Ток - смещение - база
Cтраница 1
 |
Простейшие способы подачи смещения во входную цепь транзистора. [1] |
Ток смещения базы, текущий через Ri, практически определяется величиной Д и напряжением источника питания и не меняется при изменении температуры транзистора, его старении и замене. Поэтому описанный способ называют смещением фиксированным током базы. [2]
 |
Простейшие способы подачи смещения во входную цепь транзистора. [3] |
Ток смещения базы, текущий через R, практически определяется величиной R и напряжением источника питания и не меняется при изменении температуры транзистора, его старении и замене. Поэтому описанный способ называют смещением фиксированным током базы. [4]
Ток смещения базы транзистора Тг почти не зависит от температуры, так как он поступает через большое сопротивление от источника сравнительно высокого напряжения. Всякое повышение окружающей температуры вызывает повышение коллекторного тока транзистора Tlt что обусловлено изменением коэффициента передачи по постоянному току. [5]
 |
Схема стабилизации режима питания транзистора с фиксацией тока базы.| Влияние изменения температуры на ток коллектора транзистора при минимальном токе базы. [6] |
Таким образом, ток смещения базы при принятых допущениях не зависит ни от параметров транзистора, ни от температуры р - n перехода. [7]
Это приводит к уменьшению тока смещения базы, что уменьшает коллекторный ток почти до прежнего значения. Режим работы в этом случае стабилизируется, так как мало зависит от колебаний температуры и разброса параметров транзистора. Схема работает удовлетворительно лишь при достаточно больших активных сопротивлениях в коллекторной цепи. [8]
Постоянная составляющая тока коллектора / к зависит от тока смещения базы / б, существенной компонентой которого является обратный ток коллекторного перехода / ко - Величина этого тока мало зависит от напряжения на коллекторе, однако сильно различается у транзисторов даже одного и тего же типа; вместе с тем величина / ко при изменении температуры коллекторного перехода изменяется по экспоненциальному закону: при повышении температуры на каждые 10 град ток / Ко германиевого транзистора увеличивается примерно в 1 5 - 2 раза, а кремниевого - в 2 5 - 3 раза. [9]
Постоянная составляющая тока коллектора / к зависит от тока смещения базы / g, существенной составляющей которого является обратный ток коллекторного перехода / к. Хотя величина этого тока мало зависит от напряжения на коллекторе, однако сильно различается у транзисторов даже одного и того же типа. [10]
Сопротивление R10 пропускает наТ 8 - Тп около 40 - 80 ма тока смещения базы при выключении, так что Т7 может остаться управляемым при высоких температурах. [11]
 |
Эквивалентная схема, отображающая появление коллекторного тока. а при токе эмиттера, равном нулю. б при токе базы, равном нулю. [12] |
Так как акб обычно выражается большим числом, то коллекторный ток при токе смещения базы, равном нулю, / 0 может стать значительным, особенно при высоких температурах. [13]
Это видно из рис 9.15, на котором приведен график зависимости коэффициента усиления по напряжению от тока смещения базы для двух усилителей а кристаллических триодах с общим эмиттером, номинально идентичных, за исключением их коллекторного тока при нулевом токе базы / Кво различном для разных триодов. Из гра - фика видно, что если бы АРУ осуществлялась путем изменения тока базы в таком усилителе промежуточной частоты, то необходимо было бы уделить большое внимание установке смещения для каждого триода, иначе коэффициент усиления по напряжению одного триода изменялся от 35 до 0 дб, а другого триода - едва заметно. [14]
 |
Схемы стабилизации режима транзисторных усилителей. [15] |
Страницы: 1 2