Ток - смещение - база
Cтраница 2
Однако эта схема принципиально непригодна для работы при высоких температурах, так как она может обеспечить получение тока смещения базы только одного направления. [16]
Анализ условий самовозбуждения АНПН ( 58 ] и экспериментальные данные показывают, что устойчивое возбуждение наблюдается при токе смещения базы / Бсм ы1Ънас ( 0 05 - 0 01) / Б ас, где / Бнас - ток базы в режиме насыщения. [17]
 |
Коллекторная стабилизация выходного тока при включении транзистора. [18] |
Если почему-либо ток покоя выходной цепи стремится возрасти, падение напряжения на Z увеличивается, напряжение на RM уменьшается и ток смещения базы падает, что снижает возрастание коллекторного тока. При стремлении тока покоя коллектора уменьшиться описанный процесс автоматического регулирования тока через транзистор происходит обратным образом. [19]
 |
Графическое представление проводимости участка коллектор - база. [20] |
Когда цепь эмиттера замкнута, а цепь базы разомкнута, как показано на рис. 48 6, ток / ко будет током смещения базы идеального триода и вызовет больший ток коллектора. [21]
Дифференциальные члены знаменателя правой части могут быть найдены из рассмотрения схемы, в которую включен триод. Это будет - проделано для рассмотренных выше схем фиксированного и автоматического смещений. BjdIK определяет изменение тока смещения базы, отнесенное к соответствующему изменению коллекторного тока. [22]
При этом в цепь базы подается полярно-модули-рованный сигнал, превышающий по амплитуде в 2 - 3 раза номинальное значение. Модулирующий сигнал поступает в оба канала. Если на выходе каскада напряжение несимметрично или в одном из каналов наступает ограничение сигнала, необходимо изменить ток смещения базы до устранения искажений. [23]
Это напряжение стремится стабилизировать коллекторный ток, так как оно приложено в направлении обратного смещения триода. Сопротивление RQ c, подключенное к другому полюсу батареи, также подает стабилизирующий ток в базу, но в направлении прямого смещения триода. Следовательно, уменьшение сопротивления параллельного включения RA и RQC при данной величине R3 увеличивает стабилизацию, причем уменьшение о с относительно RA увеличивает ток смещения базы. Посредством этого осуществляется раздельный контроль стабилизации и смещения. [24]
Величину входных сопротивлений R схемы выбирают такой, чтобы при верхнем уровне напряжения, равном Ек, входной ток базы был достаточен для насыщения транзистора. Появление высокого уровня напряжения более чем на одном входесхемы ведет к возрастанию базового тока транзистора и более глубокому его насыщению. В-случае когда все входные сигналы соответствуют низкому уровню, входные токи, вследствие малой положительной величины коллекторного напряжения насыщения при соответствующем выборе параметров схемы, будут недостаточны для открывания транзисторов. За счет тока смещения базы / см - EfJR6 транзистор Т будет заперт. [25]
Недостатком этого метода является сильная зависимость положения рабочей точки от изменений характеристик и параметров кристаллического триода. Эта схема не допускает значительных изменений характеристик от триода к триоду или изменений в характеристиках данного триода. Это хорошо видно из рис. 4.2, на котором показаны положения рабочей точки на коллекторной характеристике для различных триодов. Рабочая точка и величина тока смещения базы установлены для кристаллического триода, характеристики которого приведены на рис. 4.2 а. Если теперь включить в ту же схему вместо кристаллического триода 4.2 а любой из триодов 4.2 ( 6, в, г), то новое положение рабочей точки будет значительно отличаться от прежнего, что может сделать схему неработоспособной. [26]
Страницы: 1 2