Cтраница 2
Учитывая состояние развития электрохимии твердых тел и прогресс, достигнутый в микроэлектронике, можно утверждать, что сенсорам на основе твердых электролитов принадлежит будущее. Развитие технологии тонких пленок позволило разработать твердотельные сенсоры, в которых используется слой твердого электролита толщиной - 500 нм. [16]
Анализ состава пленок обычно проводится аналитическими группами, в которые входят специалисты по различным методам. Он редко проводится персоналом, работающим в области технологии тонких пленок, так как этот анализ представляет одну из самых трудных аналитических задач. Причины этого заключаются в том, что при проведении анализов приходится сталкиваться с большим разнообразием методов, малыми размерами образцов, чрезвычайно низкими уровнями концентрации, проблемами держателей образцов, количеством и типом присутствующих элементов, возможностью введения излишних материалов из подложки или в процессе анализа. Вследствие этих сложностей выбор аналитического метода является обычно задачей аналитика. В соответствии с этим, эга часть данной книги главным образом знакомит исследователя тонких пленок с существующими аналитическими методами и служит руководством в его практической деятельности. [17]
К группе конденсационных методов относятся термовакуумное напыление и катодное распыление. Разновидностями последнего являются реактивное, ионно-плазменное и высокочастотное распыление. Конденсационные методы широко используют в технологии тонких пленок, они универсальны: каждый из них может служить основой для создания законченной тонкопленочной микросхемы. [18]
Воздушный зазор, поддерживаемый практически постоянным порядка нескольких микрон, позволяет обеспечить высокую плотность записи при большой скорости перемещения носителя. По данным, приведенным в работе [39], с помощью магнитных головок с малым зазором, изготовленных на базе технологии тонких пленок, можно осуществить запись с плотностью 200 бит / мм. [19]
Для расширения номинальных значений сопротивлений и емкостей в полупроводниковых интегральных микросхемах и улучшения их рабочих характеристик разработана специальная технология, основанная на технологии тонких пленок. Комбинированную технологию изготовления полупроводниковых интегральных микросхем принято называть технологией совмещенных схем. Активные элементы микросхемы ( а возможно, и некоторые некритичные по номинальному сопротивлению резисторы) изготовляют в теле кремниевого кристалла методом эпитаксиального наращивания, фотолитографии и диффузии. Технологию тонких пленок используют для получения пассивных элементов непосредственно на поверхности слоя SiOa, выращенного на верхней поверхности монолитной структуры. [20]