Ток - диффузия
Cтраница 1
 |
Зависимость удельной проводимости от температуры. [1] |
Ток диффузии возникает в результате диффузионного перемещения электронов и дырок, обусловленного различием в концентрациях носителей заряда в соседних областях. Выше было показано, что инже кция ведет к возрастанию концентрации носителей заряда в полупроводнике, а экстракция - к уменьшению концентрации. При этом увеличивается концентрация электронов на левом конце полупроводника и уменьшается их концентрация на правом конце ( рис. 9.146), что ведет к возникновению диффузии электронов в направлении слева направо. [2]
Величина тока Диффузии также отклоняется от своего нормального значения, если концентрация фонового электролита в 25 - 30 раз меньше концентрации восстанавливаемых ионов. Это явление происходит из-за того, что в подобных условиях ток ионов восстанавливаемого вещества составляет значительную долю общего тока. Эта часть тока носит название тока миграции. Ток миграции появляется вследствие электростатического притяжения или отталкивания между РКЗ и ионами. Следовательно, при уменьшении концентрации фонового электролита ток диффузии увеличивается при восстановлении катионов и уменьшается при восстановлении анионов. Однако сила тока остается неизменной при восстановлении других недиссоциированных веществ. [3]
Увеличение тока диффузии с повышением прямого напряжения идет сначала медленно. [4]
 |
Катодные кривые постоянный ток - напряжение окислительно-восстановительного электрода 10 / 1 - на Pt в 1 н. Н SO. при 25 С и перемешивании ( 1000 об / мин при [ 1з ] Ю-3 М и различных ( по Фет. [5] |
Предельная плотность тока диффузии, зависящая от перемешивания электролита, естественно, пропорциональна с3 или clt если при анодных измерениях не мешает выделение твердого иода. [6]
 |
Изменение избыточной концентрации во времени [ IMAGE ] - 15. Изменение избыточной концентрации в пространстве. [7] |
Ток проводимости и ток диффузии, генерация пар носителей и рекомбинация, изменение избыточной концентрации носителей во времени и пространстве не исчерпывают всего многообразия сложных явлений, происходящих в полупроводниках, но они наиболее важны, и, зная их, можно правильно понять работу полупроводниковых приборов. [8]
Ток проводимости и ток диффузии направлены встречно и взаимно уравновешивают друг друга, в результате чего суммарный ток через переход равен нулю. [9]
Зд - плотность тока диффузии, возникающего в растворе при движении ионов из участков с большей их концентрацией в участки с меньшим их содержанием. [10]
Анодная предельная плотность тока диффузии ( гд 3), зависящая от интенсивности перемешивания электролита, пропорциональна концентрации Се3 ( с3), а катодная - концентрации Се4 ( с4), причем эти величины не зависят от концентрации другого вещества. [12]
У поверхности уменьшается и ток диффузии направлен к поверхности катода, а ток миграции - от катода. [13]
При очень больших v ток диффузии может быть небольшим по сравнению с током адсорбции, поэтому необходимо внимательно следить за зависимостью высоты пика от скорости развертки потенциала поляризации. [14]
 |
Механизм возникновения тэков диффузии, рекомбинации и генерации.| Возникновение тока рекомбинации ( а и тока генерации ( б. [15] |
Страницы: 1 2 3 4