Технология - тонкая пленка
Cтраница 1
Технология тонких пленок находит все более широкое при-енение в микроэлектронике при производстве гибридных интегральных сем. Резистивные слои являются настолько чувствительными к микро-груктуре, что едва заметные рекристаллизационные процессы в пленке риводят к существенным изменениям термического коэффициента со-ротивления а и временной стабильности резистора под нагрузкой. Изустно, что электрофизические свойства пленок во многом обусловлены шянием размерного эффекта. Так, величина электросопротивления на-оструктурных пленок Ti-В - N оказывается на порядок выше, а его рост роисходит интенсивнее, чем у равновесных поли - и монокристалличес-их образцов, что связывается с рассеянием носителей на границах кри-галлитов, примесях и дефектах. [1]
Справочник по технологии тонких пленок - наиболее современное и фундаментальное издание, посвященное тонким пленкам твердых веществ, находящим широкое применение в микроэлектронике, оптике, магнитной технике, СВЧ и космической технике и др. Справочник издается в двух томах. [2]
Достижения в технологии тонких пленок и полупроводников привели к появлениню ИС высокой степени интеграции. Четкая граница между СИС и БИС не определена. [3]
Справочник по технологии тонких пленок - наиболее современное и фундаментальное издание, посвященное гонким пленкам твердых веществ, находящим широкое применение в микроэлектронике, оптике, магнитной технике, СВЧ и космической 1ехнике и др Справочник издается в двух томах. [4]
Немаловажное значение имеет в технологии тонких пленок выбор специального технологического оборудования. Поэтому в настоящей главе дан перечень разработанных и выпускаемых отечественных установок с их основными техническими характеристиками, облегчающий выбор оборудования, необходимого для комплектования участков и цехов по изготовлению гибридно-пленочных микросхем. [5]
Все эти методы широко используются в технологии тонких пленок и являются универсальными: каждый из них может служить основой для создания законченной тонкопленочной микросхемы. [6]
Настоящая книга задумана как подробное руководство по технологии тонких пленок и введение в различные аспекты физики тонких пленок. [7]
 |
Спектр пропускания смол на основе DGEBA в ИК-области [ Л. 2 - 30 ]. [8] |
Высоковязкие и твердые смолы находят применение в системах, отверждаемых при нагревании; используются в качестве формовочных масс и в технологии тонких пленок, наносимых из раствора или методом движущегося слоя. Эпоксидный эквивалент позволяет произвести расчеты точных количеств отвердителей и модификаторов, которые используются для завершения процесса отверждения. В случае использования некоторых отвердителей, а также при определенных условиях реакции в равной степени необходимо знать гидроксильный эквивалент и йодное число. Другие свойства, например цвет, хотя и имеют решающее значение в некоторых областях применения, обычно не особенно важны. [9]
Очень высокая чувствительность аналитических методов объемного химического анализа была достигнута в значительной степени благодаря тем требованиям, которые предъявляли к ним технология тонких пленок и полупроводниковая промышленность ( напр. Микрохимические технологии требуют достаточно большого количества исследуемого материала. Например, если приготовить от 1 до 10мл раствора, то в нем будет содержаться лишь около 100 мкг исследуемого материала. Это требование возникает из-за потери растворителя в ходе анализа за счет испарения и потери раствора при переливании его из одного сосуда в другой. [10]
Для расширения номинальных значений сопротивлений и емкостей в полупроводниковых интегральных микросхемах и улучшения их рабочих характеристик разработана специальная технология, основанная на технологии тонких пленок. Комбинированную технологию изготовления полупроводниковых интегральных микросхем принято называть технологией совмещенных схем. Активные элементы микросхемы ( а возможно, и некоторые некритичные по номинальному сопротивлению резисторы) изготовляют в теле кремниевого кристалла методом эпитаксиального наращивания, фотолитографии и диффузии. Технологию тонких пленок используют для получения пассивных элементов непосредственно на поверхности слоя SiOa, выращенного на верхней поверхности монолитной структуры. [11]
Большое внимание уделено отраслям радиоэлектроники, получившим за последние годы особенно быстрое развитие - обработке данных, микроминиатюризации, полупроводниковой технике, технологии тонких пленок и интегральных схем, космическому телевидению, теории надежности. [12]
Установки ЭМ-422 и ЭМ-422А обеспечивают сварку внахлестку с переменной деформацией соединения за счет наклона рабочего торца инструмента и при определенных условиях могут применяться в технологии тонких пленок. В установке ЭМ-439А присоединение проволочного вывода к пленке выполняется оплавленным шариком встык. [13]
Создание интегральных микросхем под требуемые размеры современных индикаторов находится за пределами возможностей ближайшего будущего в технологии кремниевых полупроводников. Технология тонких пленок, по-видимому, должна способствовать созданию той основы, на которой могут быть созданы разнообразные интегральные индикаторы [19, 20], имеющие поверхность, сравнимую с поверхностью экрана ЭЛП. В то же время использование технологии изготовления тонких пленок позволит получить достаточное геометрическое разрешение, чтобы создать матрицы, плотность строк на которых не уступает разрешающей способности глаза. Потребность в высоком напряжении у тонкопленочных устройств позволяет проводить их сопряжение со всеми воспроизводящими материалами, как используемыми в. Однако эти устройства в меньшей степени подходят для возбуждения материалов, работающих при значительных токах и низких напряжениях. Эта проблема является серьезной даже не для самих тоикопленочных устройств, которые могут быть спроектированы на потребление весьма значительных токов ( приближающихся к 40 мА на 1 мм ширины канала), а для по-лосковых шин. [14]
 |
Конструкция кислородного сенсора с использованием воздуха в качестве газа сравнения. [15] |
Страницы: 1 2