Ток - осаждение
Cтраница 1
Ток осаждения обусловливает возникновение равного по величине тока проводимости через непрерывную фазу. Это означает, что отсутствуют какие-либо внешние проводящие пути и что достигается установившееся состояние. [1]
 |
Зависимость плотности тока осаждения от массы фосфатного слоя при продолжительности осаждения. [2] |
Снижение плотности тока осаждения за счет предварительного фосфатирования поверхности благоприятно влияет на условия осаждения. Несмотря на то что более высоким плотностям тока соответствует осаждение лакокрасочного покрытия большей массы, при этом возможны такие нежелательные явления, как увеличение электролиза воды, разогрев ванны и ускорение сдвига рН ванны в щелочную область. [3]
Уменьшение коэрцитивной силы Нс с увеличением плотности тока осаждения может быть вызвано уменьшением степени совершенства кристаллической решетки и содержания серы в покрытии. [4]
 |
Микрофотография разреза крупинки порошка никеля с осадком. [5] |
На рис. 175 показана полулогарифмическая зависимость силы тока осаждения меди от времени. Кривая 7 относится к высокой исходной концентрации меди в растворе, кривая 2-к весьма малой. На обоих кривых имеется 2 участка. Первый участок относится к первичной стадии процесса, а второй - к конечной. Как видно из графика, первичная стадия в концентрированном растворе несколько короче, чем в слаооконцентрированном. [6]
Кроме того, если расплав перемешивают, то предельная плотность тока осаждения U3 увеличивается, превышая общую плотность тока, и потенциал тотчас падает до значения, соответствующего точке С. Прекращение перемешивания возвращает потенциал в область осаждения лития. [7]
 |
Характер осадка серебра, получаемого из цианистой ванны на электрополированной грани Ag ( ПО ( по Зетти и Вильману. [8] |
Влияние поверхностноактивных агентов проявляется тем сильнее, чем ниже плотность тока осаждения. При высоких плотностях тока на быстро растущих гранях кристаллита поверхностноактив-ные вещества не успевают накопиться в достаточном количестве, чтобы остановить рост. [9]
В начальный момент электроосаждения, когда сопротивление осажденного покрытия мало, плотность тока осаждения практически определяется сопротивлением анода, которое зависит от предварительной обработки поверхности. Желательным является осаждение покрытия при минимальной начальной плотности тока и небольшой скорости падения плотности тока в процессе осаждения. В таком режиме происходит осаждение на фосфатированную стальную поверхность, омическое и поляризационное сопротивление которой выше, чем нефос-фатированной стали. [10]
Было показано [9, 10], что основной причиной появления таких дефектов является повышенное выделение тепла при увеличении напряжения или плотности тока осаждения. В процессе электроосаждения при повышенных электрических параметрах температура на поверхности изделия может возрастать свыше 70 С. В связи с этим наблюдается резкое увеличение скорости электроосаждения ( рис. 8.5) и появление дефектов переосаждения в виде рыхлых осадков с повышенной толщиной. [12]
Было замечено, что на ранней стадии злектроосаждения меди, когда на грани ( 100) медного монокристалла развивается слоистость, увеличение плотности тока осаждения при прочих равных условиях приводит к возрастанию разделения ступеней. Большие расстояния между ступенями в случае осадков, полученных при более высоких плотностях тока, могут быть хотя бы частично отнесены к влиянию адсорбции примесей из раствора. Если скорость осаждения велика, то промежуток времени, разделяющий периоды образования двух последующих слоев, будет недостаточен для заметной адсорбции примесей на свежеобразованной поверхности; в этом случае вновь образующиеся слои будут встречать на своем пути меньше препятствий, вследствие чего группирование идеально моноатомных ступеней в пачки на ранней стадии осаждения должно быть затруднено; даже в том случае, когда произошло первое группирование одноатомных ступеней, такое скопление может довольно легко исчезнуть. По этой причине первые видимые скопления характеризуются меньшей плотностью, или, другими словами, большим разделением, чем последующие. Для ранней стадии осаждения, когда происходит первое концентрирование, или группирование, одноатомных ступеней, повышение чистоты раствора сопровождается уменьшением плотности расположения групп. В результате макроступени, образующиеся в конце концов из этих групп, будут расположены на больших расстояниях одна от другой. [13]
В процессе осаждения магнитных покрытий следует учитывать влияние магнитного поля Земли и ориентацию гальванической ванны по отношению к этому полю, а также магнитные поля, создаваемые током осаждения. Экранирование ванны осаждения способствует получению магнитных пленок с меньшим углом скоса и большей прямоугольностью петли гистерезиса в направлении легкой оси. С ростом напряженности направленного магнитного поля влияние магнитного поля Земли и поля тока осаждения становится менее заметным и при 10 - 20-кратном превышении не оказывает существенного воздействия на направление индуцированной анизотропии. [14]
Электропроводность суспензий, характеризующая наличие в них свободных онов, во избежание вредных для электрофореза побочных процессов ( электролиз и др.) должна быть минимальной, но достаточной для прохождения тока осаждения и обеспечения рассеивающей способности ванн. [15]
Страницы: 1 2 3