Ток - инжектор
Cтраница 2
Важнейшими электрическими характеристиками базовых элементов инжекционных микропроцессоров являются типовые зависимости коэффициентов усиления п - р - п - и р - п - р-транзисторов от тока базы р / / ( / в) и тока инжектора a. [16]
Для изготовления подобных структур можно использовать технологический процесс с четырьмя фотошаблонами, эквивалентный по сложности процессу изготовления дискретных биполярных планар-ных транзисторов или базовой технологии схем МДП-типа. Это позволяет изменять ее рабочую частоту простым изменением тока инжектора и значительно ( на четыре-пять порядков) уменьшать ток в схеме без нарушения ее логического состояния в тех случаях, когда она не работает в предельном частотном режиме или вообще должна находиться в нерабочем состоянии. [17]
В режиме больших токов инжектора время перезарядки емкости ( см. формулу (7.24) ] становится пренебрежимо малым. На участке / / средняя задержка достигает наименьшего значения и почти не зависит от тока инжектора. В этом режиме заряды неосновных неравновесных носителей, накапливаемых в областях переключательного транзистора, значительно превышают заряды в барьерных емкостях р-п переходов. Поэтому минимальная средняя задержка определяется временем рассасывания. С ростом тока инжектора пропорционально увеличивается заряд неосновных неравновесных носителей, но во столько же раз возрастает ток, рассасывающий этот заряд. [18]
Преимущество схем И2Л - типа-в топологии их базового вентиля, в которой отсутствуют нагрузочные резисторы, имеющиеся, например, в схемах ТТЛ-типа. В схеме И2Л - типа отсутствуют изолирующие области, из-за чего резко снижаются размеры компонентов, паразитные составляющие компонентов и увеличивается быстродействие, которое, в свою очередь, может изменяться в широких пределах в зависимости от выбора тока инжектора. [19]
Рассмотрим работу ЗЭ в процессе считывания. Поскольку ТЗ открыт, через него полностью замыкается ток инжектора Т2, поддерживая тем самым 77 и Т5 в закрытом состоянии. [20]
При питании накопителя генераторами тока, вытекающими по шинам В %, возникает ограничение на минимальное число элементов в строке, при котором возможно переключение выбранного ЭШ. Действительно, подача в разрядную шину тока / зап сопровождается увеличением примерно на такую же величину тока в шине Вц. Ток / вн распределен между ЭП в строке и, следовательно, величина, на которую возрастает ток инжектора ЭП, , зависит от числа ЭП в строке. [21]
Время распространения сигнала в схемах И2Л в основном определяется временем рассасывания, как и в схемах НСТЛ. Несмотря на то, что никаких схемных мер для его сокращения здесь не принято, это время невелико. Отсутствие в ячейках резисторов и связанных с ними паразитных емкостей, малые напряжения питания и перепада логических уровней обусловливают значительное уменьшение задержки в схемах с инжекционным питанием по сравнению с близкими к ним схемами с непосредственной и резистивной связями. С ростом тока инжектора время задержки уменьшается. При больших токах инжектора необходимо учитывать накопление зарядов неосновных носителей в транзисторах. [22]
При записи информации ток питания в выбираемом столбце выключателей ( рис 6.18), что значительно облегчает условия записи информации в выбранный ЭП, точнее, надежную запись обеспечивает ток, превышающий в несколько раз токи утечек транзисторов. Импульс выборки отрицательной полярности по шине В обеспечивает существенную разницу в распределении тока записи между ЭП выбранной и невыбранных строк и, следовательно, существенную разницу во временах их переключения. При записи области р-типа, связанные с разрядными шинами, выполняют роль дополнительных инжекторов. Здесь используется существенная зависимость времени переключения от тока инжектора. Практически ток записи можно выбирать равным нескольким сотням микроампер. [23]
 |
Схемы ЗИЛИ-НЕ на ИС с инжекционным питанием. [24] |
Помехоустойчивость схем с инжекцион-ным питанием оценивается по току, поскольку энергия переключения зависит от инжектируемого тока, а напряжение на переходах при переключении изменяется весьма незначительно. Инжектируемый ток при переключении изменяется на несколько порядков. Из всех известных вариантов схем схемы с инжекционным питанием являются самыми маломощными. Мощность потребления этих схем может изменяться в широких пределах путем изменения тока инжектора. Уровень потребляемой мощности выбирается в зависимости от требований, предъявляемых к быстродействию и помехоустойчивости схем. [25]
В режиме больших токов инжектора время перезарядки емкости ( см. формулу (7.24) ] становится пренебрежимо малым. На участке / / средняя задержка достигает наименьшего значения и почти не зависит от тока инжектора. В этом режиме заряды неосновных неравновесных носителей, накапливаемых в областях переключательного транзистора, значительно превышают заряды в барьерных емкостях р-п переходов. Поэтому минимальная средняя задержка определяется временем рассасывания. С ростом тока инжектора пропорционально увеличивается заряд неосновных неравновесных носителей, но во столько же раз возрастает ток, рассасывающий этот заряд. [26]
Страницы: 1 2