Изопланарная технология

Cтраница 1

Базовая схема 2И - НЕ микросхемы FAST. [1]

Изопланарная технология предусматривает изоляцию компонентов селективно выращенным слоем окисла в отличие от изоляции р - ооластями, свойственной пленарной технологии, и позволяет значительно сократить размеры компонентов и кристалла. Следует отметить, что из-за тонких слоев окисла и мелких диффузионных областей схемы типа FAST, как и указанные выше схемы ALS AS более чувствительны к повреждениям, вызванным электростатическими разрядами и требуют применения мер предосторожности. [2]

Базовая схема 2И - НЕ микросхемы FAST. [3]

Изопланарная технология предусматривает изоляцию компонентов селективно выращенным слоем окисла в отличие от изоляции р - областями, свойственной Планерной технологии, и позволяет значительно сократить размеры компонентов и кристалла. Следует отметить, что из-за тонких слоев окисла и мелких диффузионных областей схемы типа FAST, как и указанные выше схемы ALS, AS, более чувствительны к повреждениям, вызванным электростатическими разрядами и требуют применения мер предосторожности. Запрещается размещать эти схемы на непроводящих пластмассовых поверхностях, в пластмассовой таре, необходимо заземлять оборудование и самих работников, занятых монтажом и испытанием микросхем. [4]

Структура транзистора, полученного по изопланарной технологии. [5]

Изопланарная технология ( рис. 7.2) широко применяется при изготовлении БИС и СБИС, так как позволяет существенно уменьшить площадь транзистора и улучшить электрические характеристики. В качестве маски при выращивании толстого окисла используется нитрид кремния, имеющий значительно меньшую скорость окисления по сравнению с кремнием. [6]

Структура с эмиттерной стенкой ( а. структура с базовой стенкой ( б.| Изоляция V-образными канавками. 1 - поликремний. 2 - п-эпитак-сиальный слой. 3 - п - скрытый слой. [7]

При изопланарной технологии площадь элементов примерно в два раза меньше, чем при изоляции pn - переходом. Такие структуры называются структурами с эмиттерной и базовой стенками соответственно. [8]

Изопланарный транзистор с эпитакси-альной базой. [9]

Дополнительным достоинством изопланарной технологии изготовления элементов ИС является существенное увеличение процента выхода годных изделий. [10]

Технические характеристики транзисторов, изготовленных по изопланарной технологии, практически не уступают характеристикам транзисторов с аналогичной геометрией в дискретном исполнении. [11]

Последовательность основных технологических операций, используемых в изопланарной технологии, и структуру изопланарного транзистора поясняет рис. 3.5. В высокоомной подложке р - - типа локальной диффузией доноров формируют скрытый л - слой. Затем на всей поверхности пластины наращивают тонкий ( W. На полученную поверхность наносят слой нитрида кремния, из которого с помощью литографии формируют защитную мяску. Не закрытые маской области эпитакси-ального слоя подвергают травлению на глубину приблизительно 0 5 Wan. Локальным ионным легированием бором через маску создают противоканальные области р - типа, расположенные под вытравленными участками в подложке между скрытыми слоями п - типа сосед. [12]

На рис. 3.19 показана структура, созданная по изопланарной технологии и содержащая биполярный га-р-га транзистор VT1 и полевой транзистор VT2 с каналом / 7-типа. Конструкция биполярного транзистора аналогична приведенной на рис. 3.5. Истоком и стоком полевого транзистора служат области р - типа, получаемые ионным легированием бором одновременно с областью пассивной базы биполярного транзистора. Каналом является область / р-типа, создаваемая специальным легированием бором. Дозу легирования канала и энергию ионов подбирают таким образом, чтобы канал формировался на некотором удалении от поверхности, а над ним сохранялась область 2 га-типа, которая, как и расположенная под каналом область га-типа ( эпитаксиальный слой), выполняет функцию затвора. [13]

ТТЛ и ТТЛШ схемы изготовляются в виде полупроводниковых ИС методами пла-нарной и изопланарной технологии. [14]

Структура транзистора с диодом Шотки ( ДШ), изготовленного по изопланарной технологии, показана на рис. 3.8, а. В отличие от изо-планарного транзистора ( см. рис. 3.5, д) здесь базовое контактное отверстие расширено в сторону коллекторной области / г-типа. [15]

Страницы: 1 2