Cтраница 2
Книга предназначена для физиков, химиков и металлургов, исследующих свойства полупроводниковых материалов, а также для инженеров, занимающихся технологией изготовления полупроводниковых приборов. [16]
Англо-русский словарь по современной радиоэлектронике содержит около 20 000 терминов по квантовой радиоэлектронике, физике плазмы, физике и электронике полупроводниковых приборов, технологии изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем, общей радиотехнике, распространению радиоволн, антенно-фидерным устройствам, радиолокации ( в частности по радиотеплоло-кации), технике СВЧ, теории надежности, вычислительной технике, голографии, бионике и некоторым смежным отраслям науки и техники. [17]
В технологии изготовления полупроводниковых приборов часто применяется электролитическое анодное травление. [18]
Современный уровень технологии изготовления полупроводниковых приборов и применяемые материалы позволяют получить - германиевые приборы с предельно допустимой температурой р-п перехода 85 С и кремниевые с температурой 130 - 150 С. [19]
При этом особое внимание обращается на рассмотрение наиболее важных в прикладном отношении реакций анодного растворения германия и кремния. В книге также дается обзор применения электрохимических операций в технологии изготовления полупроводниковых приборов. [20]
Полупроводниковые монолитные ИС представляют собой комплекс транзисторов, диодов, резисторов и конденсаторов, сформированных в общем полупроводниковом кристалле. Для их изготовления используются такие технологические процессы, как диффузия, эпитаксиальное наращивание, металлизация путем напыления в вакууме, окисление и другие процессы, свойственные технологии изготовления полупроводниковых приборов. В результате в полупроводниковом кристалле общими технологическими методами создаются все элементы схемы. [21]
С целью предупреждении пожаров следует использовать различные негорючие материалы. Предпочтение отдается нержавеющей стали, но часто для технологического процесса не подходит оборудование из металла. Существует пластмасса с меньшей степенью возгорания или задымления, но она еще не прошла все испытания на совместимость с технологией изготовления полупроводниковых приборов. Для противопожарной защиты такое оборудование снабжается спринклерными противопожарными системами, доступ к которым должен быть свободен. Размещение НЕРА-фильт-ров над стендами часто блокирует спринклерные головки. В этом случае устанавливают дополнительные спринклерные головки под фильтрами. Многие компании также требуют установки систем обнаружения и подавления пожара внутри отверстий приточной вентиляции на оборудовании, где часто начинается пожар. [22]
По сравнению со вторым изданием в учебник введены новые главы и расширены главы, в которых рассмотрены наиболее перспективные полупроводниковые приборы. В последнее время полупроводниковые приборы применяют не только как дискретные элементы, но и как элементы интегральных микросхем. Поэтому в учебнике рассмотрены конструктивно-технологические особенности полупроводниковых приборов в интегральном исполнении и общие принципы микроэлектроники. Однако вопросы технологии изготовления полупроводниковых приборов и особенно интегральных микросхем изложены только в объеме, необходимом для понимания принципа действия, свойств и характеристик полупроводниковых приборов, так как подробно изучаются в других последующих курсах. [23]
Халькогены помещают в лодочке В в зоне в температурой Тв Серу можно заменить потоком H2S, входящим через тот же патрубок. Трубка Г служит для откачивания газов из камеры. Получающиеся кристаллы могут иметь площадь несколько квадратных сантиметров и толщину около 1 мм. В работе с полупроводниками и в технологии изготовления полупроводниковых приборов необходимо пользоваться обессоленной водой. [24]
Эти методы привлекают внимание исследователей тем, что они, в принципе, позволяют проводить осаждение металлических и диэлектрических пленок заданной конфигурации. После своего усовершенствования лучевые методы МОС могут найти широкое применение в технологии изготовления ряда электронных приборов, так как - использование сфокусированных лучей может обеспечить получение пассивных элементов микросхем без применения процессов фотолитографии. Лучевые методы в применении к МОС позволяют, в принципе, осуществлять локальную диффузию микропримесей в полупроводниковые материалы, что открывает новые возможности в совершенствовании технологии изготовления полупроводниковых приборов. [25]
Недостатки полупроводниковых ИМС на биполярных транзисторах в некоторой степени могут быть компенсированы ИМС на МДП-транзисторах. Интегральные устройства на основе различных МДП-структур находят широкое применение при проектировании ряда функционально законченных устройств, к которым относятся, например, постоянные и оперативные запоминающие устройства, электронные калькуляторы, микропроцессоры, а также микромощные устройства, предназначенные для использования в медицине и космических системах. Для ИМС на МДП-транзисторах характерны высокая надежность, низкое энергопотребление и большая функциональная сложность, что позволяет значительно снизить стоимость аппаратуры на их основе. Уровень, достигнутый в области проектирования ИМС на МДП-структурах, позволяет при равной функциональной сложности получать гораздо меньшие размеры элементов по сравнению с элементами биполярных полупроводниковых ИМС, причем процесс их изготовления включает меньшее количество технологических операций. При проектировании МДП-ИМС необходимо учитывать ряд общих ограничений, свойственных технологии изготовления полупроводниковых приборов, а также специфические аспекты МДП-технологии, в частности зависимость свойств МДП-приборов от свойств исходного полупроводникового материала и особенно от состояния поверхности полупроводниковой подложки, контактирующей с диэлектриком. Учет этих особенностей в процессе проектирования позволяет получить приборы с параметрами, изменение которых ограничено некоторыми допустимыми пределами, что обеспечивает выполнение заданной схемотехнической функции. [26]