется экспоненциальной зависимостью от напряжения. [20]
 |
Полупроводниковый конденсатор на основе ВаТЮ3. [21] |
Свойства веществ, рассматриваемых в задачах 5 - 9 - 5 - 12, объясняются теорией выпрямления Мотта. В момент опубликования эта теория была весьма эффективна, однако в дальнейшем она обнаружила много противоречий с результатами экспериментов. Если основываться на теории Мотта, то при выпрямлении работа выхода должна играть решающую роль, однако в случае диода с точечным контактом, образованным в месте соединения тонкой проволоки с германием, независимо от материала проволоки ( независимо от величины рт) обратный ток насыщения почти не изменяется. Когда плотность заряда на этом поверхностном уровне большая, не наблюдается ни изменения формы барьера в месте контакта, ни изменения направления выпрям ления, ни обратного тока насыщения. [22]
Нужно отметить, что понятия толстых и тонких слоев объемного заряда, для которых справедливы изложенные выше теории выпрямления, являются относительными. Действительно, длина свободного пробега электрона К связана с подвижностью носителей. Поэтому обедненный слой толщиной б для полупроводников с малой подвижностью оказывается толстым, так как 6Я а для полупроводников с большой подвижностью - тонким. [23]
По развитию теории полупроводников и полупроводниковых выпрямителей в СССР помимо А. Ф. Иоффе успешно работали Я. И. Френкель, И. В. Курчатов, Б. И. Давыдов, А. И. Губанов, Б. Т. Коломиец, Д. Н. Наследов, Д. И. Бло-хинцев, В. Е. Лашкарев, В. П. Жузе, Б. М. Вул, Ю. П. Маслаковец, М. С. Со-минский, Б. М. Гохберг, А. Р. Регель и др. Б. И. Давыдов впервые предложил теорию выпрямления переменного тока в контакте металла с полупроводником. [24]
Учитывая сравнительно небольшой объем книги и наличие соответствующей литературы, изложение ограничено в основном вопросами, непосредственно связанными с преобразовательной установкой. Теория выпрямления и электромагнитных процессов в книге не развивает; необходимые сведения из этой области даются лишь в порядке напоминания. [25]
 |
Вольтамперная характеристика контакта полупроводника с металлом для тонкого ( / и толстого ( 2 запорных слоев. [26] |
К - длина свободного пробега носителей, движение носителей через запорный слой носит диффузионный характер. Теория выпрямления таких слоев была развита Давыдовым и Шоттки и называется диффузионной теорией. [27]
Прохождение тока через тонкий запорный слой напоминает прохождение тока через вакуумный диод в условиях, когда поле тормозит вылетевшие электроны. Поэтому развитая выше теория выпрямления называется диодной. [28]
 |
Вольхамперные характеристики контакта металл - полупроводник. [29] |
Прохождение тока через такой тонкий запорный слой напоминает прохождение тока через вакуумный диод в условиях, когда поле тормозит вылетевшие электроны. Поэтому развитая выше теория выпрямления называется диодной. [30]
Страницы: 1 2 3 4