Ток - диффузия
Cтраница 4
Избыточный заряд распределен равномерно, градиент распределения его равен нулю, и поэтому на ток диффузии он влияния не оказывает. [46]
 |
Обратное включение р-п перехода.| Прямое включение. [47] |
Снижение потенциального барьера в прямо включенном р-п переходе облегчает диффузию основных носителей, поэтому ток диффузии увеличивается. Кроме того, происходит сужение запирающего слоя, что непосредственно следует из формулы ( 2 - 2) при уменьшении V. Более подробно этот процесс объяснен в следующем параграфе. [48]
 |
Обратное включение р-п перехода.| Прямое включение р-п перехода. [49] |
Снижение потенциального барьера в прямо включенном р-п переходе облегчает диффузию основных носителей, поэтому ток диффузии увеличивается. Более подробно этот процесс объяснен в следующем параграфе. [50]
 |
Обратное включение ся к НУЛЮ - Эта зависимость имеет р-п перехода экспоненциальный характер. [51] |
Количество зарядов, способных преодолеть силы этого суммарного поля, уменьшается, соответственно уменьшается и ток диффузии. [52]
Требуемая плотность катодного защитного тока зависит не непосредственно от электропроводности, а только от плотности тока диффузии окислителя. Поэтому существует косвенная связь с электропроводностью, которая оказывает двойное влияние. [53]
Только когда имеет место мономолекулярное превращение второго вещества по уравнению первого порядка при пропорциональности предельной плотности тока диффузии концентрации одного из этих веществ ( tK - - пр) / д может оставаться постоянным и давать повод к неправильный заключениям. [54]
 |
Проводники с различным типом электропроводности. а до соприкосновения. б при соприкосновении. [55] |
Движение неосновных носителей заряда под воздействием поля образует ток проводимости ( дрейфа), направленный противоположно току диффузии. [56]
Для ответа на этот вопрос нужно решить общую задачу с учетом как токов дрейфа, так и токов диффузии. [57]
В стационарном состоянии полный ток / 0, так как в каждой точке кристалла ток проводимости компенсируется током диффузии. [58]
При больших фототоках падение напряжения на r RH снижает потенциальный барьер ( см. § 7.3) и увеличивает ток диффузии через переход. [59]
А см2 / с; Dp - - pp см2 / с - коэффициенты диффузии, служащие мерой отношения тока диффузии к неравномерности концентрации подвижных носителей, создающих этот ток. [60]
Страницы: 1 2 3 4