Ток - коллекторный переход
Cтраница 2
Во реальных тиристоров при комнатной температуре, как правило, превышают минимальные напряжения пробоя их коллекторных переходов. Однако с ростом температуры экспоненциально возрастает обратный ( генерационный) ток коллекторного перехода. Возрастают при этом и коэффициенты передачи тока составных транзисторов. Поэтому при определенной температуре напряжение переключения тиристора становится равным, а затем и меньше минимального напряжения пробоя коллекторного перехода. При этом коэффициент лавинного умножения Мж и не зависит от температуры. Поэтому напряжение переключения тиристора резко падает с дальнейшим ростом температуры. [16]
Явление нарастания коллекторного тока в транзисторе при увеличении температуры переходов вследствие изменения выделяемой в них мощности либо при нагреве от внешнего источника тепла, совершенно нежелательное в усилительных и импульсных схемах, может быть использовано для построения различных устройств временной задержки. В устройствах этого типа задержка обусловлена тепловой постоянной транзистора, благодаря которой температура и ток коллекторного перехода достигают стационарного значения через некоторое время после начала воздействия на переход мощности. Длительность этого процесса определяется параметрами транзистора, электрическим и тепловым режимами его работы и в общем случае может меняться от микросекунд до минут и часов. Исходя из принципа действия и типа активного элемента указанные устройства временной задержки могут быть названы термотранзисторными. [17]
При воздействии внешних напряжений потенциальный барьер между эмиттером и базой понижается, а между базой и коллектором - увеличивается. В результате основные носители заряда эмиттерного слоя переходят в область базы, а затем в область коллектора, создавая ток коллекторного перехода. [18]
При воздействии внешних напряжений потенциальный барьер между эмиттером и базой понижается, а между базой и коллектором - увеличивается. В результате основные носители заряда эмиттерного слоя переходят в область базы, а зат ем в область коллектора, создавая ток коллекторного перехода. [19]
 |
Схематическое изображение транзистора. а р - а - р типа. б п - р - п тиаа.| Распределение токов и. [20] |
Несмотря на то что каждый из переходов транзистора в отдельности ведет себя как полупроводниковый диод, физические процессы, происходящие в транзисторе, отличны от процессов структуры, представляющей собой простую совокупность двух диодов. При любом электрическом соединении двух диодов ток каждого из них зависит только от величины приложенного к нему напряжения и не зависит от электрического состояния другого диода. В транзисторе ток коллекторного перехода находится в прямой зависимости от величины тока, проходящего через эмиттерный переход. [21]
Миниатюризация схемы И достигнута ценой некоторого увеличения входного тока элемента. В рассматриваемом состоянии ток коллекторного перехода TI, смещенного в прямом направлении, втекает в базу Т2, вызывая его включение. [22]
Этот прибор представляет собой комбинированный малогабаритный ампер-вольт-омметр, скомпонованный с испытателем транзисторов. Он позволяет измерять напряжение и силу тока в цепях постоянного и переменного тока, активные сопротивления, а также коэффициент усиления Вст, обратный, ток коллекторного перехода / ко и начальный ток коллектора / нн маломощных р-п - р - и п-р-л-транзи - сторов и определять наличие рбрывов или замыканий между их электродами. [23]
Плюс напряжения и подан на эмиттер 7, служащий анодом прибора, минус - на эмиттер транзистора Т2, служащий катодом прибора. При плавном увеличении напряжения ток анода сначала нарастает слабо, так как при указанной полярности напряжения питания эмиттерные переходы транзисторов смещены в прямом направлении, а коллекторные - в обратном. Закрытый переход одного транзистора ограничивает базовый ток другого. Однако при большом напряжении ток коллекторного перехода каждого транзистора начинает возрастать, что вызвано как возрастанием утечки тока через закрытые коллекторные переходы, так и лавинным увеличением числа носителей заряда в предпробойном состоянии. Так как при / у О / К1 / б2 и / К2 / бь то рост тока коллекторного перехода одного транзистора приводит к увеличению базового тока другого. Коэффициент усиления по току В каждого из транзисторов зависит от эмиттерного тока. При малых напряжениях, когда эмиттерные токи соизмеримы с обратным током коллекторного перехода, значение В очень мало и усиления по току не происходит. Ток / К2протекает через открытый эмиттер-ный переход транзистора 7 к плюсу источника и задает базовый ток / 61, который тоже увеличивается. Так как / Ki 5i / 6i то ток коллектора / 1 в результате усиления транзисторами возрастает в ВгВг раз. [24]
Плюс напряжения и подан на эмиттер 7, служащий анодом прибора, минус - на эмиттер транзистора Т2, служащий катодом прибора. При плавном увеличении напряжения ток анода сначала нарастает слабо, так как при указанной полярности питающего напряжения эмиттерные переходы транзисторов смещены в прямом направлении, а коллекторные - в обратном. Закрытый переход одного транзистора ограничивает базовый ток другого. Однако при большом напряжении ц ток коллекторного перехода каждого из транзисторов начинает возрастать, что вызвано как увеличением тока утечки через закрытые коллекторные переходы, так и лавинным увеличением чирла носителей заряда в предпробойном состоянии. Так как при гу 0 гкт г Й2 и t K2 i6l, увеличение тока коллекторного перехода однЬго транзистора приводит к увеличению базового тока другого. Коэффициент усиления по току В каждого из транзисторов зависит от э) миттерного тока. При малых напряжениях, когда эмиттерные токи соизмеримы с обратным током коллекторного переходи. В очень мало и усиления по току не происходит. Ток гк2, протекая через открытый эмиттерный переход транзистора 7 к плюсу источника и, задает базовый ток t 6l, который тоже увеличивается. [25]
Плюс напряжения и подан на эмиттер 7, служащий анодом прибора, минус - на эмиттер транзистора Т2, служащий катодом прибора. При плавном увеличении напряжения ток анода сначала нарастает слабо, так как при указанной полярности питающего напряжения эмиттерные переходы транзисторов смещены в прямом направлении, а коллекторные - в обратном. Закрытый переход одного транзистора ограничивает базовый ток другого. Однако при большом напряжении ц ток коллекторного перехода каждого из транзисторов начинает возрастать, что вызвано как увеличением тока утечки через закрытые коллекторные переходы, так и лавинным увеличением чирла носителей заряда в предпробойном состоянии. Так как при гу 0 гкт г Й2 и t K2 i6l, увеличение тока коллекторного перехода однЬго транзистора приводит к увеличению базового тока другого. Коэффициент усиления по току В каждого из транзисторов зависит от э) миттерного тока. При малых напряжениях, когда эмиттерные токи соизмеримы с обратным током коллекторного переходи. В очень мало и усиления по току не происходит. Ток гк2, протекая через открытый эмиттерный переход транзистора 7 к плюсу источника и, задает базовый ток t 6l, который тоже увеличивается. [26]
Плюс напряжения и подан на эмиттер 7, служащий анодом прибора, минус - на эмиттер транзистора Т2, служащий катодом прибора. При плавном увеличении напряжения ток анода сначала нарастает слабо, так как при указанной полярности напряжения питания эмиттерные переходы транзисторов смещены в прямом направлении, а коллекторные - в обратном. Закрытый переход одного транзистора ограничивает базовый ток другого. Однако при большом напряжении ток коллекторного перехода каждого транзистора начинает возрастать, что вызвано как возрастанием утечки тока через закрытые коллекторные переходы, так и лавинным увеличением числа носителей заряда в предпробойном состоянии. Так как при / у О / К1 / б2 и / К2 / бь то рост тока коллекторного перехода одного транзистора приводит к увеличению базового тока другого. Коэффициент усиления по току В каждого из транзисторов зависит от эмиттерного тока. При малых напряжениях, когда эмиттерные токи соизмеримы с обратным током коллекторного перехода, значение В очень мало и усиления по току не происходит. Ток / К2протекает через открытый эмиттер-ный переход транзистора 7 к плюсу источника и задает базовый ток / 61, который тоже увеличивается. Так как / Ki 5i / 6i то ток коллектора / 1 в результате усиления транзисторами возрастает в ВгВг раз. [27]
Страницы: 1 2