Cтраница 4
![]() |
Схема для измерения напряжения стабилизации опорных диодов. [46] |
Дифференциальное сопротивление определяется как отношение величины изменения напряжения стабилизации к бесконечно малой величине изменения тока стабилизации. [47]
![]() |
Зависимость ТКН кремниевого стабилитрона от напряжения стабилизации при 300 К. [48] |
Так как реальная ВАХ в области пробоя имеет некоторый наклон, то напряжение стабилизации зависит от тока стабилизации / ст. Максимальный ток стабилизации / стта ограничен допустимой мощностью рассеяния Ртах и возможностью пере - - 0 05 хода электрического пробоя в тепловой, который является необратимым. Минимальный ток стабилизации / ст, - соответствует началу устойчивого электрического пробоя. [49]
![]() |
Схемы применения полупроводниковых диодов. [50] |
Параметры некоторых стабилитронов приведены в табл. 2.13, где Ucr - напряжение стабилизации, / ст - ток стабилизации: значение постоянного тока, протекающего через стабилитрон в режиме стабилизации, Яст МАКС - максимально допустимая мощность стабилизации. [51]
И / ст. мин берут из табл. 12 - 46; чтобы получить Гд в омах, токи стабилизации следует выразить в амперах. [52]
![]() |
Схемы применения полупроводниковых диодов. [53] |
Параметры некоторых стабилитронов приведены в табл. 2.13, где УСТ - напряжение стабилизации, / ст - ток стабилизации: значение постоянного тока, протекающего через стабилитрон в режиме стабилизации, ЯМАКС - максимально допустимая рассеиваемая мощность стабилитрона. [54]
Токи, соответствующие ВАХ тлеющего разряда, максимальный / ст. макс и минимальный / ст. мин называют токами стабилизации. [55]
Величина стабилизируемого напряжения зависит от технологии обработки кремния и его удельного сопротивления ( см. § 2.4), величина тока стабилизации - от геометрических размеров перехода и условий его охлаждения. [56]
Стабилитрон характеризуется напряжением стабилизации t / CT, лежащим между минимальной / стт п и максимальной / сттах силой тока стабилизации. Напряжение Un для различных стабилитронов колеблется от 1 до 300 В, а сила токов / сттах и / crmjn - от нескольких миллиампер до нескольких ампер. Изменение силы тока / CTmin до / сттах может составлять от нескольких миллиампер до нескольких сотен миллиампер. [57]
![]() |
Вольт-амперные характеристики параллельных цепей, образованных позистором и линейным резистором. [58] |
Используя позисторы и линейные резисторы с различными номинальными сопротивлениями, а также применяя позисторы разных типов, можно изменять величину тока стабилизации, величину рабочего напряжения и интервал рабочих напряжений, в котором схема обладает стабилизирующими свойствами. [59]
В отечественной литературе и за рубежом приняты различные обозначения стабилитронов на принципиальных электрических схемах, что показано на рис. 23.1. На рисунке обозначены напряжение и ток стабилизации. ДТ) отрицательный, то параметры стабилитрона, работающего на участке пробоя, зависят от заданных требований, технологии изготовления и конструкции прибора. [60]