Теплопроводность - кристаллическая решетка
Cтраница 2
Предположим также, что теплопроводность кристаллической решетки хр. [16]
 |
Зависимости удельного сопротивления о, теплопро. [17] |
Удельная теплопроводность слагается из теплопроводности кристаллической решетки Хр и электронной теплопроводности ХэЛ: Х ХР ХЭЛ. Удельная теплопроводность решетки в первом приближении не зависит от концентрации носителей заряда, а удельная электронная теплопроводность пропорциональна их концентрации. [18]
 |
Зависимость теплопроводности и подвижности носителей тока от состава в системе РЬТе-PbSe. [19] |
Повышение отношения подвижности носителей к теплопроводности кристаллической решетки путем образования твердых растворов иллюстрируется на рис. 15 на примере твердого раствора теллу-ристого и селенистого свинца. [20]
 |
Зависимость периода кристаллической решетки от состава.| Зависимость теплопроводности решетка сплавов от состава. [21] |
Результаты измерений показывают, что теплопроводность кристаллической решетки яр по составу уменьшается, что связано с рассеянием фононов на дефектах деформированной решетки. [22]
На рис. 3.38 показаны температурные зависимости теплопроводности кристаллической решетки хр в пленках Bi2Te3, Bi05Sb15Te3, Bi ( Te, Se) 3 толщиной 1 5 мкм. [23]
В любом полупроводниковом веществе отношение подвижности носителей к теплопроводности кристаллической решетки может быть увеличено за счет введения нейтральных примесей. Эти примеси увеличивают эффективность рассеяния упругих волн, что ведет к уменьшению теплопроводности в кристалле. С другой стороны, эти нейтральные примеси не должны оказывать значительного действия на рассеяние основных носителей. Роль нейтральных примесей может играть ряд изоморфных соединений, образующих с основным веществом термоэлемента твердые растворы. [24]
Величина третьего множителя в выражении ( 12) для теплопроводности кристаллической решетки - длины свободного пробега / ф упругой, волны или, как теперь мы можем сказать - фонона, - как уже упоминалось, ограничивается при низких температурах рассеянием фоионоо на дефектах, а при высоких - фононов на фононах. Чем больше коэффициент ангармоничности в ( 11), тем больше вероятность актов рассеяния; на фо-нонном языке это означает, что тем больше поперечное сечение фонона. [25]
Проведено измерение общей теплопроводности при комнатной температуре, вычислена теплопроводность кристаллической решетки, проведены рентгеноструктурные и микроструктурные исследования изучаемой тройной системы и показана возможность корреляции тепловых и структурных свойств. [26]
 |
Подвижность носителей в твердом растворе Bi2Te3 - Sb2Te3 ( р и PJ-TITHOB в зависимости от содержания Sb2Tes. [27] |
Следовательно, температурная зависимость z определяется температурными зависимостями подвижности и теплопроводности кристаллической решетки. [28]
Таким образом удается добиться значительного увеличения отношения подвижности носителей к теплопроводности кристаллической решетки. [29]
Несколько лучше обстоит дело с вопросом об отыскании веществ с малой теплопроводностью кристаллической решетки. Хотя до сих пор не существует законченной теории, которая давала бы количественные предсказания относительно теплопроводности кристаллов, однако качественная теория, развитая академиком А. Иоффе, позволяет сделать на этот счет следующие выводы. [30]
Страницы: 1 2 3 4