Запираемый тиристор

Cтраница 3

Одним из основных параметров запираемых тиристоров является коэффициент запирания. [31]

Относительно перспектив развития мощных запираемых тиристоров можно заметить, что в недалеком будущем следует ожидать существенного улучшения основных параметров приборов. По имеющимся сведениям [111] уже в настоящее время некоторые зарубежные фирмы, в частности японская фирма Тосиба [75], имеют образцы мощного запираемого тиристора на напряжение 2500 В и ток 600 А. Получены также экспериментальные данные, свидетельствующие о возможности повышения коэффициента запирания К до значений 10 - 15 при высоком рабочем напряжении. [32]

Схемы ждущих мультивибраторов, не потребляющие тока в ждущем состоянии. [33]

С-цепь подключена к катоду запираемого тиристора ЗТ. [34]

По этой причине в запираемых тиристорах используют технологическую шунтировку только анодного перехода, так как он является эмиттерным переходом транзистора с наименьшими усилительными свойствами. [35]

В отличие от биполярных транзисторов запираемые тиристоры имеют более высокий коэффициент усиления по току включения. Возможно выполнение прибора одновременно на большой ток и высокое напряжение. Однако запираемые тиристоры имеют меньший коэффициент усиления по току выключения; кроме того, у них отсутствует ограничение по анодному току после включения, что снижает возможности применения. [36]

Поэтому, используя ценные свойства запираемых тиристоров, можно проектировать на их основе ряд схем и устройств, которые качественно отличаются от ранее разработанных. [37]

Приведенные в [15, 32, 35] данные по запираемым тиристорам получены без использования снаббера, что, естественно, уменьшает значение выключаемого тока. [38]

Рассмотрены разновидности тиристоров: симисторы, запираемые тиристоры, тиристоры-диоды. [39]

Физические процессы, протекающие в структурах запираемых тиристоров, ао многом аналогичны уже рассмотренным для одноопера-ционного прибора. Исключение составляет процесс прерывания анодного тока отрицательным током управления. При достаточной амплитуде и длительности запирающего тока, а также равномерности его распределения по однородным ячейкам избыточная концентрация неосновных носителей первоначально снижается до нуля вблизи центрального перехода структуры. При этом коллекторные переходы обоих транзисторов одновременно смещаются в обратном направлении, воспринимая часть внешнего анодного напряжения. Так как оба транзистора начинают работать в активном режиме, в структуре возникает положительная обратная связь при отрицательном базовом токе в л-р-л-транзисторе Вследствие лавинообразного уменьшения зарядов в базовых областях анодный ток тиристора начинает регенеративно снижаться. [40]

Зависимость выключаемого тока от напряжения для запираемых тиристоров необходимо учитывать при их применении в мощных электрических цепях с индуктивной нагрузкой. Всплеск напряжения, возникающий в цепи из-за резкого прерывания большого тока, затрудняет процесс выключения запираемых тиристоров. [41]

Следует также отметить, что в запираемых тиристорах остаточные напряжения, как правило, несколько выше, чем в одинаковых с ними по мощности обычных тиристорах. Это связано с тем, что их конструкция и свойства слоев выбраны так, чтобы заряд носителей, накапливаемый в базах при протекании прямого тока, был минимальным, а с понижением концентрации носителей - ниже определенного уровня ( примерно 1016 см-3), начиная с которого электронно-дырочное рассеяние становится несущественным, растет падение напряжения на толще базовых слоев. Кроме того, уменьшение концентрации носителей заряда в базах приводит к снижению степени насыщения коллекторного перехода. Так, например, эксперименты показывают [20], что в структурах с остаточными напряжениями в несколько вольт ( 3 В и более) на коллекторном переходе может иметь место и обратное смещение. Однако ненасыщающиеся структуры не представляют практического интереса, и поэтому их вольт-амперная характеристика здесь не рассматривается. [42]

Рассмотрим ряд схем и устройств, использующих запираемые тиристоры. [43]

Схема однофазного мостового инвертора ( а и временные диаграммы его работы ( б. [44]

Таким полностью управляемым вентилем является транзистор, запираемый тиристор или незапираемый тиристор со специальным коммутирующим узлом. [45]

Страницы: 1 2 3 4