Полупроводниковая техника - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 3
Женщины обращают внимание не на красивых мужчин, а на мужчин с красивыми женщинами. Законы Мерфи (еще...)

Полупроводниковая техника

Cтраница 3


В полупроводниковой технике широко используются свойства контактов между твердыми телами, обладающими разными значениями работы выхода. В полупроводниковой технике и микроэлектронике находят праменение различные сочетания контактов: металл - металл, металл - полупроводник, металл - диэлектрик, полупроводник - полупроводник, полупроводник - диэлектрик.  [31]

В полупроводниковой технике широко применяют дюралюминий ( сплав алюминия с медью, марганцем, магнием и кремнием) для изготовления кассет, в которых производят пайку во время сборки полупроводниковых приборов.  [32]

В полупроводниковой технике используют элементарный красный фосфор, а из соединений - фосфорный ангидрид и-ортофосфорную кислоту.  [33]

В полупроводниковой технике обычно применяют так называемую бескислородную медь, которую можно нагревать в атмосфере водорода. Если медь, содержащую кислород ( окислы меди), нагревать в водороде, то последний восстановит окислы. В результате этого внутри окислов образуются пустоты, возникающие вследствие разницы в объемах окислов и восстановленного из них металла, и, возможно, даже трещины; последние вызываются расширением водяных паров, которые образуются при реакции водорода с кислородом.  [34]

В полупроводниковой технике гелий применяют для тех же целей, что и аргон.  [35]

В полупроводниковой технике, в производстве особо чистого алюминия, оксида алюминия, алюмогидридов и других продуктов к чистоте применяемого хлорида алюминия предъявляют повышенные требования. Так, при электроосаждении алюминия из расплава наличие в смеси А1С13 - NaCl 10 - 3 - 10 - 4 % железа ухудшает качество катодного осадка, снижает выход по току. Для изготовления монокристаллов рубина, используемых в квантовой радиоэлектронике, применяют оксид алюминия, полученный из особо чистого хлорида алюминия.  [36]

37 Потенциальная ( а и энергетическая ( б диаграммы беспримесного полупроводника. [37]

В полупроводниковой технике в качестве легирующих примесей используются также некоторые элементы первой группы ( Си, Аи и др.), обладающие свойствами как доноров, так и акцепторов.  [38]

В полупроводниковой технике тара из полиэтилена абсолютно незаменима для хранения особо чистых веществ; ни стеклянная, ни фарфоровая тара для этой цели абсолютно непригодны, поскольку они загрязняют продукты, чистота которых определяется в десятом знаке.  [39]

40 Потенциальная ( а и энергетическая ( б диаграммы беспримесного полупроводника. [40]

В полупроводниковой технике в качестве легирующих примесей используются также некоторые элементы первой группы ( Си, Аи и др.), обладающие свойствами как доноров, так и акцепторов.  [41]

В полупроводниковой технике основным направлением было выращивание крупных монокристаллов германия или кремния высокой чистоты, которые затем разрезались на пластинки, ориентированные по отношению к тем или иным граням.  [42]

43 Неравномерное легирование полупроводника.| Диффузионные и а рейфовые токи в пластине с неравномерным распределением примеси. [43]

В полупроводниковой технике для изготовления полупроводниковых приборов часто используют неоднородные полупроводники, получаемые в результате неравномерного легирования полупроводниковых пластин примесями.  [44]

45 Схема дефектов кристаллической решетки AgBt по Я. И. Френкели.| Схема дефектов кристаллической решетки КаС1 по В. Шоттки Ц О, 13 ]. Вакансии и катион-ных и анионных узлах решетки образуются в один аксиом количестве. [45]



Страницы:      1    2    3    4