Cтраница 2
Пологий участок характеристики определяет граничные значения тока стабилизации / ст min и / ст тах. Допустимые численные значения / ст min равньк З ма, а значения / ст тах - 30 - 35 ма. [16]
Конечно же, этот диод должен выдерживать ток стабилизации. [17]
Так как ток в нагрузочном сопротивлении меньше тока стабилизации бареттера, необходимо параллельно нагрузке включить сопротивление г, через которое должен протекать избыточный то. [18]
![]() |
Область отрицательного сопротивления на вольтамперной характеристике стабилитрона ( а и схема его включения ( б. [19] |
Поэтому задают максимально и минимально допустимые значения тока стабилизации / с макс и / с мин. Характерной особенностью стабилитронов ( особенно высоковольтных) является появление значительных шумов при переходе из области насыщения обратного тока в область пробоя, называемых шумовой полосой пробоя. Это явление характерно для лавинного пробоя. [20]
Допускается параллельное соединение стабилитронов при условии, что ток стабилизации, проходящий через каждый стабилитрон, должен быть в пределах допустимых норм. Допускается последовательное соединение любого числа стабилитронов. [21]
Параллельное соединение стабилитронов допускается при условии, что ток стабилизации, проходящий через каждый стабилитрон, должен быть в пределах допустимых норм. Допускается последовательное соединение любого числа стабилитронов. [22]
![]() |
Схема стабилизатора напряжения питания каскадов смесителя и гетеродина ( о и его характеристики ( б, в. [23] |
Тз ( этот резистор необходим для установления величины тока стабилизации); UK r, мин - остаточное напряжение на коллекторе ( напряжение, меньше которого начинается резкий спад коллекторного тока, рис. 3.42, в); Ueт - напряжение стабилизации. [24]
Как видно из справочного листа, меньшее значение тока стабилизации опорного диода определяет более высокий положительный ТКН. В данном случае опорный диод с напряжением стабилизации в 6 2 в при токе стабилизации 5 ма имеет ТКН, равный 0 03 % / С, или приблизительно 1 86 - 10 - 3 в / С. Такая величина ТКН диода близка по модулю к значению отрицательного температурного коэффициента f / бэ, равному приблизительно - 2 5 10 - 3 в / С. [25]
Минимальный / ст. мин и максимальный / ст. маке токи стабилизации. При токах, меньших / ст. мин, растет гдаф и пробой становится неустойчивым. При токах, больших / ст. макс, увеличивается мощность рассеивания и разогрев диода, возрастает опасность теплового пробоя и повреждения диода. [26]
![]() |
Усилитель на основе транзистора и карректора. [27] |
Если в процессе формирования пилообразного напряжения выходной конденсатор заряжается током стабилизации карректора, получаем линейную зависимость напряжения генератора от времени. [28]
Для уточнения полученного решения необходимо знать зависимость напряжения стабилизации от тока стабилизации. [29]
![]() |
Схематическое устройство и графическое изображение на схемах транзисторов структуры p - n - р и п-р - п. [30] |