Ток - коллекторный переход
Cтраница 1
Токи коллекторного перехода измеряются при соответствующих максимально допустимых напряжениях. [1]
 |
ВАХ тиристора в закрытом состоянии при различных температурах.| Зависимость напряжения переключения от температуры. [2] |
Температурные зависимости обратного ( генерационного) тока коллекторного перехода и коэффициента лавинного умножения имеют противоположный характер. Ток в закрытом состоянии тиристора при этом, как и его обратный ток, может немонотонно зависеть от температуры. [3]
Согласно представленной на рис. 5 - 1 в схеме ток коллекторного перехода содержит три составляющие / ко / э1 Ai lsiAi, где / Э1 и / э2 - токи эмиттеров первого и второго транзисторов, а Л ] и Л2 - интегральные коэффициенты передачи этих токов. [4]
 |
Схема и основные характеристики триода с общим эмиттером. [5] |
Фт, то при любом токе базы ток коллектора t K: ратный ( тепловой) ток коллекторного перехода. [6]
 |
Структура р-п-р-транзистора ( а, его энергетическая диаграмма при рабочих смещениях ( б и распределение концентрации носителей ( в и плотностей тока ( г. [7] |
Если эмиттер включить в прямом направлении, то инжектированные им дырки проходят через базу и увеличивают ток коллекторного перехода. Часть дырок рекомбинирует в объеме базы и на ее поверхности. [8]
Шумовой ток, возникающий при токораспределении, протекает в цепи коллектор - база, так же как дробовой ток коллекторного перехода. [9]
Ток базы запертого транзистора складывается из токов обоих переходов, однако часто можно считать его приблизительно равным току коллекторного перехода, так как запирающее напряжение на этом переходе обычно значительно больше, чем на эмиттерном, и одновременно теоретический ток в эмиттере значительно меньше, чем в коллекторе. [10]
Дело в том, что при любой схеме соединения двух полупроводниковых диодов ток каждого из них зависит только от величины и полярности приложенного к нему напряжения и не зависит от электрического состояния другого диода, тогда как ток коллекторного перехода транзистора находится в прямой зависимости от величины тока, протекающего через эмиттерный переход. Это свойство и положено в основу принципа работы транзистора. [11]
Наибольшее влияние оказывает изменение температуры на величину неуправляемого тока коллекторного перехода / к, экспоненциально зависящего от температуры. Кроме самого тока коллекторного перехода, в величину 7к0 входят утечки по поверхности перехода р-п и ряд других токов, не поддающихся оценке. Изменение обратного тока перехода является одной из отрицательных особенностей транзисторов, и устранение его влияния должно быть предусмотрено при построении схемы. Рост тока / К0 может привести к снижению постоянного напряжения на триоде и даже вообще перевести транзистор в режим насыщения. Если сопротивление в базовой цепи отсутствует ( включение со свободной базой), усиление может стать очень большим, и при а, близком к 1, триод разогреется и разрушится. [12]
Шэкли биполярный транзистор представляет собой систему из двух электронно-дырочных переходов - эмиттерного ЭП и коллекторного / С / 7, выполненных в непосредственной близости в одном кристалле ( рис. В. В транзисторе используется зависимость величины тока коллекторного перехода / СЯот поступающего в него тока эмиттерного перехода ЭП. Транзистор, так же как и электронная лампа, может быть усилителем. Благодаря более высокой долговечности, большей надежности, меньшим габаритам и потреблению транзистор в настоящее время является основным типом как усилительного, так и ключевого прибора. [13]
 |
Тиристор. а - схема включения, б - вольт-амперные характеристики. [14] |
Так как сопротивления эмиттерных переходов малы, а сопротивление коллекторного перехода велико, то почти все напряжение источника приложено к коллекторному p - n - переходу. Поэтому через прибор течет ток, равный току коллекторного перехода. [15]
Страницы: 1 2