Ток - утечка - затвор
Cтраница 2
Подобная схема компенсации позволяет до известной степени компенсировать и температурный дрейф, вызванный зависимостью тока утечки затвора от температуры, так как зависимость обратного тока от температуры для ряда кремниевых диодов аналогична дрейфу тока утечки затвора. [16]
 |
Условное графическое обозначение операционных усилителей КР140УД8, КРНОУД18. [17] |
Пара согласованных по параметрам полевых транзисторов часто используется для уменьшения входных токов ОУ до уровня токов утечки затворов. Этот биполярно-полевой ОУ построен по двух-каскадной схеме. [18]
При выборе лаков или компаундов для заливки плат с МДП полевыми транзисторами необходимо учитывать влияние этих материалов на ток утечки затвора транзистора. [19]
Основными параметрами ПТ, приводимыми в справочных данных, являются: крутизна, внутреннее сопротивление, коэффициент усиления; ток утечки затвора, междуэлектродные емкости. [20]
Кроме того, имеется составляющая шума в стоке, связанная с утечкой переходов в ПТ, которая сильно скоррелирована с шумом тока утечки затвора. Однако при комнатных температурах в современных приборах эта первая составляющая шума является незначительной, в то время как при высоких температурах она становится весьма существенной и может определить верхний предел температур, при котором ПТ ведет себя как малошумящий прибор. Он включил в свое рассмотрение и МОП ПТ, хотя данное явление для таких приборов выражено намного менее ярко, чем для ПТ с р-д-переходом. [21]
Надо иметь в виду, что включение ИОУ по схемам на рис. 5.14 не приводит к уменьшению входного тока смещения, определяемого средним значением тока базы или тока утечки затвора транзисторов. Изменяется только входное сопротивление усилителя по переменному току. [23]
ХОДНОЙ С22и емкостей, как при определении емкостей переходов, пользуются методом емкостно-омического делителя; модуль полной проводимости прямой передачи тока / У21И / измеряется аналогично 1 2 э /, ток утечки затвора / 3 ут и начальный ток стока / с нач измеряются так же, как и обратные токи биполярного транзистора. [24]
Подобная схема компенсации позволяет до известной степени компенсировать и температурный дрейф, вызванный зависимостью тока утечки затвора от температуры, так как зависимость обратного тока от температуры для ряда кремниевых диодов аналогична дрейфу тока утечки затвора. [25]
Из-пользуется полевой транзистор с / г-я-переходом и я-каналом 2N3819 [50], максимальным током нагрузки ( ток насыщения) / с макс 10 мА при напряжении Узи 0, напряжением отсечки Uo - 4 В, током утечки затвора / 3 - 2 нА при температуре 625 С и / зуТ - - 2 мкА при температуре 6 100 С. [26]
 |
Устройство униполярного транзистора с изолированным затвором ( а и с управляющим. [27] |
Электроды стока и истока располагаются по обе стороны затвора и имеют контакт с полупроводниковым каналом. Ток утечки затвора пренебрежимо мал даже при повышенных температурах. Полупроводниковый канал может быть обеднен носителями зарядов или обогащен ими. При обеденном канале электрическое поле затвора повышает его проводимость, поэтому канал называется индуцированным. Если канал обогащен носителями зарядов, то он называется встроенным. Электрическое поле затвора в этом случае приводит к обеднению канала носителями зарядов. [28]
 |
Утечка затвора ПТ с / - - переходом быстро растет с ростом напряжения сток затвор и пропорциональна гоку стока. [29] |
Ток утечки затвора остается близким к Iiyj до тех пор, пока мы не достигнем критического напряжения сток-затвор, при котором кривая круто взмывает вверх. Этот дополнительный ток ударной ионизации пропорционален току стока и он растет экспоненциально с ростом напряжения и температуры. Появление этого тока наблюдается при напряжении сток-затвор, составляющем приблизительно 25 % от [ / Змакс, и он может добавлять в ток затвора микроампер и более. Очевидно, что вы-сокоомный буфер с микроамперным входным током лишен смысла. [30]
Страницы: 1 2 3 4