Технология - изготовление - полупроводниковый прибор
Cтраница 1
Технология изготовления полупроводниковых приборов совершенствовалась очень быстро, и это привело к созданию выпрямительных элементов, превосходящих мощностью в сотни раз первые приборы этого рода. Номинальные токи и напряжения, допустимые для этих полупроводниковых элементов, достигли сотен ампер и вольт. В настоящее время созданы полупроводниковые преобразователи мощностью в сотни и тысячи киловатт. [1]
Технология изготовления полупроводниковых приборов на основе германия, как правило, требует термической обработки исходного материала. Было установлено, что термообработка германия оказывает значительное влияние на его электрические свойства, в частности, на удельное сопротивление, подвижность и время жизни носителей заряда. Более того, было показано, что если германий га-типа нагреть до температуры 873 - 923 К и выдержать его при этой температуре некоторое время, а затем быстро охладить, он превращается в кристаллы р-типа. [2]
В технологии изготовления полупроводниковых приборов одной из самых важных и многократно повторяющихся операций является травление. [3]
В технологии изготовления полупроводниковых приборов серебро используют в основном в качестве составной части электродных сплавов для германия и кремния; как основа большой группы твердых ( высокотемпературных) припоев для пайки металлов, так называемых серебряных припоев; для предварительного гальванического серебрения деталей перед пайкой их мягкими припоями. [4]
Особенность влияния технологии изготовления полупроводниковых приборов на их надежность заключаются в том, что ряд нарушений, сделанных в процессе производства, практически невозможно обнаружить на готовом приборе, даже при самом тщательном его испытании на срок службы, и выявляются они в процессе эксплуатации, иногда через значительное время. Поэтому изменения в установившейся технологии требуют тщательной проверки на готовых приборах в процессе эксплуатации, либо на стендах срока службы. [5]
В работе с полупроводниками и в технологии изготовления полупроводниковых приборов необходимо пользоваться обессоленной водой. [6]
Специфика производства изделий микроэлектроники заключается в постоянном совершенствовании технологии изготовления полупроводниковых приборов и интегральных микросхем, что затрудняет автоматизацию производства традиционными методами. Решению этой проблемы способствует применение ПР, которые, являясь автономными устройствами, позволяют в короткие сроки разрабатывать автоматизированные комплексы и создавать на их базе достаточно гибкие системы, наиболее полно учитывающие специфику и особенности отдельных производств. [7]
При проектировании МДП-ИМС необходимо учитывать ряд общих ограничений, свойственных технологии изготовления полупроводниковых приборов, а также специфические аспекты МДП-технологии, в частности зависимость свойств МДП-приборов от свойств исходного полупроводникового материала и особенно от состояния поверхности полупроводниковой подложки, контактирующей с диэлектриком. Учет этих особенностей в процессе проектирования позволяет получить приборы с параметрами, изменение которых ограничено некоторыми допустимыми пределами, атв обеспечивает - выполнение заданной схемотехнической функции. [8]
Значительно большее распространение в оптическом приборостроении, радиотехнике и в технологии изготовления полупроводниковых приборов приобретает метод получения пленок из газовой фазы при пиролизе некоторых соединений. [9]
В сборнике помещены статьи, посвященные вопросам физических принципов работы и технологии изготовления полупроводниковых приборов, а также результаты исследования параметров полупроводниковых приборов и возможностей их схемного применения. [10]
В сборнике помещены, статьи, посвященные вопросам физических принципов работы и технологии изготовления полупроводниковых приборов, а также результаты исследования параметров полупроводниковых приборов и возможностей их схемного применения. [11]
Эпитаксиальное осаждение из газовой фазы с использованием различных химических реакций является основным направлением в технологии изготовления полупроводниковых приборов и микросхем. Как правило, используют проточные реакторы, в которых газом-носителем служит очищенный водород, а транспортирующими агентами являются хлориды или ковалентные гидриды элементов, входящих в состав синтезируемого соединения. Выбор этих реагентов во многом определяется их малой реакционной способностью по отношению к конструкционным материалам и возможностью глубокой очистки различными физическими и химическими методами. [12]
Электролитическое травление и полирование широко применяются для исследования свойств и обработки полупроводниковых материалов и в технологии изготовления полупроводниковых приборов. В случае полупроводников процесс анодного растворения оказывается сильно зависящим от типа проводимости образца. Травление и полирование полупроводников n - типа в общем случае протекает значительно труднее, чем р-типа. Влияние типа проводимости на скорость анодного растворения наиболее изучено для германия. [13]
 |
Кривая зависимости анодной плотности тока от напряжения при электроиолиро-вании. [14] |
Электролитическое травление и полирование широко применяются для исследования свойств и обработки полупроводниковых материалов и в технологии изготовления полупроводниковых приборов. Для полупроводников процесс анодного растворения оказывается сильно зависящим от типа проводимости образца. Травление и полирование полупроводников n - типа в обшем случае протекает значительно труднее, чем р-типа. Влияние типа проводимости на скорость анодного растворения наиболее изучено для германия. [15]
Страницы: 1 2