Микроэлектронная технология

Cтраница 1

Микроэлектронная технология уже в середине 70 - х годов позволила создать микроЭВМ, по параметрам сравнимые с мини ЭВМ и программно совместимые с ними. [1]

Сегодня микроэлектронная технология открывает новые намного более удобные пути решения задач, связанных с обработкой информации, которые в течение многих десятков, а если принять в расчет часовой механизм, то и сотен лет, решались другими способами. [2]

Достижения микроэлектронной технологии позволили значительно расширить возможности всех классов электронных вычислительных машин. Так, разработаны новые микропроцессорные вычислительные средства, являющиеся основой микроЭВМ и персональных ЭВМ. [3]

В микроэлектронной технологии применяют аэрозольную обработку. Аэрозолями называют взвеси твердых пылевидных частиц в газовой среде. [4]

Развитие микроэлектронной технологии позволит в недалеком будущем на одном кристалле создать микро - ЭВМ с параметрами мини - ЭВМ. [5]

Благодаря достижениям микроэлектронной технологии в микропроцессорах удается разместить сложнейшую схему - главный блок миниатюрной ЭВМ, выполняющей практически неограниченное ( до нескольких миллионов) число операций в секунду. Еще несколько подобных кристаллов образуют оперативную память емкостью в сотни тысяч машинных слов. Соединив такие микросхемы с устройствами ввода и вывода информации, формируют микро - ЭВМ, способную решать сложные задачи управления. Применение микропроцессоров существенно дешевле тех средств вычислительной техники, которые использовались до появления микро - ЭВМ. [6]

Благодаря успехам микроэлектронной технологии длина канала полевых транзисторов и толщина базы биполярных транзисторов стали соизмеримы со средней длиной свободного пробега носителей, то есть носители перемещаются в пределах канала или базы почти без рассеяния. [7]

Основное достоинство микроэлектронной технологии - групповые интегральные методы технологии, основанные на локально-структурных преобразованиях полупроводникового материала: в одном технологическом цикле на кристалле изготовляются не только все ( или почти все) элементы интегральных микросхем ( диоды, транзисторы, резисторы, конденсаторы), электрические соединения элементов, но и множество ИМС одновременно. [8]

С развитием микроэлектронной технологии все большее распространение получают интегральные усилители МДМ, выполненные на одном кристалле. Примером такого усилителя МДМ является микросхема типа К140УД13 на МДП-транзисторах с индуцированным р-каналом. Микросхема включает в себя модулятор, демодулятор, усилитель переменного тока и внутренний генератор прямоугольных импульсов. [9]

Бурное развитие микроэлектронной технологии, высокие требования по надежности, расширение функциональных возможностей вычислительной техники, а также уменьшение параметра стоимость / производительность при применении параллельно работающих компьютеров привели к созданию новых по архитектуре систем. По многочисленным практическим причинам, в частности географическому распределению, модульности и другим, основой построения стали распределенные системы ( PC), в которых элементы процессор память могут взаимодействовать, обмениваться сообщениями или работать в автономном режиме. [10]

Схема термовакуумного осаждения тонких пленок. [11]

Электролитическое осаждение в микроэлектронной технологии применяется для покрытия ( никелирования) биметаллических свободных масок и при наращивании толщины пленок с целью увеличения их проводимости, например, при создании структур СВЧ ИС. [12]

И именно прогресс микроэлектронной технологии открыл реальный путь к созданию компьютеров пятого поколения. В этом поколении элементной базой являются микропроцессоры. [13]

Исходя из специфики микроэлектронной технологии, можно предположить, что в микроэлектронных СВЧ-устройствах будут, в основном, использоваться плоские замедляющие системы, расположенные на диэлектрической подложке вблизи одной из стенок полосковой линии или прямоугольного волновода. Минимальная длина волны Хт [ п в этом случае определяется из условия, что на поперечной длине ячейки замедляющей системы w укладывается четверть длины волны: Ат п 4ад, при этом в ячейках замедляющей системы возникает резонанс, который соответствует верхней ( по частоте) границе полосы пропускания. Тем не менее, слишком далеко уходить от верхней границы полосы не имеет смысла, так как при этом в области, занятой пучком, сопротивление связи значительно уменьшается. [14]

Серьезные задачи перед микроэлектронной технологией ставит необходимость изготовления ИС со степенью интеграции отдельных элементов от 106 до 107 и даже больше при размере структур менее 1 мкм, что неизбежно при таком уровне плотности элементов. На это накладываются проблемы, связанные непосредственно с функционированием самого элемента. [15]

Страницы: 1 2 3 4