Техника - полупроводниковый прибор
Cтраница 1
Техника полупроводниковых приборов стала большой и очень важной областью электроники. Замена электронных ламп полупроводниковыми приборами успешно осуществлена во многих радиотехнических устройствах. Промышленность выпускает большое число различных типов полупроводниковых приборов. [1]
Развитию техники полупроводниковых приборов в нашей стране уделяется огромное внимание. Об этом четко сказано в решениях съездов партии. За последние 25 лет промышленность выпустила более 1500 различных типов полупроводниковых диодов и тиристоров и более 1000 типов транзисторов. Практически наша РЭА почти полностью переведена на полупроводниковые приборы вместо ламп. Многочисленные заводы и научные учреждения, находящиеся в разных наших республиках, выпускают в достаточном количестве необходимые для народного хозяйства и обороны страны самые разнообразные высококачественные приборы полупроводниковой электроники и разрабатывают новые, более совершенные. [2]
При быстром развитии техники полупроводниковых приборов вполне естественно, что одни типы диодов снимаются с производства и вместо них выпускаются другие, более совершенные по электрическим и эксплуатационным параметрам. Так, диоды типов 226А и 226Е относятся к наиболее позднему выпуску. Как утверждается в технических условиях завода-изготовителя, их срок службы в 2 5 раза превышает срок службы диодов типа Д7, выпуск которых прекращен. [3]
Таким образом, развитие техники полупроводниковых приборов и развитие интегральной электроники будет происходить параллельно, взаимно дополняя друг друга, используя положительные результаты, достигнутые в той или иной области, и преодолевая в значительной степени одни и те же трудности, решая общие для полупроводниковой электроники проблемы. Какие же проблемы являются в настоящее время наиболее важными, решение каких j проблем дает возможность значительно продвинуться т вперед. Одной из таких важных проблем, уже сегодня успешно решаемых, является использование новых полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых соединений, в том числе соединений с большой шириной запрещенной зоны. [4]
Развитие интегральной электроники не находится в противоречии с развитием техники полупроводниковых приборов как индивидуальных элементов электронных схем. Более того, развитие интегральной электроники не было возможно без детального изучения ряда свойств отдельных приборов и тщательной отработки ряда технологических операций. [5]
Важнейшей характеристикой, определяющей качество герма-кия и кремния в технике полупроводниковых приборов, является величина т, называемая временем жизни неосновных, носителей тока. В большинстве случаев т желательно иметь максимальным. [6]
Важнейшей характеристикой, определяющей качество германия и кремния в технике полупроводниковых приборов, является величина т, называемая временем жизни неосновных носителей тока. В большинстве случаев т желательно иметь максимальным. [7]
В последние годы в мировой технике происходит значительный прогресс в развитии электроники, техники полупроводниковых приборов, магнитных материалов, электронной автоматики, вычислительной техники. Большие достижения в этих областях открывают новые возможности использования их в технике АТС для разработки быстродействующей, надежной и экономичной аппаратуры. [8]
Наряду с данной книгой, являющейся введением в учение о полупроводниках, намечены к изданию: подробная библиография и монографии по термоэлектрическим генераторам, по термоэлектрическому охлаждению, по теории полупроводников, по фотоэлектричеству, по теории и технике полупроводниковых приборов и некоторые другие. Кроме того, в печати находится популярная книга автора и намечена серия других. [9]
Наряду с данной книгой, являющейся введением в учение о полупроводниках, намечены к изданию и выходят в ближайшее время, а частично и раньше настоящего 2-го издания, подробная биография по полупроводникам за период 1920 - 1952 гг., монографии по термоэлектрическим генераторам, но термоэлектрическому охлаждению, по теории полупроводников, по фотоэлектричеству, по теории и технике полупроводниковых приборов и некоторые другие. Кроме того, вышла из печати популярная книга автора и намечена серия других популярных книг. [10]
Развитие техники полупроводниковых приборов привело к созданию переменных конденсаторов, которые не имеют подвижных частей. Такой конденсатор ( варикап) может быть получен на базе кремниевого прибора с переходом р - п типа. [11]
 |
Полупроводниковый конденсатор переменной емкости. [12] |
Развитие техники полупроводниковых приборов привело к созданию переменных конденсаторов, которые не имеют подвижных частей. Такой конденсатор ( варикап) был получен на базе кремниевого прибора с переходом р-я-типа. [13]
 |
Полупроводниковый конденсатор переменной емкости. [14] |
Развитие техники полупроводниковых приборов привело к созданию переменных конденсаторов, которые не имеют подвижных частей. Такой конденсатор ( варикап) был получен на базе кремниевого прибора с переходом р-ге-типа. [15]
Страницы: 1 2