Планерная технология

Cтраница 1

Технологическая схема образования мезатранзистора. о -. заготовка после диффузии. б - шлифовка одной стороны пластины. в - напыление эмиттера и базового вывода. г - вплавление примесей и защита воском. д - транзистор. [1]

Планерная технология бурно развивалась в течение последних десяти лет и явилась основой совершенствования полупроводниковых приборов, а также интегральной электроники. Она имеет ряд существенных преимуществ, так как позволяет вводить примеси в локальные области. Эта технология использует ряд новых методов создания р - n - перехода: фотолитографию, локальную диффузию, защиту поверхности полупроводниковых пластин окислом. [2]

Планерная технология позволяет изготовлять как мощные, так и маломощные триоды. [3]

Планерная технология дает возможность получать триоды, сильно отличающиеся от описанных выше. Основными преимуществами могут быть названы следующие. [4]

Схема классификации транзисторов по структурам и тсхнологич. методам изготовления.| Конструкции сплавных транзисторов. а - маломощный ( холодносварнан конструкция. б - маломощный ( горячесиарная конструкция. в - мощный ( холодносварная конструкция. 1 - ПП - кристалл. 2 - корпус. 3 - электроды. 4-изоляторы. [5]

Планерная технология требует, однако, исключительно высокой точности проведения операций и поддержания режимов. С с точностью 0 5 С; точность совмещения иоследоват. [6]

Планерной технологии полупроводниковых микросхем, в произ-ве тонкоплеиочных гибридных схем, изделий пьезотехники, акустоэлектроники и др. ( нанесение проводящих, диэлектрических, защитных слоев, масок и др.), в оптике ( нанесение просветляющих, отражающих и др. покрытий), ограниченно-при металлизации пов-сти пластмассовых и стеклянных изделий, тонировании стекол автомобилей. [7]

Обычно изготовляется методами планерной технологии. [8]

Полупроводниковые ИС изготовляют по Планерной технологии, широко применяемой в производстве дискретных транзисторов. Основой планарной технологии является последовательное создание методом диффузии слоев р - и я-типа в объеме кремниевой подложки. [9]

Конструкции фотодиодов. а - ФД-2, б - ФД-3. [10]

Наряду с диффузионной технологией кремниевых фотодиодов стали применять Планерную технологию ( рис. 9.32 6), широко используемую при изготовлении других полупроводниковых приборов. Контакт к / 7-слою осуществлен напылением алюминия. К нему термокомпрессией подсоединен тонкий золотой электрод, соединяющийся с выводом фотодиода. Поверхность фотодиода защищена окисью кремния, являющейся также просветляющим слоем, повышающим чувствительность фотодиода. [11]

Базовая схема 2И - НЕ микросхемы FAST. [12]

Изопланарная технология предусматривает изоляцию компонентов селективно выращенным слоем окисла в отличие от изоляции р - областями, свойственной Планерной технологии, и позволяет значительно сократить размеры компонентов и кристалла. Следует отметить, что из-за тонких слоев окисла и мелких диффузионных областей схемы типа FAST, как и указанные выше схемы ALS, AS, более чувствительны к повреждениям, вызванным электростатическими разрядами и требуют применения мер предосторожности. Запрещается размещать эти схемы на непроводящих пластмассовых поверхностях, в пластмассовой таре, необходимо заземлять оборудование и самих работников, занятых монтажом и испытанием микросхем. [13]

Устройство ( а и энергетическая диаграмма ( б фотодиода с барьером Шоттки. [14]

На рис. 14 - 18 показано устройство кремниевого лавинного фотодиода с р - n переходом, изготовленного методами Планерной технологии, а также платиново-кремниевого фотодиода с барьером Шоттки. [15]

Страницы: 1 2