Cтраница 2
Для изготовления дрейфовых транзисторов используется также пленарная технология. В Планерной технологии 4 широко применяемой при производстве интегральных схем, области базы и эмиттера в исходной пластине создают методом локальной диффузии. Исходная пластина re - кремния предварительно окисляется; на ее поверхности формируется тонкая пленка двуокиси кремния Si02, обладающая свойствами диэлектрика и стойкая к воздействиям окружающей среды и многих химических веществ. [16]
Существует много методов окисления. В Планерной технологии окисление производят по методу термического окисления в однозонных диффузионных печах при температуре 950 - 1200 1 С. Кремниевые пластины загружают в лодочку из чистого кварца и помещают в реакционную трубу, изготовленную из особочистого кварца. В реакционную трубу подают поток сухого или увлажненного кислорода. [17]
Для изготовления дрейфовых транзисторов используется также пленарная технология. В Планерной технологии 4 широко применяемой при производстве интегральных схем, области базы и эмиттера в исходной пластине создают методом локальной диффузии. Исходная пластина re - кремния предварительно окисляется; на ее поверхности формируется тонкая пленка двуокиси кремния Si02, обладающая свойствами диэлектрика и стойкая к воздействиям окружающей среды и многих химических веществ. [18]
Метод последовательной диффузии позволяет регулировать толщину диффузионных слоев с точностью до десятых долей микрона. Кроме того, благодаря Планерной технологии и применению специальных шаблонов, удается получить более выгодное соотношение между размерами областей полевых приборов. [19]
Под этим я подразумеваю Планерную технологию изготовления транзисторов, получившую очень широкое распространение, так как она позволяет подготовить на одном монокристалле тысячи штук транзисторов за один технологический цикл. Эти транзисторы позволяют также усиливать высокие частоты и получать значительные мощности. [20]
В полупроводниковых монолитных интегральных микросхемах все элементы ( активные и пассивные) реализуются на основе биполярных и МДП-транзисторных структур. МДП - интегральные микросхемы, изготовляемые по Планерной технологии. Каждая локальная область, выполняющая функции конкретного элемента, требует изоляции от других. Соединения между элементами согласно электрической схеме обычно выполняют с помощью напыленных а поверхность полупроводникового кристалла ме-таллических проводников. Такой кристалл заключается в герметизированный корпус и имеет систему выводов для практического использования микросхемы. [21]
Из кремниевых транзисторов лучшими параметрами и характеристиками для работы в микроамперном диапазоне токов обладают приборы, изготовленные по Планерной технологии методом двойной диффузии. [22]
Нижний предел длины канала ограничен технологией изготовления. Обычно для изготовления полевых транзисторов с изолированным затвором применяют Планерную технологию и метод фотолитографии, разрешающая способность которого не позволяет получать длину канала меньше 3 - 4 мкм. [23]