Современная технология - изготовление
Cтраница 1
Современная технология изготовления и обработки светочувствительных материалов не может быть осуществлена без широкого использования различных поверхностно-активных веществ. Количество поверхностно-активных веществ, используемое в фотохимическом производстве, невелико, однако требования к чистоте этих веществ и их поверхностной активности высоки и разнообразны. [1]
Современная технология изготовления ИМС позволяет выполнить весьма сложные электронные устройства в виде одной или нескольких ИМС. Такое техническое решение будет экономически выгодным, если данное устройство будет производиться массовыми сериями ( см. § 1.9), но, как правило, сложные специализированные устройства не требуется производить в большом числе экземпляров. Это противоречие между возможностями технологии и узкой специа-лизированностью сложных электронных устройств снимается при создании программируемых цифровых и логических устройств, которые рассматриваются в этом разделе. [2]
Современная технология изготовления конструкций из алюминиевых сплавов и большие успехи их широкого промышленного применения служат хорошей основой для создания и использования боралюминиевых композиционных материалов. [3]
Современная технология изготовления ПЗС позволяет получить времена релаксации, измеряемые минутами. Тем не менее в принципе ПЗС - прибор динамического типа, и долговременное хранение информации в нем невозможно. [4]
Современная технология изготовления деталей требует высокопроизводительных станков, которые имеются далеко не на всех предприятиях. Модернизацией старого оборудования можно во многих случаях получить очень нужный производству станок, который промышленностью пока не поставляется, или станок, покупка которого связана с затратами, не оправданными при данном объеме производства. [5]
Современная технология изготовления интегральных схем выдвигает требования воспроизведения размеров элементов в 1 и менее мкм на рабочем поле диаметром 50 - 80 мм. Реализация предельных параметров оптико-механического оборудования в фотолитографии в значительной степени зависит от конструктивных параметров системы фотошаблон - подложка, которые в свою очередь зависят от плоскостности фотошаблона и подложки и метода контактирования. [6]
Современная технология изготовления сварных конструкций базируется на совокупности различного рода взаимосвязанных операций, расположенных в определенной технологической последовательности. Как правило это правка, разметка, резка, гибка, вальцовка проката, сборка, сварка, термообработка узлов и конструкций и др. При этом на каждом этапе технологического передела могут возникать различные геометрические отклонения размеров заготовок и узлов, разрывы металла, дефекты сборки и сварки. [7]
 |
Эквивалентная схема полевого транзистора с изолированным затвором. [8] |
Современная технология изготовления полевых транзисторов позволяет выполнять транзисторы с очень малой длиной канала, достигающей десятков микрон. [9]
Современная технология изготовления вентиляционных систем сводится к сборке и монтажу на объекте этих систем из узлов и агрегатов, сделанных на заводах вентиляционных заготовок или в мастерских. [10]
Современная технология изготовления сварных конструкций базируется на совокупности различного рода взаимосвязанных операций, расположенных в определенной технологической последовательности. Как правило это правка, разметка, резка, гибка, вальцовка проката, сборка, сварка, термообработка узлов и конструкции и др. При этом на каждом этапе технологического передела могут возникать различные геометрические отклонения размеров заготовок и узлов, разрывы металла, дефекты сборки и сварки. [11]
Наиболее современной технологией изготовления полых изделий ( игрушек, детских мячей, различных емкостей для воды и пищевых продуктов, лодок и др. является ротационное формование, позволяющее в 2 раза уменьшить трудоемкость процесса. Этим методом перерабатывают жидкие пластизоли и почти все термопластичные порошкообразные материалы. [12]
Однако современная технология изготовления покрытий [51] позволяет надеяться, что такие зеркала вполне реальны. [14]
Хотя современная технология изготовления приборов на кремниевой основе и не решает вопроса равенства остаточных токов для транзисторов одной партии, а тем более одного типа, однако применение защитных окислов SiOa позволяет снизить остаточные токи в пла-нарных транзисторах до десятых и даже сотых долей наноампер. [15]
Страницы: 1 2 3 4