Cтраница 2
Пленки SiQ2, используемые в технологии полупроводниковых приборов, не должны содержать сквозных пор. Неудовлетворительная сплошность пленок часто является причиной технологического брака. Макродефекты структуры пленки обычно представляют собой поры, образующиеся при несовершенном росте окисла, границы кристаллов ( если стеклообразная пленка склонна к рекристаллизации); микротрещины, формирующиеся из-за несоответствия коэффициентов термического расширения подложки и пленки. Последние два вида макродефектов встречаются на относительно толстых пленках и могут быть устранены изменением технологического режима. Причиной порообразования могут быть определенные виды загрязнений и структурных дефектов на исходной поверхности кремния. Часто поры могут образовываться за счет окклюзии ( захвата) газов, а также при слиянии точечных дефектов ( вакансий) в кластеры. Как пассивирующее покрытие пленка также непригодна, потому что при этом не обеспечивается герметичность структуры. [16]
Пленки Si02, используемые в технологии полупроводниковых приборов, не должны содержать сквозных пор. Неудовлетворительная сплошность пленок часто является причиной технологического брака. Макродефекты структуры пленки обычно представляют собой поры, образующиеся при несовершенном росте окисла, границы кристаллов ( если стеклообразная пленка склонна к рекристаллизации); микротрещины, формирующиеся из-за несоответствия коэффициентов термического расширения подложки и пленки. Последние два вида макродефектов встречаются на относительно толстых пленках и могут быть устранены изменением технологического режима. Причиной порообразования могут быть определенные виды загрязнений и структурных дефектов на исходной поверхности кремния. Часто поры могут образовываться за счет окклюзии ( захвата) газов, а. Как пассивирующее покрытие пленка также непригодна, потому что при этом не обеспечивается герметичность структуры. [17]
Большинство технологических операций при изготовлении полупроводниковых приборов представляет собой различные виды обработки материалов. Следовательно, материаловедение полупроводников является основой и технологии полупроводниковых приборов. [18]
Наконец, очевидно, что в случае диффузии из паровой фазы можно поддерживать поверхностную концентрацию Ns ниже максимального ( равновесного) значения. Такая особенность является очень полезной с точки зрения технологии полупроводниковых приборов. Этот случай приведен на фиг. [19]
В гибридных интегральных схемах пассивные элементы и все соединения представляют собой пленки из различных материалов, нанесенные на стеклянную или керамическую подложку, а в качестве активных элементов применяют навесные дискретные полупроводниковые приборы. В таких схемах использованы преимущества пленочной технологии в сочетании с технологией полупроводниковых приборов. [20]
Решения уравнения диффузии для неограниченного (5.14) и полуограниченного тела (5.17), (5.18) позволяют получать распределения примесей при любых начальных условиях. Рассмотрим теперь решения уравнения диффузии для ряда граничных условий, представляющих наибольший интерес в технологии полупроводниковых приборов и ИМС, а также при исследовании процессов диффузии в полупроводниках. [21]
Она необходима для придания им строго цилиндрической формы и заданного диаметра, так как применяемое в технологии массовых полупроводниковых приборов основное и вспомогательное оборудование рассчитано на работу с монокристаллами наиболее распространенных полупроводников стандартного диаметра 60, 76 и 100 мм. [22]
Для синтеза тонких слоев химических соединений вблизи поверхности твердого тела иногда используют метод ионного внедрения одного из компонентов соединения с последующей кристаллизацией в процессе эпитаксиального отжига. Примерами служат образование слоя A1N на поверхности ос - А12О3 после имплантации азота или Si3N4 на поверхности Si. Применение ее в технологии полупроводниковых приборов ограничено. [23]
Невыпрямляющие контакты имеют очень большое значение в полупроводниковых приборах и при проведении исследований полупроводников. Основное назначение невыпрямляющих контактов - электрическое соединение полупроводника с металлическими токопроводящими частями полупроводникового прибора. Случаи отказов и производственного брака полупроводниковых приборов из-за невыпрямляющих контактов довольно часты. При разработке технологии полупроводниковых приборов создание совершенных невыпрямляющих контактов нередко требует больших усилий, чем создание / 7-п-переходов. [24]
Соединения углерода с фтором исключительно устойчивы. Это тяжелая, бесцветная, негорючая жидкость кипящая при 77 С, почти нерастворимая в воде. Не взаимодействует с солями, щелочами и кислотами. Не образует комплексных соединений. Хорошо растворяет жиры и смолы, поэтому применяется в технологии полупроводниковых приборов для очистки поверхности полупроводников и металлов от маслянистых загрязнений. Смешанные галиды углерода, например CC12F2 ( фреон), употребляются в холодильных установках в качестве хладоагентов. [25]
Соединения углерода с фтором исключительно устойчивы. Это тяжелая, бесцветная, негорючая жидкость, кипящая при 77 С, почти нерастворимая в воде. Не взаимодействует с солями, щелочами и кислотами. Не образует комплексных соединений. Хорошо растворяет жиры и смолы, поэтому применяется в технологии полупроводниковых приборов для очистки поверхности полупроводников и металлов от маслянистых загрязнений. Смешанные галогениды углерода, например CCloFj ( фреон), употребляют в холодильных установках в качестве хладоагентов. [26]