Полупроводниковая техника

Cтраница 1

Полупроводниковая техника располагает в настоящее время весьма обширным ассортиментом полупроводниковых материалов, которые могут найти широкое применение в чувствительных элементах. Пока для этих целей сравнительно широко используются лишь кремний и германий. [1]

Полупроводниковая техника и, в частности, микроэлектроника предъявляет серьезные требования к получению полупроводниковых пленок, в том - числе из стеклообразных полупроводников. Важнейшее из этих требований - стабильность работы пленок. Она определяется воспроизводимостью общего состава исходного материала и гомогенностью пленки по составу, структукре и дисперсности. При этом последняя должна быть сведена к минимуму. [2]

Полупроводниковая техника требует применения особо чистых материалов. Примеси, как было уже отмечено, изменяют свойства полупроводников. Поэтому в зависимости от назначения материалов количество примесей в них ограничивают. Легирующие добавки, вводимые в полупроводники для придания им определенных свойств, также должны быть чисты от примесей. [3]

Полупроводниковая техника использует галлий высокой чистоты ( 99 999 %) в качестве легирующей добавки к германию и кремнию. [4]

Сейчас полупроводниковая техника находится на уровне производства, соответствующем 64 кбит; разрабатываются микро - ЭВМ, в которых на кремниевой пластине размером не более кончика пальца умещается до нескольких сотен тысяч транзисторов. В недалеком будущем предполагается перейти на уровень 1 Мбит. [5]

Полупроводниковой технике необходим кремний особой чистоты. [6]

Автономный инвертор с устройством коммутации в каждом плече. [7]

Однако полупроводниковая техника в настоящее время не располагает силовыми полностью управляемыми вентилями с необходимыми для такого инвертора параметрами и их создание является серьезной научно-технической проблемой. [8]

Кроме полупроводниковой техники кремний широко применяется в металлургии для раскисления сталей и придания им повышенной коррозионной стойкости. Для этих целей используется сплав кремния с железом ( ферросилиций), получаемый при совместном восстановлении коксом железной руды и кремнезема. Ферросилиций очень устойчив к действию кислот и потому используется для изготовления кислотоупорных изделий. [9]

Развитие полупроводниковой техники привело к созданию малогабаритных терморезисторов, которые в сочетании с глубоким охлаждением позволяют получить высокую чувствительность, быстродействие и увеличить Хк. [10]

Развитие полупроводниковой техники должно сопровождаться повышением надежности и снижением стоимости электронных схем. [11]

Зачинателем полупроводниковой техники, давшей ныне обильные плоды, был Олег Владимирович Лосев, открывший в 1922 г. в возрасте 19 лет усилительные свойства кристаллического детектора из окиси цинка со стальным острием. [12]

Развитие полупроводниковой техники и электронных приборов привело к созданию принципиально новых электрических аппаратов, осуществляющих коммутацию электрической цепи не замыканием и размыканием ( видимый разрыв) ее, а отпиранием и запиранием ( разрыв отсутствует) ее. [13]

Развитие полупроводниковой техники привело к созданию полупроводниковых приборов ( 1949 г.), которые по надежности, габаритам и потребляемой мощности значительно превосходили электронные лампы. С момента освоения промышленного производства полупроводниковых приборов полупроводники начинают активно вытеснять электронные лампы и на смену первому поколению электронных машин ( 1945 - 1955 гг.) приходит второе поколение - поколение полупроводниковых машин. Использование полупроводников позволило не только улучшить эксплуатационные характеристики вычислительных машин, но, что наиболее важно, позволило расширить область применения вычислительной техники. Цифровые вычислительные машины, построенные на полупроводниковых приборах, начинают применяться в системах управления реальными объектами, в автоматизированных системах сбора и обработки информации. [14]

Принципиальная ( а и структурная ( б схемы двухтонного регулирования скорости вращения электродвигателя. [15]

Страницы: 1 2 3 4