Микроэлектронная технология

Cтраница 2

Схема рентгеновской литографии. Излучение рентгеновского источннка 1 с размером излучающей области d попадает на рентгеношаблон, расположенный на расстоянии L от него и состоящий ив прозрачной для излучения мембраны г и сильнопоглощающего покрытия з, в к-ром сформирован рисунок. Пройдя черев свободные от маскирующего покрытия участки шаблона, излучение экспонирует пленку резиста 4, покрывающую поверхность подложки S. S - расстояние между шаблоном в подложкой.| Зависимость дифракционного и фотовлентронно - Л11 го пределов разрешения от X. Дифракционное размытие приведено для величин заао-ров 1 и 25 мкм, а также для случая контактного экспонирования - прямые 1, а я з соответственно. 4 - зависимость эффективного пробега фотоэлектронов в органическом резнете. пунктирная кривая - участок аналогичной зависимости пля резиста, в состав которого для увеличения поглощения излучения введены атомы кремния. Вблизи скачков поглощения ход зависимости немонотонен, что связано с резким изменением энергетического спектра фото - и оже-электронов...| Зависимость коэффициента поглощения рентгеновского излучения материалами, используемыми для изготовления рентгеношаблонов, и стандартного резиста ПМИА от X. [16]

РЕНТГЕНОВСКАЯ ЛИТОГРАФИЯ - метод микроэлектронной технологии, заключающийся в формировании с субмикронным разрешением защитной маски заданного профиля на поверхности подложки; осуществляется при помощи рентг. [17]

В связи с достижениями микроэлектронной технологии начинают широко использоваться матричные приборы в виде линеек или пластин из полупроводниковых элементов с упорядоченным расположением выводов и приборы с зарядовой связью. Эти приборы служат базой для аппаратуры оптического неразрушающего контроля, воспринимающей оптические сигналы в пространстве путем квантования их и последующей дискретной обработки. На их основе строятся также твердотельные аналоги электронно-лучевых вакуумных трубок, позволяющие получить электрические сигналы о распределении освещенности в пространстве. [18]

Схема полупроводникового триода типа п - р - п. [19]

Недолгая, но динамичная жизнь микроэлектронной технологии богата переменами. И каждый новый этап предъявляет все более высокие требования к чистоте и однородности материалов. [20]

Технология изготовления светодиодов близка к стандартной микроэлектронной технологии. [21]

Отечественные МПК БИС базируются на различных микроэлектронных технологиях. Комплект БИС серии К536 изготовляют по р - МОП-технологии. МПК К589, КР1802, КР1804 реализованы по технологии ТТЛШ. Серия К1800 построена по ЭСЛ-технологии. [22]

Для производства этих резисторов была применена микроэлектронная технология. [23]

Возможности однокристальных микропроцессоров определяются уровнем развития микроэлектронной технологии. Для увеличения производительности процессоров, иногда используют секционные многокристальные микропроцессоры. Многокристальные МП получаются в том случае, когда производится разделение логической схемы процессора на отдельные функционально законченные части, каждая из которых реализуется в виде отдельной интегральной схемы. [24]

Основой производства ИС и последующего развития микроэлектронной технологии явилась планарная технология, идея которой заключается в последовательном изготовлении слоев с заданным рисунком из материалов с различными электрическими свойствами. [25]

Твердотельный - полупроводниковый; выполненный на основе микроэлектронной технологии. [26]

Появление в 1971 г. процессоров, изготовленных методом микроэлектронной технологии на одном или более кристаллов Большой интегральной схемы ( БИС), получивших название микропроцессоров ( МП) и полупроводниковой памяти, активно повлияло на структуру и методы построения приборов и средств автоматизации. Микропроцессорные средства в области автоматизации обладают, с одной стороны, всеми свойствами и преимуществами вычислительной техники, с другой, по многим свойствам приближаются к аналоговым децентрализованным средствам. [27]

Фирма Интел является признанным лидером и крупнейшим представителем микроэлектронной технологии. В недавнем объявлении фирма заверяет, что начиная с 1971 г. она ответственна за все важнейшие технологические достижения в развитии микроэлектроники. Это лаконичное заявление для большинства из нас должно послужить серьезным вызовом, поскольку если это действительно так, то специалисты по вычислчтельной технике должны как можно скорее ознакомиться с этой системой, с тем чтобы найти пути для ее применения. [28]

СП. - 2-схема И-ИЛИ.| Логическая схема И-ИЛИ, выполняющая функцию переноса. [29]

Диодно-транзисторные интегральные схемы были наиболее важным достижением в микроэлектронной технологии середины 60 - х годов. На смену им пришли более совершенные ИС транзисторно-транзисторной логики. [30]

Страницы: 1 2 3 4