Технология - получение - пленка - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 3
Когда ты сделал что-то, чего до тебя не делал никто, люди не в состоянии оценить, насколько трудно это было. Законы Мерфи (еще...)

Технология - получение - пленка

Cтраница 3


Переход к твердым растворам позволяет значительно расширить спектральный диапазон приборов и повысить их качество. Исследование физических свойств таких пленок в зависимости от состава и отработка технологии получения пленок с заданными свойствами делают необходимым анализ основного состава пленок. Специфика полупроводниковых пленок как объектов анализа даже в случае определения основных компонентов требует применения высокоточных методов, обладающих высокой абсолютной чувствительностью. Большинство современных физико-химических методов ( спектрографический, рентгеновский, атомно-абсорбционный, нейтрон-но-активационный) имеет предел обнаружения, достаточный для определения основного состава объектов микроэлектроники.  [31]

Зависимость емкости конденсаторов из пленки ПЭТФ от температуры имеет непрямолинейный характер, как показано на рис. 53, при частоте 1 кгц. Емкость относительно мало изменяется в интервале от - 20 - - 25 С до 80ч - 85 С; при - 50ч - 60 С емкость снижается на 5 % и больше; при 125 С емкость возрастает на 10 - 15 %; поэтому, если указывается верхний предел температуры 150 С, как это делают некоторые фирмы, надо иметь в виду, что при этой температуре емкость конденсатора может уже значительно отличаться от номинала, установленного для комнатной температуры. На рис. 53 кривые У и 2, по данным американских источников, заметно отличаются от кривой 3, по английскому источнику; поэтому можно полагать, что кривая 3 соответствует более высокому содержанию аморфноц фазы; вероятно, это обусловлено различием в технологии получения пленки или в режимах запекания конденсаторов.  [32]

Технологические данные и требования характеризуют возможность изготовления схемы с заданными параметрами. Основными технологическими данными являются параметры структурных элементов гибридных ИМС: подложек, пленочных и навесных дискретных элементов ( резисторов, конденсаторов, транзисторов, диодов и др.), проводников, контактных площадок, межслойной изоляции и защитного слоя. Это данные о качественных параметрах технологии получения пленок и пленочных сложных структур; о параметрах пленок различного назначения ( резистивные, проводниковые, контактные, диэлектрические, защитные), о комбинации различных пленок, о количестве наносимых слоев в различной последовательности напыления материалов в зависимости от способа изготовления пассивной части схемы, точности изготовления пленочных элементов.  [33]

34 Зависимость емкости полистиро Льного конденсатора от температуры при двух циклах нагрева и охлаждения. а - незапеченный конденсатор. б - запеченный. [34]

Полиэтилен нашел себе широкое применение в кабельной промышленности, но может быть также получен и в виде конденсаторной пленки, изготовляемой методом выдувания. Расплавленный полиэтилен вжимается в камеру вытянутой формы и с помощью сжатого воздуха прижимается к ее стенкам, образуя по форме камеры вытянутую тонкостенную колбаску; далее она на вальцах прокатывается в длинную двойной толщины ленту, которая далее разделяется на две ленты, наматываемые в отдельные рулоны. Нижний предел толщины полиэтиленовой пленки составлял ранее 25 - 30 мкм, что являлось одной из причин, ограничивающих ее применение в конденсаторах, хотя по нагревостойкости она превосходит полистирольную ( в конденсаторах до 85 - 90 С) и стоит дешевле. Путем радиационной обработки ( облучения) можно повысить нагревостойкость полиэтиленовой пленки на 20 - 30 С, улучшение технологии получения пленки позволяет снизить ее толщину до 10 - 15 мкм. Таким образом, полиэтиленовую пленку можно применять взамен полистироль - ной тогда, когда надо несколько улучшить рабочий интервал температур, а некоторое ухудшение электрических свойств конденсаторов по сравнению с полистирольными является допустимым.  [35]



Страницы:      1    2    3