Технология - изготовление - прибор
Cтраница 2
Необходимо отметить, что вследствие постоянного совершенствования конструкций и технологии изготовления приборов происходят изменения средних значений параметров. Некоторое количество образцов приборов имеет параметры лучшие, чем записанные в технических условиях и справочниках. [16]
 |
Вольт-фарадная характеристика МОП-диода р-типа. Сох - емкость окисного слоя, Cfb - емкость плоских зон, фэ, фв - обозначения согласно, а. [17] |
Время генерации носителей зависит от плотности дефектов на границе раздела Si-ЭЮг, которая определяется технологией изготовления приборов. Следовательно, время отклика электронов в инверсном слое также зависит от технологического процесса изготовления МОП-структуры. [18]
Она возникает из-за разнообразных причин, в том числе несовершенства методов измерений, конструкции и технологии изготовления прибора, износа, коррозии и старения устройства, неправильной его установки и применения, влияния окружающей температуры, давления, влажности, колебаний в напряжении электросети, воздействия электромагнитных излучений, вибрации, случайных причин, неисправности прибора, неправильного или субъективного отсчета показаний. [19]
Предельно допустимые эксплуатационные величины параметров транзистора определяются исходя из требований надежности, а также возможностями технологии изготовления прибора данного типа. Предельно допустимыми эксплуатационными величинами являются наибольшие значения следующих параметров: мощности, рассеиваемой транзистором в интервале температур ( без дополнительного радиатора или с дополнительным радиатором), РЫ-ЛКС, мощности в импульсе имп. [20]
Для устранения постепенно накапливающихся необратимых или медленно меняющихся обратимых изменений на поверхности прибора необходимо совершенствовать технологию изготовления приборов в части снижения вероятности попадания на поверхность транзистора различных загрязнений и улучшения качества ее защиты. Кроме того, желательно создавать транзисторную структуру таким образом, чтобы электрическое поле на поверхности у границы перехода всегда было меньше, чем в объеме. [21]
Несмотря на популярность в настоящее время широких капиллярных колонок, следует ожидать, что успехи в технологии изготовления приборов и колонок в сочетании с возросшим интересом к колонкам этого типа приведут к снижению диаметра колонок. [22]
 |
График зависимости. [23] |
На втором участке, называемом рабочим периодом, интенсивность отказов практически постоянна и снижается при улучшении конструкции и технологии изготовления приборов. Третий участок, называемый периодом износа и старения, характеризуется выходом приборов из строя в результате естественного износа. На этом участке интенсивность отказов вначале резко возрастает, а затем падает, так как остается мало приборов, продолжающих работать. [24]
 |
Усредненные для многих генераторов Ганна зависимости генерируемой СВЧ-мощности от частоты при непрерывной работе ( 7 и при работе в импульсном режиме ( 2. [25] |
Коэффициент полезного действия генераторов Ганна может быть различным ( от 1 до 30 %), так как существенно отличаются технологии изготовления приборов и качество исходного полупроводникового материала. [26]
Первый том состоит из двух частей: первая часть посвящена научным основам приборов, вторая часть - технике высокого вакуума и технологии изготовления приборов. Во втором томе в основном дано описание конструкций и характеристик приборов, основанных на использовании поведения элементарных частип в электрических и магнитных полях. [27]
Классификаций транзисторов и диодов возможна по нескольким признакам в зависимости от материала прибора, механизма физических процессов, лежащих в основе усиления или генерации СВЧ колебаний, технологии изготовления прибора и некоторым другим. [28]
В настоящее время номенклатура электровакуумных приборов, выпускаемых мировой электровакуумной промышленностью, насчитывает несколько тысяч наименований, а годовой выпуск приближается к миллиарду штук. Технология изготовления приборов, естественно, весьма разнообразна. [29]
Постепенные отказы связаны с изменением параметров приборов во времени и проявляются в виде выхода параметров приборов за пределы норы, установленных в технических условиях. Постепенные отказы обусловлены недостатками и нарушениями технологии изготовления приборов. [30]
Страницы: 1 2 3