Термодинамика - поверхностное явление - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 2
Если тебе до лампочки, где ты находишься, значит, ты не заблудился. Законы Мерфи (еще...)

Термодинамика - поверхностное явление

Cтраница 2


Для простой системы такое поведение предсказывается термодинамикой поверхностных явлений.  [16]

Другой метод ( метод Гиббса) рассматривает термодинамику поверхностных явлений с позиций наличия избытков функций энергии, эйтропии и других экстенсивных свойств в поверхностном слое. Сам же слой принимается довольно тонким, являющим собой как бы некоторую трехмерную фазу.  [17]

Использование представления о поверхностном слое конечной толщины в термодинамике поверхностных явлений также имеет ряд своих преимуществ. Далее, использование представления о поверхностном слое конечной толщины открывает простор для построения и использования моделей, включающих в себя различные предположения о структуре поверхностного слоя. Наконец, следует указать и на немаловажное преимущество, связанное со значительно более легкой, чем в теории Гиббса, интерпретацией результатов, получаемых при использовании модели поверхностного слоя конечной толщины, когда последний рассматривается как реальное физическое неоднородное тело.  [18]

В обзоре почти не отражены работы советских ученых по термохимии, термодинамике поверхностных явлений, термодинамике электрохимических процессов, по свойствам комплексных соединений и ряду других разделов физической химии, вошедшие составной частью в другие обзоры настоящей книги.  [19]

20 Метастабильные равновесия кристаллов различного размера. [20]

Уравнение (VI.25), впервые полученное Гиббсом, сыграло большую роль в термодинамике поверхностных явлений. Его физический смысл состоит в том, что в жидкой дисперсной фазе химический потенциал вещества повышен. Однако это повышение составляет только 2 / 3 молярной поверхностной энергии Гиб-бса капель с радиусом г. Из вывода ясно, что множитель 2 / з выражает отношение числа измерений поверхности и объема капли или кристалла.  [21]

На примере развития теории электрокапиллярности мы еще раз убеждаемся в разнообразии вопросов термодинамики поверхностных явлений, которые могут быть решены на основе адсорбционного уравнения Гиббса.  [22]

В ряде коллективов интенсивно развиваются теоретические исследования: А. И. Русановым - в области термодинамики поверхностных явлений и фазовых равновесий, С. С. Духиным - по электрокинетическим и оптическим свойствам коллоидных дисперсий.  [23]

Рассмотрение зависимости поверхностного натяжения от положения разделяющей поверхности играет фундаментальную роль в термодинамике поверхностных явлений и приводит в случае искривленных поверхностей к понятию поверхности натяжения, отвечающей минимальному из всех возможных значений поверхностного натяжения.  [24]

Для описания эффектов третьего уровня используют методы механики мелкомасштабных течений около кристалла, термодинамики поверхностных явлений, различные теории межфазного переноса.  [25]

Основу описания эффектов третьего уровня составляют методы механики мелкомасштабных течений около включения дисперсной фазы, термодинамика поверхностных явлений, методы описания равновесия многокомпонентных систем, различные теории межфазного переноса.  [26]

Уравнение ( VIII, 9), впервые полученное Гиббсом, сыграло большую роль в термодинамике поверхностных явлений.  [27]

Понятие поверхностное ( межфазное) натяжение было введено в физику еще до того, как была развита термодинамика поверхностных явлений. Величину о рассматривали как силу, направленную тангенциально к поверхности и стягивающую ее.  [28]

В течение минувшего столетия уравнение адсорбции Гиббса многократно обобщалось и каждая его новая форма была вехой в развитии термодинамики поверхностных явлений, а также этапом лучшего понимания самой теории Гиббса.  [29]

Одесский ( ранее Новороссийский) государственный университет, кафедра физической химии ( П. Н. Павлов, 1918 - 1953 гг.): термодинамика поверхностных явлений и теория жидкого состояния. Казавчинский, В. А. Загорученко, А.Г.Табачников, А. Л. Цыкало) и Технологический институт им.  [30]



Страницы:      1    2    3