Техника - полупроводниковый прибор
Cтраница 2
 |
Принципиальная схема Это свойство, объясняется тем, диодного вольтметра. что энергия, необходимая для. [16] |
Приборы электронной системы являются соединением показывающего прибора с более или менее сложной электрической схемой, включающей электронные лампы; до последнего времени электродные приборы строились на базе приборов магнитоэлектрической системы, но в последнее время появились электронные приборы, в которых применены приборы электростатической системы. С развитием техники полупроводниковых приборов начали появляться - конструкции приборов, в которых электронные лампы заменяются кристаллическими диодами или триодами; в настоящее время не имеется еще установившегося мнения, к какой системе относить эти приборы, однако представляется нецелесообразным называть их тоже электронными. [17]
Развивающаяся при этом теория р - - переходов четко показала связь электрических свойств полупроводниковых приборов со свойствами кристалла, применяемого в них, и, в первую очередь, - с концентрацией и видом примеси по обе стороны р - / г-перехода. Стало ясно, что техника полупроводниковых приборов нуждается не просто в кристаллах максимальной чистоты, а требует получения кристаллов с сознательно введенными в них примесями в точно дозированном количестве. Таким образом, послевоенная полупроводниковая электроника уже использует легированные полупроводники. [18]
Вариант в с напряжением генератора импульсов в 2 4 кв при столь высокой мощности может показаться нереальным. Однако уже достигнутые успехи техники полупроводниковых приборов и, в особенности, тенденции ее развития, позволяют считать возможным реализацию такого генератора, составленного из большого количества модулей на тиристорах относительно небольшой мощности, включенных на общую нагрузку. [19]
По типу активных приборов приемники могут быть ламповые и транзисторные. До последнего времени считалось, что ламповый приемник может достигнуть более высоких показателей, нежели транзисторный. Однако развитие техники полупроводниковых приборов опровергает такое представление. [20]
Однако имеется важное дополнительное преимущество, связанное с обеспечением доступа к поверхности материала на пути распространения волны. Это предоставляет, по крайней мере в принципе, значительно большие возможности. Так как устройства становятся двумерными, появляется большой простор в выборе методов возбуждения и детектирования волн, а также их преобразования по мере распространения. Это позволяет существенно усложнить структуру устройств. Ситуация подобна той, которая наблюдается в технике полупроводниковых приборов, где использование планар-ной технологии привело к появлению значительно более сложных и совершенных изделий. Технология интегральных микросхем оказала прямое влияние на развитие технологии приборов на ПАВ, снабдив последнюю рядом методов изготовления. Были заимствованы важнейшие технологические процессы, включая нанесение тонких пленок различных материалов, травление звукопроводов и фотолитографию, с помощью которой удается получить сложную топологию с высокой точностью. [21]
Страницы: 1 2