Технология - изготовление - прибор
Cтраница 3
Из ТТЛ-приборов наиболее широко используются ТТЛ Шоттки - быстродействующие и маломощные схемы. Наиболее перспективной технологией выполнения больших интегральных схем является технология изготовления приборов с интегрально-инжекционной логикой. Подобные приборы потребляют небольшую мощность и имеют более высокую плотность элементов по сравнению с МОП-приборами, при этом они характеризуются быстродействием одного лорядка с биполярной группой. [31]
Жидкометаллические контакты повышают циклостойкость силовых полупроводниковых приборов в 20ч - 25 раз по сравнению с приборами, у которых контакты создаются мягкими припоями. К недостаткам таких контактов следует отнести усложнение конструкции и технологии изготовления приборов. [32]
Электродный сплав должен обладать хорошей стойкостью к кислотам и щелочам. Это требование, хотя и не строго обязательно, но его выполнение значительно упрощает технологию изготовления прибора. [33]
Для полной характеристики транзисторов и полупроводниковых диодов обычно требуется измерять большое количество параметров, что в производственных условиях приведет к неоправданному удорожанию продукции. Поэтому для контроля качества выпускаемых приборов измеряют лишь несколько параметров, величины которых наиболее чувствительны к нарушениям технологии изготовления приборов. Методы измерения этих параметров в большинстве случаев определены ГОСТами. [34]
 |
Зависимости подвижностей носителей заряда ( а и удельного электрического сопротивления ( б в монокристалличеа ш германии от концентрации носителей зарядов и легирующей примеси соответственно. [35] |
Во всех полупроводниках конкретная легирующая примесь, а следовательно, и тип электропроводности задаются разработчиком прибора, формулирующим требования к материалу, необходимому для его изготовления. Это вызвано тем, что различные примеси, создающие в полупроводнике одинаковый тип электропроводности, обладают, как правило, сильно различающимися физико-химическими свойствами, например коэффициентом диффузии, что налагает отпечаток на технологию изготовления прибора. Другими параметрами, определяемыми легированием, в полупроводниковых соединениях являются концентрация носителей заряда, а в элементарных полупроводниках - удельное электрическое сопротивление. [36]
Это полупроводниковые диоды, принцип работы которых основан на том, что при обратном напряжении на р-п-переходе в области электрического пробоя напряжение на нем изменяется незначительно при значительном изменении тока. Стабилитроны предназначены для стабилизации напряжений и используются в параметрических стабилизаторах напряжения, в качестве источников опорных напряжений, в схемах ограничения импульсов и др. Напряжение стабилизации ( пробивное напряжение) является рабочим. Оно зависит от свойств полупроводника, из которого изготовляют диод, а также технологии изготовления прибора. [37]
Это полупроводниковые диоды, принцип работы которых основан на том, что при обратном напряжении на p - n - переходе в области электрического пробоя напряжение на нем изменяется незначительно при значительном изменении тока. Стабилитроны предназначены для стабилизации напряжений и используются в параметрических стабилизаторах напряжения, в качестве источников опорных напряжений, в схемах ограничения импульсов и др. Напряжение стабилизации ( пробивное напряжение) является рабочим. Оно зависит от свойств полупроводника, из которого изготовляют диод, а также технологии изготовления прибора. [38]
Быстрое перемещение обеих кареток для грубого наведения главного микроскопа на измеряемый участок объекта производится от руки. Точная наводка осуществляется микрометрическими винтами. Микрометрические пары предназначены только для транспортировки кареток и не выполняют измерительных функций, поскольку перемещения кареток отсчитываются по шкалам, жестко связанным с каретками. Такая конструкция прибора, с одной стороны, облегчает технологию изготовления прибора, так как позволяет задать широкий допуск на микрометрические пары; с другой стороны, значительно повышает точность измерения, поскольку к шкале, изготовленной с высокой точностью, прилагается аттестате поправками. [39]
В пей описываются факты и представления так, как их понимает автор этой книги. Наконец, отмечу, что книга излагает преимущественно физические основы важнейших технических выходов и не останавливается на технологии изготовления приборов и пх конструкциях. [40]
При производстве подобных приборов индивидуально для каждого прибора необходимо выбирать точку соприкосновения иглы с кристаллом я силу давления иглы на кристалл. Технологическая операция, выполняемая для получения выпрямляющей структуры с заданными электрическими параметрами, называется настройкой полупроводникового прибора. Настройка приборов производится на специальной аппаратуре. В настоящее время стремятся применять технологию изготовления приборов, при которой отпадает необходимость в настройке. [41]
Предлагаемая вниманию читателей книга посвящена ряду устройств на ПАВ и вопросам их применения в радиоэлектронных системах. Первые шесть глав содержат теоретические основы. Последующие главы посвящены анализу практических устройств. Ввиду обширности тематики представляется полезным вначале ввести читателя в круг затронутой проблемы, чтобы облегчить последующее рассмотрение. В настоящем введении поясняется также используемая терминология. После краткого описания свойств акустических волн обсуждаются некоторые радиоэлектронные устройства на объемных волнах. Затем излагаются принципы построения устройств на поверхностных волнах. Описывается ряд приборов, нашедших наибольшее практическое применение. В конце вводного обзора обсуждаются вопросы технологии изготовления приборов и области их применения. Данный обзор содержит только самые необходимые сведения. [42]
Как видно из этого краткого обзора, современные знания в этой области физики пока еще очень ограничены. Совершенно отсутствуют экспериментальные данные по диффузии примесей и самодиффузии для многих полупроводниковых материалов, применяемых в технике. Нет достаточно убедительных данных относительно механизма отдельных диффузионных процессов. Только лишь намечаются некоторые физические закономерности, характеризующие особенности процессов диффузии в полупроводниках: взаимное влияние доноров и акцепторов на скорость диффузии, корреляция между энергией активации при диффузии и расположением локальных электронных уровней примесей в запретной зоне полупроводников и др. Все эти вопросы подлежат еще тщательному экспериментальному и теоретическому исследованию. Однако даже то немногое, что нам в настоящее время известно по диффузии в полупроводниках, позволяет в ряде случаев получить ценные сведения о механизме внедрения и перемещения примесей в полупроводниковых материалах. Это особенно относится к тем полупроводникам, для которых диффузионные исследования сочетались с исследованиями электрических свойств. Тем более с пользой могут быть использованы эти данные для решения прикладных задач. Зная, например, коэффициенты диффузии донорных и акцепторных примесей в германии и кремнии и пользуясь обычными методами решения диффузионных задач ( см., например, [14]), нетрудно оценить глубину залегания электронно-дырочных переходов при заданной технологии изготовления приборов. [43]
Усовершенствование кон-струкцрш и технологии изготовления электронных ламп не решает эту проблему, к-рая часто оказывается за пределами физ. Выпускаемые пром-стью диоды полупроводниковые и транзисторы позволяют заменять до 90 % ламповых каскадов схем полупроводниковыми. Ряд ПП приборов в своей основе имеют, напр. Общие размеры приборов с колпачками из металла или пластмассы составляют 0 015 - 0 3 см ( средний размер приемно-усилит. Отсутствие вибрирующих элементов внутри прибора обеспечивает большую механич. Тщательно выполненный и хорошо герметизированный ПП прибор может служить десятки тыс. часов. В ламповых схемах выделяется количество тепла, к-рое может искажать заданный режим работы; устранение этого приводит к усложнению устройства, повышению веса и объема. Радио устройства, полностью работающие на ПП приборах, свободны от этого недостатка. Однако нек-рые ПП материалы имеют малый температурный предел ( напр. ПП соединениями) в значит, степени устраняет и этот недостаток. Совершенствование технологии изготовления ПП приборов приводит к уменьшению имеющихся еще разброса и нестабильности параметров. [44]
Усовершенствование конструкции и технологии изготовления электронных ламп не решает эту проблему, к-рая часто оказывается за пределами физ. Выпускаемые пром-стью диоды полупроводниковые и транзисторы позволяют за - МВЕШТЬ до 90 % ламповых каскадов схем полупроводниковыми. Ряд ПП приборов в своей основе имеют, напр. Общие размеры приборов с колпачками из металла или пластмассы составляют 0 015 - 0 3 см ( средний размер приемно-усилит. Отсутствие вибрирующих элементов внутри прибора обеспечивает большую механич. Тщательно выполненный и хорошо герметизированный ПП прибор может служить десятки тыс. часов. В ламповых схемах выделяется количество тепла, к-рое может искажать заданный режим работы; устранение этого приводит к усложнению устройства, повышению веса и объема. Радиоустройства, полностью работающие на ПП приборах, свободны от этого недостатка. Однако нек-рые ПП материалы имеют малый температурный предел ( напр. ПП соединениями) в значит, степени устраняет и этот недостаток. Совершенствование технологии изготовления ПП приборов приводит к уменьшению имеющихся еще разброса и нестабильности параметров. [45]
Страницы: 1 2 3