Cтраница 1
Технология полупроводниковых приборов быстро прогрессирует. [1]
В технологии полупроводниковых приборов для создания омических контактов и для проведения процессов диффузии из жидкого сплава широко применяются двух - и многокомпонентные сплавы, являющиеся твердыми растворами выбранных компонентов. Количество сплава, идущего на один прибор, очень невелико ( порядка сотни миллиграмм), а основное требование, которому он должен удовлетворять, - это полная воспроизводимость заданного состава. При кристаллизации происходит изменение состава расплава, образованного двумя или несколькими-элементами, и получаемый слиток не обладает требуемой однородностью. Гомогенезирующий отжиг таких слитков может дать удовлетворительные результаты только за очень длительное время, неприемлемое в производственных условиях. [2]
В технологии полупроводниковых приборов проблема легирования твердой фазы, например кремния, газовой, например парами мышьяка или его соединений, является очень важной, а само легирование - одним из наиболее употребительных приемов получения р-л-перехода. [3]
Жидкостная эпитаксп; технологии полупроводниковых приборов. [4]
В Системе 370 широко используются последние достижения технологии полупроводниковых приборов и интегральных схем. Кроме того, возможности применения этой вычислительной системы расширены за счет введения новых средств и возможностей: динамического преобразования адресов; косвенной адресации данных в каналах; мультипроцессирования; средств отсчета времени; операций с плавающей точкой, обеспечивающих повышенную точность; средств регистрации программных событий; средства обеспечения мониторных программ; блок-мультиплексного канала. Эти средства и возможности значительно повышают надежность, готовность и доступность вычислительной установки. [5]
Тенденция к усложнению электронной аппаратуры и успехи в области технологии полупроводниковых приборов обусловили появление в 60 - х годах интегральных микросхем, процесс внедрения которых продолжается и в настоящее время. Постоянно расширяется номенклатура серий интегральных схем, выпускаемых промышленностью, разрабатываются качественно новые виды интегральных микросхем различного назначения. [6]
Такой подход к изложению материала положительно зарекомендовал себя при чтении лекций по курсам Технология полупроводниковых приборов и интегральных микросхем дтя студентов специальности 0629 ( Полупроводниковые и микроэлектронные приборы), 0604 ( Полупроводники и диэлектрики) в ЛЭТИ им. [7]
Курс полупроводниковых приборов, ранее включавший в себя разделы от квантовой механики до технологии полупроводниковых приборов, читается в настоящее время в большинстве вузов в виде трех разделов: физика полупроводников, физика полупроводниковых приборов и технология полупроводниковых приборов. Поэтому в данной книге сочтено возможным начать изложение с материала, непосредственно относящегося к физике полупроводниковых приборов, учитывая, что с физикой полупроводников читатель может ознакомиться по вышедшим в последнее время книгам Физика полупроводников [ В. [8]
Диффузия как метод введения примесей в полупроводник и изготовления электронно-дырочных переходов имеет первостепенное значение в технологии полупроводниковых приборов. Методы диффузии позволяют в очень точных пределах контролировать расположение переходов, концентрацию и градиент концентрации примесей, а воспроизводимость и гибкость диффузионных процессов делают их более предпочтительными по сравнению, например, с перекристаллизацией. [9]
В большинстве учебных планов этой специальности предусматриваются отдельные курсы, связанные с измерением, исследованием и технологией полупроводниковых приборов. Исходя из этого было принято решение исключить из второго издания материал, касающийся методов измерения параметров, а также материал, хотя и связанный с физическим смыслом некоторых процессов и параметров, но вытекающий, скорее, из теории цепей, чем из основ полупроводниковой электроники. [10]
Материалы сборника представляют интерес для научных и инженерно-технических работников, а также аспирантов и студентов, занимающихся синтезом и выращиванием полупроводников и технологией полупроводниковых приборов микроэлектроники. [11]
Метод может найти широкое применение при определении мнкропримесей в ультрачистых кислотах, щелочах и воде, при анализах этих жидкостей после их использования в технологии полупроводниковых приборов и других изделий из материалов высокой чистоты, при исследовании послойного распределения примесей в твердых веществах после их стравливания, при изучении состава многокомпонентных систем - выделении их ра: личных фракций. [12]
Книга предназначена для научных работников, инженеров и техников, работающих в полупроводниковой промышленности, а также для студентов старших курсов, специализирующихся как в области технологии полупроводниковых приборов, так и в области электрохимии. [13]
Развитие полупроводниковой электроники вызвало такую лавину фактов, идей и рекомендаций, за которой трудно угнаться самым активным любителям обобщений в техническом прогрессе, Это относится, в частности, к технологии полупроводниковых приборов, которая за период 1955 - 1960 гг. прошла путь от кустарных приемов до автоматизированных операций изготовления. Высокие темпы прогресса полупроводниковой электроники приводят к тому, что отечественные и зарубежные ученые не успевают создавать полноценные труды по вопросам производства полупроводниковых приборов. Попыткой частично ликвидировать этот пробел является выпуск настоящей книги, входящей в серию Полупроводниковые приборы и материалы и составленной из отдельных глав тт. [14]
Курс полупроводниковых приборов, ранее включавший в себя разделы от квантовой механики до технологии полупроводниковых приборов, читается в настоящее время в большинстве вузов в виде трех разделов: физика полупроводников, физика полупроводниковых приборов и технология полупроводниковых приборов. Поэтому в данной книге сочтено возможным начать изложение с материала, непосредственно относящегося к физике полупроводниковых приборов, учитывая, что с физикой полупроводников читатель может ознакомиться по вышедшим в последнее время книгам Физика полупроводников [ В. [15]