Изопланарная технология
Cтраница 2
Существенно лучшие технические характеристики по быстродействию реализуются в транзисторах, изготовляемых методами изопланарной технологии. Схематически конструкция изопланарного транзистора с двойной диффузией показана на рис. 3 - 2, в. В этом варианте на скрытой - области производится эпитаксиальное наращивание n - области коллектора, а база и эмиттер формируются соответственно за счет диффузии в эпитаксиальный слой примесей р-и л-типа. Другой вариант изопланарного транзистора представлен на рис. 3 - 29, на котором показаны реальные соотношения размеров отдельных элементов структуры. На п - области скрытого слоя коллектора в этом варианте выращивается эпитаксиальный р слой базы. Невыпрямляющий контакт с выводом базы создается за счет дополнительного легирования базы примесью р-ти-па. Для получения п - области эмиттера проводится диффузия донорной примеси. Формирование соединительных каналов между скрытым слоем л - типа и выводами коллекторов производится в обоих вариантах транзисторов глубокой га - диффузией сквозь эпитаксиальный слой. [16]
 |
СВЧ усилитель-умножитель. [17] |
Требуемые ВЧ усилительные свойства транзисторов и малая паразитная взаимосвязь между элементами достигаются за счет применения изопланарной технологии. Высокостабильный резистор между эмиттерами транзисторов T и Tz изготовляется из нихрома методом тонкопленочной технологии. Конденсатор для коррекции частотной характеристики выполняется по технологии МДП транзисторов. [18]
Однако, как это часто бывает на практике, эта осо-иенность полупроводниковых материалов нашла широкое применение при разработке изопланарной технологии. [19]
 |
Схема метода локальной эпитаксии. [20] |
В промышленной практике используются две группы методов, но базовыми технологиями являются среди методов изоляции р-п переходом технология разделяющей диффузии, а из всех технологических методов, использующих диэлектрическую изоляцию, - изоляцию с помощью V-канавки и изопланарная технология. [21]
 |
Неоднородные ЯС-структуры со ступенчатым ( а, б и плавным ( в, г изменением параметров. [22] |
СВЧ транзисторы, изготовленные в виде дискретных элементов, обладают еще лучшими характеристиками. При применении изопланарной технологии и ионного легирования граничные частоты таких транзисторов возрастают до 8 - 10 ГГц. Улучшение характеристик дискретных приборов, изготовленных по изопланарной технологии, происходит за счет исключения емкостей боковых стенок перехода коллектор - база и расположения контактных площадок над толстым окислом, что значительно уменьшает их емкость. [23]
На рис. 7.20, а, б показаны вид сверху части кристалла БИС, содержащей четыре ЛЭ, и поперечный разрез А-А соответственно. Кристалл БИС создают по изопланарной технологии. Структура содержит подложку / я - типа, эмиттерный слой 2 / г-типа, базовые области 3 р-типа, коллекторные области 4 п - типа, инжекторную область 5 9-типа и разделительные области 6 из диоксида кремния. Общий контакт к эмиттерным областям многих ЛЭ делают через подложку л - типа. К базовым, коллекторным и инжекторной областям создают омические контакты, обозначенные соответственно Б, К, И. [24]
 |
Структура элементов кристалла, сформированных модифицированным КИД-методом с применением толстого изолирующего слоя. [25] |
На рис. 2.6 приведена широко распространенная топология ячейки и схемотехническое изображение набора ее элементов. Такая ячейка может быть сформирована любым технологическим методом. Если используется эпитаксиально-планарная или изопланарная технология, то все резисторы не только ячейки, но и всей матрицы размещаются в одной изолированной области n - типа с высоколегированным поверхностным слоем л - типа. Коллекторные области транзисторов, формируемые из островков высокоомного эпитаксиального слоя я - типа, используются для изготовления диодов Шотки, фиксирующих напряжение открытых коллекторных переходов. [26]
Основным методом изоляции элементов современных биполярных микросхем является метод комбинированной изоляции, сочетающий изоляцию диэлектриком ( диоксидом кремния) и р-п переходом, смещенным в обратном направлении. Существует большое число конструктивно-технологических разновидностей биполярных микросхем с комбинированной изоляцией. Широкое распространение получили микросхемы, создаваемые по изопланарной технологии. [27]
СВЧ транзисторы, изготовленные в виде дискретных элементов, обладают еще лучшими характеристиками. При применении изопланарной технологии и ионного легирования граничные частоты таких транзисторов возрастают до 8 - 10 ГГц. Улучшение характеристик дискретных приборов, изготовленных по изопланарной технологии, происходит за счет исключения емкостей боковых стенок перехода коллектор - база и расположения контактных площадок над толстым окислом, что значительно уменьшает их емкость. [28]
Широкое распространение получили в вычислительной технике ЗУ статического и динамического типа, построенные на МДП транзисторах. Эти ЗУ по сравнению с ЗУ на биполярных транзисторах обладают рядом существенных преимуществ. Они значительно проще в изготовлении и требуют не более трех-четырех операций маскирования, тогда как для ЗУ на биполярных транзисторах требуется 5 - 7 таких операций. Стоимость МДП ЗУ в десятки раз меньше стоимости аналогичного по емко ти ЗУ на биполярных транзисторах. Максимальная емкость МДП ЗУ на одном кристалле, освоенных промышленностью, составляет 4096 бит; кроме того имеются разработка ЗУ на 8 и 16 килобит. Емкость ЗУ на биполярных транзисторах, изготовляемых методами изопланарной технологии составляет 1024 и 2048 бит. [29]
Страницы: 1 2