Измерение - диффузионная длина
Cтраница 1
Измерение диффузионной длины сводится к установлению зависимости падения напряжения U на резисторе R, включенном последовательно с детектором, от расстояния между световым зондом и детектором. Для этого кристалл с детектором перемещают относительно неподвижной оптической системы, что равносильно движению света относительно детектора. [2]
Измерение диффузионной длины методом подвижного светового зонда дает возможность определить диффузионную длину и скорость поверхностной рекомбинации по результатам измерений фототока в двух точках образца. [3]
Измерения диффузионной длины и времени жизни носителей заряда, основанные на люминесценции, обязаны своим развитием использованию полупроводниковых соединений в светодиодах и лазерах. [4]
Другой метод измерения диффузионной длины основан на анализе спектральной зависимости краевой люминесценции при постоянной длине волны возбуждающего излучения. [5]
В результате измерений диффузионной длины it слоях арсенида галлия толщиной 1 - 10 мкм, выращенных с помощью жидкостной эпитаксии, были получены концентрационные зависимости диффузионной длины электронов и дырок. [6]
Схема установки для измерения диффузионной длины показана на рис. 3.7. Световой поток от источника света проходит через светофильтр Ф и с помощью оптической системы ОС фокусируется в виде узкой полоски на поверхности измеряемого образца. Ширина световой полосы регулируется щелевой диафрагмой Д в пределах 50 - 500 мкм. Использование модулированного освещения позволяет выделить часть коллекторного тока, которая обусловлена диффузией неравновесных носителей заряда. [7]
 |
Схгма установки для измерения диффузионной длины неосновных носителей заряда. [8] |
Описанный метод используют для измерений диффузионной длины носителей заряда для германия, которая в данном случае достаточно велика. Кроме того, легко образуются запирающие слои на прижимных металлических контактах. Подобные измерения на кремнии затруднены из-за высокой скорости поверностной рекомбинации носителей заряда, высокого уровня шумои, нелинейности ВАХ коллекторного контакта и возникновения инверсных поверхностных слоев. При выполнении измерений на германии с электронной электропроводностью используют вольфрамовье зонды, а для германия с дырочной электропроводностью - сплаз на основе серебра. Для уменьшения скорости поверхностной рекомбинации носителей заряда перед измерениями поверхность образца тщательно шлифуют и подвергают химической обработке в соответствующем травителе. [9]
В основе данного метода измерения диффузионной длины неосновных носителей заряда лежит измерение тока короткого замыкания p - n - перехода или структуры с барьером Шстки при освещении его светом. Преимущество метода состоит в возможности измерения малых диффузионных длин неосновных носителей заряда в тонких эпитаксиальных слоях. Метод использует принцип работы фотодиода. Рассмотрим данный метод применительно к эпитак-сиальным слоям арсенида галлия. [10]
Все три указанных выше метода измерения диффузионной длины и времени жизни неосновных носителей применимы, если значения диффузионной длины составляют не менее 10 мкм, а значения времени жизни - не менее 0 1 мкс. Однако в поликристаллических тонких пленках диффузионная длина неосновных носителей очень мала, и ее значения, как правило, не превышают 1 мкм. Поэтому обычными методами, которые были здесь рассмотрены, измерить диффузионную длину довольно трудно. [11]
 |
Схема для определения времени жизни по кинетике фотопроводимости. [12] |
Часто применяется более простой метод измерения диффузионной длины - метод подвижного светового зонда, относящийся к классу стационарных методик измерения. [13]
 |
Схема для определения времени жизни по кинетике фотопроводимости. [14] |
Часто применяется более простой метод измерения диффузионной длины - метод подвижного светового зонда, относящийся к классу стационарных методик измерения. [15]
Страницы: 1 2