Запираемый тиристор

Cтраница 4

При таких же плотностях тока работают и запираемые тиристоры. Однако при выключении запираемых тиристоров имеет место ситуация, когда площадь включенного состояния со временем уменьшается и плотность тока возрастает. В этом случае высокий уровень инжекции может достигаться в обеих базах. Однако выключение - достаточно быстрый процесс, и состояние с высоким уровнем инжекции в обеих базах длится кратковременно, в течение нескольких микросекунд. [46]

Эквивалентная схема к расчету процессов включения и отключения запираемого тиристора. [47]

При некотором значении тока в управляющей цепи запираемого тиристора концентрация неосновных носителей у центрального p - n - перехода может достичь нуля, переход при этом перейдет в ненасыщенное, обратно-смещенное состояние, и ЗТ закроется. [48]

Тиристорные контакторы постоянного тока. [49]

В связи с появлением в последнее время запираемых тиристоров разработаны контакторы постоянного тока, в которых узлы конденсаторной коммутации отсутствуют. Однако такие тиристоры пока что применимы при относительно небольших токах. [50]

Схема формирователя [ IMAGE ] Схема формирователя.| Схема управляющей цепи триодного тиристора с отрицательным импульсным смещением. [51]

Простейшая схема управления включением и выключением для запираемого тиристора приведена на рис. 40, а. Управление такой схемой от обычного источника отрицательных импульсов может быть осуществлено, если параметры цепи Rl vi С рассчитать как элементы дифференцирующего звена. При форме управляющего импульса, близкой к прямоугольной, схема рассматриваемого типа работоспособна до частоты более десятка килогерц. [52]

Предельная мощность, которая может быть переключена запираемым тиристором, определяется целым рядом факторов: геометрическими и электрофизическими параметрами слоев структуры, частотой переключения, рабочим напряжением и др. Учет этих факторов позволяет создавать оптимальную конструкцию р - п - р - n - структур и выбирать оптимальный режим их работы. Рассмотрим зависимость переключаемой мощности от некоторых, наиболее важных факторов. [53]

Кратковременно ( в течение 5 мксек) этот запираемый тиристор выдерживает прямоугольный импульс тока, равный 5 а. Необходимое напряжение управления для отпирания не превышает 5 в при токе управления не более 240 ма. Для запирания такого тиристора необходим более мощный импульс при напряжении не выше 20 в и токе не более 400 ма. Мощность импульса управления при отпирании этого элемента не превышает 3 вт, а при запирании - 20 вт. Элемент способен работать при температуре от - 65 до 100 С. [54]

Поэтому понятен интерес, вызванный появлением так называемых запираемых тиристоров, которые можно не только отпереть, но и запереть. [55]

Способ выключения импульсом тока управления применим только для запираемых тиристоров, имеющих такую конструкцию структуры, в которой ток управления эффективно воздействует на все участки токопроводящей области. Предельная переключаемая мощность прибора определяется той максимальной энергией потерь, выделяемой на этом участке, которая еще не приводит к разрушению кристалла полупроводника. Повышением выключающего базового тока можно несколько уменьшить тепловыделение при выключении за счет более быстрого вывода заряда из базовых слоев структуры. Однако допустимое значение выключающего тока также ограничено, так как если потенциал, появляющийся на базе от протекания этого тока, превысит напряжение пробоя эмиттерного перехода, то дальнейшее увеличение тока управления становится бесполезным. [56]

С появлением диодных, триодных и, наконец, запираемых тиристоров открываются качественно новые возможности в развитии коммутационной техники. Значительные преимущества имеют выполненные на тиристорах бесконтактные коммутационные устройства, способные коммутировать значительные напряжения и токи. [57]

При создании высоковольтных ( более 4.5 кВ) структур запираемых тиристоров ( как GTO, так и GCT) используют некоторую модификацию базовых ячеек. Данные изменения рассмотрим на примере структуры, представленной на 2.57. Для предотвращения эффектов сжатия плазмы анодного тока в р-базе высоковольтного тиристора создают специальную конструкцию с утопленным управляющим электродом. Кроме того, используют так называемую рл vpn - структуру расположения слоев, в которой в прианодную часть гГ - базы вводится дополнительный высоколегированный л - слой, называемый буферным. Данная структура позволяет при сохранении высоких пробивных напряжений значительно снизить толщину исходной полупроводниковой пластины. Более тонкий кристалл обеспечивает снижение прямого напряжения в открытом состоянии. [58]

Показан характер влияния токов шунтов эмиттерных переходов на свойства запираемых тиристоров. [59]

Страницы: 1 2 3 4