Cтраница 2
![]() |
Структурная схема. [16] |
Измерение параметров, существенно влияющих на процесс регулирования, производится с помощью первичных приборов 1, которые, кроме того, преобразуют изменение параметра любой физической природы в электрический сигнал. Типы первичных приборов и их количества определяются назначением регуляторов. [17]
Измерение параметров производится с помощью вышеуказанной аппаратуры. Снятие паспортных характеристик должно выполняться в режиме короткого замыкания при номинальном напряжении питающей сети и неизменных размерах вторичного контура машин. [18]
![]() |
Схема измерения обратного тока полупроводникового диода.| Схема измерения обратного тока коллекторного перехода / к о. [19] |
Измерение параметров часто производят на низких частотах - порядка 200 - 400 гц, источниками колебаний которых являются встроенные транзисторные генераторы; результаты таких измерений дают активные составляющие параметров, что для многих практических случаев оказывается достаточным. Для испытаний транзисторов на высоких частотах обычно используются внешние высокочастотные генераторы; при этом измеряют коэффициент; или р1, емкость коллекторного перехода Ск, объемное сопротивление базы гб или постоянную времени коллекторной цепи гб Ск. Значения переменных составляющих токов определяются посредством измерения падений напряжений на калиброванных резисторах небольшого сопротивления, включенных в цепи этих токов, при помощи встроенного транзисторного милливольтметра с большим входным сопротивлением. Для испытания транзисторов различных типов предусматривают переключатель р-п - р - п-р - п, позволяющий изменять полярность напряжений на электродах проверяемого транзистора и полярность включения измерителя постоянного тока. [20]
Измерение параметров, характеризующих кинематическую точность, принципиально не отличается от измерения этих же параметров применительно к червячной цилиндрической передаче. [21]
Измерение параметров антифрикционное направляющих. [22]
Измерение параметров производится аналогично измерениям на высоконапорном стенде. [23]
![]() |
Блок-схема электроаналоговой модели поршневой компрессор-установки. [24] |
Измерения параметров в модели производятся с помощью электронных осциллографов, которые позволяют наблюдать пульсацию напряжения ( давления) во всасывающей и нагнетательной линиях. [25]
Измерение параметров диодов должно производиться на установках и по методикам, исключающим их электрические и механические повреждения. При этом за основу должны быть взяты схемы и методики, рекомендуемые соответствующими техническими условиями. [26]
Измерение параметров Rz и Ra на одной и той же поверхности с помощью профилографа-профилометра модели 201 и двойного микроскопа МИС-11 показали практически полную сходимость результатов, поэтому для измерения шероховатости поверхности ВКПМ можно рекомендовать любое из имеющихся измерительных средств. [27]
Измерение параметров линий ( трактов) с распределенными постоянными с помощью измерительной линии и круговой диаграммы трудоемко, особенно в том случае, когда нужно определить функциональную зависимость КСВН и полного сопротивления нагрузки от частоты. [28]
Измерения параметров G и G0 показали, что независимо от величины тока через диод и частоты измерения в выбранном диапазоне величина п, характеризующая дробовой шум, должна равняться единице, что подтверждается экспериментом. [29]
![]() |
К определению коэффициента усиления пентода. [30] |