Cтраница 3
В полупроводниковой технике широко используются свойства контактов между твердыми телами, обладающими разными значениями работы выхода. В полупроводниковой технике и микроэлектронике находят праменение различные сочетания контактов: металл - металл, металл - полупроводник, металл - диэлектрик, полупроводник - полупроводник, полупроводник - диэлектрик. [31]
В полупроводниковой технике широко применяют дюралюминий ( сплав алюминия с медью, марганцем, магнием и кремнием) для изготовления кассет, в которых производят пайку во время сборки полупроводниковых приборов. [32]
В полупроводниковой технике используют элементарный красный фосфор, а из соединений - фосфорный ангидрид и-ортофосфорную кислоту. [33]
В полупроводниковой технике обычно применяют так называемую бескислородную медь, которую можно нагревать в атмосфере водорода. Если медь, содержащую кислород ( окислы меди), нагревать в водороде, то последний восстановит окислы. В результате этого внутри окислов образуются пустоты, возникающие вследствие разницы в объемах окислов и восстановленного из них металла, и, возможно, даже трещины; последние вызываются расширением водяных паров, которые образуются при реакции водорода с кислородом. [34]
В полупроводниковой технике гелий применяют для тех же целей, что и аргон. [35]
В полупроводниковой технике, в производстве особо чистого алюминия, оксида алюминия, алюмогидридов и других продуктов к чистоте применяемого хлорида алюминия предъявляют повышенные требования. Так, при электроосаждении алюминия из расплава наличие в смеси А1С13 - NaCl 10 - 3 - 10 - 4 % железа ухудшает качество катодного осадка, снижает выход по току. Для изготовления монокристаллов рубина, используемых в квантовой радиоэлектронике, применяют оксид алюминия, полученный из особо чистого хлорида алюминия. [36]
![]() |
Потенциальная ( а и энергетическая ( б диаграммы беспримесного полупроводника. [37] |
В полупроводниковой технике в качестве легирующих примесей используются также некоторые элементы первой группы ( Си, Аи и др.), обладающие свойствами как доноров, так и акцепторов. [38]
В полупроводниковой технике тара из полиэтилена абсолютно незаменима для хранения особо чистых веществ; ни стеклянная, ни фарфоровая тара для этой цели абсолютно непригодны, поскольку они загрязняют продукты, чистота которых определяется в десятом знаке. [39]
![]() |
Потенциальная ( а и энергетическая ( б диаграммы беспримесного полупроводника. [40] |
В полупроводниковой технике в качестве легирующих примесей используются также некоторые элементы первой группы ( Си, Аи и др.), обладающие свойствами как доноров, так и акцепторов. [41]
В полупроводниковой технике основным направлением было выращивание крупных монокристаллов германия или кремния высокой чистоты, которые затем разрезались на пластинки, ориентированные по отношению к тем или иным граням. [42]
![]() |
Неравномерное легирование полупроводника.| Диффузионные и а рейфовые токи в пластине с неравномерным распределением примеси. [43] |
В полупроводниковой технике для изготовления полупроводниковых приборов часто используют неоднородные полупроводники, получаемые в результате неравномерного легирования полупроводниковых пластин примесями. [44]