Ток - инжектор
Cтраница 1
 |
Типичная схема включе-ния элементов И2Л для реализации логических функций И-НЕ и ИЛИ-НЕ. [1] |
Ток нагрузочного инжектора / Ин, поступающий в коллекторную цепь насыщенного транзистора ( рис. 7.35), можно рассчитать по известной формуле, как ток коллектора горизонтального р-п-р-транзистора, напряжения на и коллекторном переходах которого равны U: соответственно. [2]
В режиме считывания информации токи инжекторов в невыбранных столбцах выключаются ( рис. 6.18), поэтому в соответствующих разрядных шинах паразитных токов нет. [3]
Для повышения коэффициента передачи тока инжектора а элементов, построенных по ВИЛ-технологии, используется конструкция вентилей с двумя скрытыми слоями противоположного типа проводимости. При проектировании БИС с размерами сторон кристалла более 2 мм начинает влиять омическое сопротивление эпитаксиальной пленки n - типа, для компенсации которого необходимо вводить шину общего эмиттера. Поэтому технологию ВИЛ используют при разработке микромощных микропроцессорных БИС среднего быстродействия и сравнительно невысокой степени интеграции. [4]
Так, при увеличении тока инжектора четырехколлек-торного ОЛЭ от 10 до 200 мкА тзср уменьшается от 70 до 10 не. [5]
Типичная зависимость средней задержки от тока инжектора в двойном логарифмическом масштабе представлена на рис. 7.27; она может быть аппроксимирована двумя прямолинейными отрезками. [6]
 |
Схема проводного И с развязкой входных цепей.| Характеристики Увы инвертора. [7] |
Длительность переходных процессов зависит от тока инжектора. При малых токах инжектора она определяется лишь емкостями переходов транзисторов и металлизации соединений. Отсутствие резисторов в цепях связи, малые напряжения питания и перепада уровней сигнала приводят к существенному снижению задержек по сравнению с РТЛ и НСЛ схемами. При больших токах необходимо учитывать эффекты накопления и рассасывания неосновных носителей заряда в базе и в эмиттере. Особенность схемы с инжекционным питанием заключается в том, что процессы накопления и рассасывания происходят относительно медленно. [8]
Оно незначительно повышается с ростом тока инжектора. [9]
Недостатком этого метода является значительное изменение величины тока инжектора ( и общего тока питания БИС И2Л) в зависимости от логического состояния И2Л - элементов, а также дополнительные потери мощности, рассеиваемой на этом сопротивлении. [10]
 |
МДП инвертор. [11] |
Схемы с инжекционным питанием могут нормально работать при изменении тока инжектора в пределах нескольких порядков, а следовательно, допускают большие колебания напряжений питания. [12]
Выходной потенциал элемента ИЛИ-НЕ повышается до уровня входного потенциала нагрузочных ИМС, инверторы которых начинают проводить, отбирая ток инжекторов / ин. [13]
Логический размах М уменьшается до значения М И02, что способствует увеличению быстродействия в области малых и средних значений токов инжектора. [14]
При выборке возможно значительное увеличение тока питания элементов выбранной строки ( в 100 и более раз), поскольку они сохраняют работоспособность при изменении тока инжектора в пределах нескольких порядков. Все это обеспечивает малое время считывания. [15]
Страницы: 1 2