Другой тип - проводимость
Cтраница 2
Водород превращает тетрахлорид в кремний, осаждающийся на подложке. Обычно эпитаксиальный слой имеет меньшую удельную проводимость, чем подложка, и другой тип проводимости. Это достигается за счет введения в атмосферу тетрахлорида и водорода соответствующей примеси. [16]
При изготовлении электронно-дырочных переходов методом диффузии примесей процесс диффузии зависит от концентрации примесей, температуры, типа полупроводникового материала и диффузанта, а также от продолжительности процесса. Принцип образования электронно-дырочных переходов методом диффузии примесей основан на создании в полупроводнике одного типа проводимости другого типа проводимости вследствие диффузии примеси в полупроводник. [17]
Другим важным фактором является возможность использования МОП-транзисторной структуры для создания всех необходимых элементов вплоть до изоляции. Для этого используются переходы эмиттер - база или коллектор - база МОП-транзисторов, работающих в соответствующих режимах. Например, простой способ получения изоляции заключается в создании нескольких областей одного типа проводимости на пластине другого типа проводимости. На пластину подложки подается соответствующее напряжение по отношению к остальной части схемы, запирающее переходы. Наконец, МОП-схемы потребляют меньше мощности, следовательно, выделяют меньше тепла, что позволяет осуществить их более плотную упаковку. [18]
Другим важным фактором является возможность использования МОП-транзисторной структуры для создания всех необходимых элементов вплоть до изоляции. Для этого используются переходы эмиттер - база или коллектор - база МОП-транзисторов, работающих в соответствующих режимах. Например, простой способ получения изоляции заключается в создании нескольких областей одного типа проводимости на пластине другого типа проводимости. На пластину подложки подается соответствющее напряжение по отношению к остальной части схемы, запирающее переходы. Наконец, МОП-схемы потребляют меньше мощности, следовательно, выделяют меньше тепла, что позволяет осуществить их более плотную упаковку. [19]
Другим важным фактором является возможность использования МОП-транзисторной структуры для создания всех необходимых элементов йпяоть до изоляции. Для этого используются переходы эмиттер - база или коллектор - база МОП-транзисторов, работающих в соответствующих режимах. Например, простой способ получения изоляции заключается в создании нескольких областей одного типа проводимости на пластине другого типа проводимости. На пластину подложки подается соответствующее напряжение по отношению к остальной части схемы, запирающее переходы. [20]
Таким путем получаются так называемые плоскостные диоды и триоды. Кроме того, существуют еще точечные диоды и триоды, в которых используются точечные контакты между тонкими металлическими проволоками и кристаллом германия. Кристалл германия имеет один тип проводимости, а на его поверхности в местах соприкосновения с контактными проволочками образуются участки с другим типом проводимости. [21]
При получении эпитаксиальных слоев одного типа проводимости расплав может быть использован многократно, что снижает удельный расход металлов-растворителей. Для этого его подпитывают летучим компонентом, подаваемым к поверхности расплава в элементарной форме или в виде соединений, например фосфина. При создании в одном технологическом цикле структуры, состоящей из двух слоев разного типа проводимости, после наращивания первого слоя, легированного, например, донорной примесью ( теллуром), подложки извлекают из расплава, который перекомпенсируют, легируя примесью другого типа проводимости, например цинком. Его подают к поверхности расплава в элементарной форме или в виде газообразного соединения, например диэтилцинка. [22]
Диод нельзя получить путем наложе - ния одного слоя на другой, так как при этом слои будут всегда разделены пленками окислов и воздушными включениями. Для изготовления диодов применяются сплавной и диффузионный методы. Сплавной метод состоит в том, что на поверхности кремния с одним типом проводимости расплавляется металл или сплав, который сообщает прилегающему слою кремния противоположный тип проводимости. Диффузионный метод состоит в использовании явления диффузии примеси в виде паров или слоя, нанесенного на поверхность, в кремний с другим типом проводимости. Поверхности диода, находящиеся в непосредственном контакте с металлическими электродами, металлизируются путем химического осаждения никеля или другого металла. [23]
При перескакивании электронов в зону проводимости достигается одновременно два эффекта. С другой стороны, в зоне проводимости появятся свободные электроны. Первый эффект характеризуется как дырочная проводимость, а второй - как электронная проводимость полупроводников. В описаниях полупроводник дырочной и электронной проводимости занимает одну и ту же ступень: сколько электронов оказалось в зоне проводимости, столько и дырок появилось в валентной зоне. У других полупроводников может преобладать один или другой тип проводимости. Это сложный вопрос, которым пока нам не стоит заниматься. [24]
 |
Бестрансформаторный двухтактный усилитель низкой частоты на транзисторах с проводимостью разного типа. [25] |
На рис. 1.15 показана схема двухтактного усилителя на двух транзисторах с проводимостью разного типа. В этой схеме транзистор Tj не является фазоинвертором, поскольку с его выхода на базовые входы транзисторов Т2 и Т3 подаются сигналы одной и той же фазы и полярности. Предположим, что на входы транзисторов поступает положительная полуволна сигнала. Положительный входной сигнал увеличивает прямое смещение транзистора Г2 и - р - л-типа, а следовательно, и его проводимость. Прямое же смещение транзистора Т3 и его проводимость при этом уменьшаются, поскольку это транзистор с другим типом проводимости. [26]
Страницы: 1 2