Другой тип - проводимость
Cтраница 1
Другой тип проводимости изучен Фервейем на различных соединениях элементов переходных групп. Простейшим примером может служить соединение Fe304, ы котором можно предполагать наличие как двухвалентных, так и трехвалентных ионов железа, чередующихся в определенных кристаллографических направлениях. Под влиянием теплового движения электроны этих ионов обмениваются местами, причем трехвалентный ион становится двухвалентным и наоборот. Такой переход не изменяет общей энергии, но может потребовать некоторой энергии & Е возбуждения. [1]
Транзисторы другого типа проводимости применяются лишь как вспомогательные, что облегчает реализацию таких схем при существующем ассортименте отечественных транзисторов. [2]
Посмотрим теперь, как образуются те и другие типы проводимости в полупроводниках. [3]
В обозначениях типов структур индекс соответствует увеличению уровня легирования относительно некоторого уровня п, индекс - характеризует другой тип проводимости, индекс - полуизолирующий материал. [5]
Принцип получения электронно-дырочных переходов методом сплавления состоит в создании в полупроводнике одного типа проводимости области, обладающей другим типом проводимости, для чего в полупроводник вплавляют ( или с полупроводником сплавляют) какой-либо элемент III или V группы периодической таблицы Менделеева. Сплавление полупроводника может производиться не с одним, а с несколькими элементами, образующими сплав. [6]
При этом наращиваемый слой - точное продолжение монокристаллической структуры исходного кристалла р и может иметь тот же или другой тип проводимости, в результате чего можно получить очень резкий п-р-переход. [7]
Диффузионный метод состоит в использовании явления диффузии примеси в виде паров или слоя, нанесенного на поверхность, в кремний с другим типом проводимости. Поверхности диода, находящиеся в непосредственном контакте с металлическими электродами, металлизируются путем химического осаждения никеля или другого металла. [9]
Если поверхность зерен имеет другой тип проводимости, чем середина ( вследствие адсорбции примесей на поверхности), то контакт двух зерен представляет собой два встречно включенных р-га-перехода. Ток в такой цепи равен току отдельно взятого диода, который включен в обратном направлении. [10]
Концентрацию примеси в эпитаксиальной пленке можно измерить с помощью четырехзондового метода, если подложка и пленка имеют различные типы проводимости. Однако измерение сопротивления в эпитаксиальных пленках кремния, полученных на низкоомных подложках другого типа проводимости, четырех-зондовым методом должно производиться при не очень больших токах. При малых токах сопротивление эпитаксиальной пленки не имеет токовой зависимости, затем следует пик, выраженный тем сильнее, чем больше удельное сопротивление, и, наконец, про. [11]
В этом стабилизаторе многокаскадный усилитель постоянного тока построен на транзисторах р-п - р и и-р-га-типа. Для получения максимального усиления по току усилителя в качестве коллекторного сопротивления выходного каскада УПТ ( Tt) используется транзистор Т3 другого типа проводимости. [12]
 |
Включение кристаллического триода. [13] |
Полупроводниковые триоды с тремя электродами называют кристаллическими триодами или транзисторами. Для получения таких триодов используют действие двух запирающих слоев, образованных двумя полупроводниками одинаковой проводимости, разделенными третьим полупроводником с другим типом проводимости. При этом возможные переходы п - р - п или р - п - р определяют два различных типа кристаллических триодов. [14]
Основным элементом полупроводниковых приборов является р-п-пе-реход, который представляет собой тонкий слой на границе раздела двух полупроводников различного типа электропроводности. Так как в одной области полупроводника ( п) имеется большая концентрация электронов, а в другой ( р) - дырок, возникает их диффузия в области с другим типом проводимости. Встречная диффузия электронов и дырок приводит к тому, что вблизи границы раздела я-область заряжается положительно, а р-область - отрицательно. Возникает двойной заряженный слой ( типичная толщина слоя около 0 1 мкм), поле которого направлено от n - области к р-области и препятствует дальнейшей диффузии носителей. Наличие контактного поля приводит к тому, что энергия электронов возрастает в р-обла-сти, а энергия дырок возрастает в я-области. В области р-я-перехода возникает искривление энергетических зон и образуются потенциальные барьеры как для электронов, так и для дырок. Потенциальные барьеры способствуют уходу из соответствующих областей неосновных носителей. [15]
Страницы: 1 2