Теплопроводность - кристаллическая решетка
Cтраница 3
Наконец, большая подвижность электронов и дырок в связи с малой теплопроводностью кристаллической решетки дает рассматриваемым соединениям большие преимущества в термоэлектрических устройствах. При комнатной температуре подвижность электронов иал в PbS составляет 400 - 500 см 2 / сек. [31]
Наконец, большая подвижность электронов и дырок в связи с малой теплопроводностью кристаллической решетки создает рассматриваемым соединениям возможность использования в термоэлектрических устройствах. [32]
В суммарную теплопроводность кристалла, помимо электронной составляющей, должна входить и теплопроводность кристаллической решетки. Такая решеточная часть теплопроводности не связана с переносом тепла движущимися носителями заряда. Она связана непосредственно с рассеянием самих фононов. [33]
В суммарную теплопроводность кристалла, помимо электронной составляющей, должна вносить вклад и теплопроводность обычной кристаллической решетки. Такая решеточная часть теплопроводности не связана с переносом тепла движущимися носителями заряда. Она связана непосредственно с рассеянием самих фононов. [34]
Согласно ( 37), эффективность термопары ( z) пропорциональна отношению подвижности носителей к теплопроводности кристаллической решетки; z достигает максимального значения при определенной концентрации носителей. [35]
Из теории энергетических применений полупроводниковых термопар А. Ф. Иоффе следует, что эффективность термопар при использовании их в термоэлектрогенераторах и термоэлектрических холодильниках пропорциональна отношению подвижности носителей электричества к теплопроводности кристаллической решетки ветвей термопары. Эффективность пары достигает максимального значения при определенной концентрации носителей, при которой термоэлектродвижущая сила каждой из ветвей составляет приблизительно 200 мкв / град. [36]
 |
График зависимости коэффициента термоэдс as от концентрации носителей заряда пе для полупроводников. [37] |
Следовательно, максимальная эффективность полупроводникового материала обеспечивается при условии достижения оптимальной концентрации носителей заряда в диапазоне рабочих температур и получения наибольших значений отношения подвижности носителей заряда к теплопроводности кристаллической решетки. [38]
В выражениях ( 34) и ( 35), определяющих оптимальную концентрацию носителей и оптимальную величину термоэдс в значении добротности г, полная теплопроводность была для простоты рассуждений заменена теплопроводностью кристаллической решетки. [39]
Сопоставив экспериментальные данные табл. 45.2 с формулой (45.16), можно убедиться, что практически теплопроводность-металлов целиком определяется теплопроводностью электронного газа, которая при температурах, далеких от абсолютного нуля, в сотни раз превосходит теплопроводность кристаллической решетки. [40]
Сопоставив экспериментальные данные, табл. 45.2 с формулой (45.16), можно убедиться, что практически теплопроводность металлов целиком определяется теплопроводностью электронного газа, которая при температурах, далеких от абсолютного нуля, в сотни раз превосходит теплопроводность кристаллической решетки. [41]
Предположение, что теплопроводность решетки не зависит от концентрации Свободных носителей, является, вообще говоря, не вполне строгим; во-первых, изменение концентрации носителей ( при данной температуре) всегда требует введения примесей, а последние вызывают дополнительное рассеяние фононов и снижают теплопроводность решетки; во-вторых, фо-ноны рассеиваются непосредственно на свободных электронах и дырках, - по этой причине теплопроводность кристаллической решетки металлов ничтожно мала. [42]
Электро - роводность пропорциональна п; термоэлектродвижущая сила, наоборот, стремится к нулю при возрастании числа носителей. Теплопроводность слагается из двух частей: теплопроводности кристаллической решетки - кр и электронной теплопроводности - кэл, рричем ихр - - хэл. [43]
Учебное пособие содержит те разделы физики твердого тела, знание которых необходимо для четкого представления об энергетическом спектре электронов в твердом теле, для понимания классификации веществ на металлы, полупроводники и изоляторы. Подробно рассматриваются тепловые свойства твердых тел - гармонические колебания, теплоемкость и теплопроводность кристаллической решетки. Уделяется внимание вопросам химической связи в твердом теле и возможности интерпретации ее с помощью магнитных исследований. [44]
Из графика следует, что для данной группы веществ зависимость ( 4) выполняется удовлетворительно. Необходимо отметить, что зависимость ( 3) непосредственно проследить нельзя, так как под х подразумевается теплопроводность кристаллической решетки, а в случае металлов аддитивность электронной и решеточной составляющих теплопроводности нарушается из-за рассеяния фононов свободными носителями тока. [45]
Страницы: 1 2 3 4