Cтраница 4
Теория Гун оправдывается лучше всего там, где теория Гельмгольца оказывается неприложимой, и наоборот, последняя дает лучшую сходимость с опытом в тех случаях, когда первая дает неверные результаты. Отсюда вытекает, что строение двойного электрического слоя должно представлять собой некоторое сочетание моделей, предложенных Гельмгольцем и Гун. Такое предположение было сделано Штерном ( 1924) в его адсорбционной теории двойного электрического слоя. Остальные ионы, входящие в состав двойного слоя, распределяются диффузно с постепенно убывающей плотностью заряда. [46]
![]() |
Строение двойного электрического слоя по Штерну. [47] |
Теория Гун-Чапмана оправдывается лучше всего там, где теория Гельмгольца оказывается неприложимой, и, наоборот, последняя дает лучшую сходимость с опытом в тех случаях, когда первая дает неверные результаты. Следовательно, строению двойного электрического слоя должно отвечать некоторое сочетание моделей, предложенных Гельмгольцем и Гун - Чапманом. Такое предположение было сделано Штерном ( 1924) в его адсорбционной теории двойного электрического слоя. Штерн полагал, что определенная часть ионов удерживается вблизи поверхности раздела металл - электролит, образуя гельмгольцевскую или конденсированную обкладку двойного слоя с толщиной, отвечающей среднему радиусу ионов электролита. Здесь Штерн следовал принципам, заложенным во втором приближении теории Дебая и Гюккеля. [48]
Особенностью теории Гуи - Чапмена по сравнению с теорией Гельмгольца является то, что слой противо-ионов предполагается не плоским, а размытым, где концентрация зарядов плавно уменьшается с увеличением расстояния от границы раздела. С наличием двойного электрического слоя связано возникновение таких электрокинетических явлений, как электроосмос, электрофорез и потенциал протекания. [49]
Особенностью теории Гуи - Чап-мена по сравнению с теорией Гельмгольца является то, что слой противоионов предполагается не плоским, а размытым, где концентрация зарядов плавно уменьшается с увеличением расстояния от границы раздела. С наличием двойного электрического слоя связано возникновение таких электрокинетических явлений, как электроосмос, электрофорез и потенциал протекания. [50]
Особенность теории Гун - Чапмена по сравнению с теорией Гельмгольца заключается в том, что слой противоио-нов предполагается не плоским, а размытым, причем концентрация зарядов в нем плавно падает с увеличением расстояния от поверхности. Слой противоионов в теории Гун - Чапмена называется диффузным слоем. На рис. 51 показано, как изменяется с расстоянием концентрация противоионов и потенциал при таком строении двойного электрического слоя. [51]
Возможность измерения величины р0 позволяет осуществить экспериментальную проверку как теории Гельмгольца, так и других модельных теорий. [52]