Ток - утечка - затвор
Cтраница 3
В отличие от транзистора с р-п переходом МДП-транзистор, имея изолированный диэлектриком затвор, сохраняет высокое входное сопротивление, независимо от величины и полярности напряжения на затворе. Ток утечки затвора пренебрежимо мал даже при повышенных температурах, что позволяет использовать высокоомные сопротивления в цепи затвора. [31]
 |
Зависимость входного тока шума от тока утечки затвора для ПТ с /. - / 7-переходом. ( National Semiconductor Corp.. [32] |
Кроме того, в некоторых ПТ присутствует компонента фликкер-шума. Шум тока растет с ростом температуры, как ток утечки затвора. [33]
Полевой транзистор с изолированным затвором - полевой транзистор, затвор которого электрически отделен от канала слоем диэлектрика. У полевых транзисторов с изолированным затвором для уменьшения тока утечки затвора / 3 между металлическими затворами и полупроводниковым каналом находится тонкий слой диэлектрика, обычно оксид кремния, а p - n - переход отсутствует. [34]
Поскольку крутизна растет вместе с током стока, для снижения шума напряжения имеет смысл, чтобы ПТ работали с большим током. Кроме того, имеется некоторый фликкер-шум, связанный с током утечки затвора. [35]
Эти токи обусловлены базовыми токами входных биполярных 1ранзисторов и токами утечки затворов для ОУ с полевыми транзисторами на входе. Входные токи, проходя через внутреннее сопротивление источника сигнала, создают падения напряжений, которые могут вызывать появление напряжения на выходе в отсутствие сигнала на входе. [36]
Эти токи обусловлены базовыми токами входных биполярных транзисторов и токами утечки затворов для ОУ с полевыми транзисторами на входе. Входные токи, проходя через внутреннее сопротивление источника сигнала, создают падения напряжений, которые могут вызывать появление напряжения на выходе в отсутствие сигнала на входе. [37]
Плоскостные полевые транзисторы Q3 и Q4 действуют как буферные каскады автоматического смещения для транзисторов Qi и Q2 соответственно. Если пренебречь током утечки затвора, то коэффициент усиления по току этих буферов равен единице, ибо ток истока и ток стока у полевого транзистора должны быть почти равны. В этом случае на переходе база - коллектор поддерживается почти постоянное напряжение. Большая часть любых колебаний входного напряжения приходится на полевые транзисторы. В результате величина коэффициента стабилизации улучшается на порядок. Как и в предыдущей схеме, одно из выходных напряжений не привязано к земле. [38]
Всегда желательно, чтобы эта цепочка была по возможности более высокоомной, однако предельная величина сопротивлений ограничивается, во-первых, токами утечки и, во-вторых, частотными свойствами схемы. Действительно, чтобы ток утечки затвора не создавал дополнительных потенциалов, необходимо, чтобы R3 с-з sS Яз. [39]
Этим транзисторам присущи тепловые шумы сопротивлений проводящих областей транзистора, в частности сопротивления Кк активного канала длиной L, сопротивления примыкающих участков немодулированного канала со стороны стока Кк. И, дробовые шумы тока утечки затвора с равномерным спектром в диапазоне рабочих частот, а также низкочастотные 1 / / - шумы, обусловленные шумами генерации и рекомбинации носителей на одиночных реком-бинационных центрах и поверхностными шумами. Тепловой шум канала проявляется через флуктуации количества носителей в нем, что порождает шум тока стока и шум затвора при наличии емкости затвор - канал. [40]
Изменение температуры оказывает влияние на ток утечки затвора, величину контактной разности потенциалов p - n - перехода между затвором и каналом и на изменение подвижности основных носителей заряда. [41]
 |
Дифференциальный усилитель на согласованных к ОУ для улучшения КОСС. [42] |
Полное входное сопротивление буферного каскада на ПТ с р - - переходом - усилителя или повторителя - на низких частотах ограничено утечкой затвора. В паспорте ПТ обычно указывается напряжение пробоя i / змакс. При меньших напряжениях затвор - канал ток утечки затвора, опять-таки при соединенных накоротко истоке и стоке, значительно меньше, и этот ток быстро падает до пикоамперного диапазона, когда напряжение затвор - сток существенно меньше напряжения пробоя. [43]
Второй важный источник шума в ПТ заключается в генерации носителей через центры, локализованные в области пространственного заряда переходов канал - затвор. Обычно при работе ПТ в нормальных условиях эти переходы находятся при обратном смещении, и ХШР-центр в обедненной области генерирует поочередно дырку и электрон, которые сразу же удаляются из этой области сильным электрическим полем. В кремниевых ПТ при комнатной температуре эти генерируемые носители составляют основную часть тока утечки затвора. Поэтому в токе затвора имеется составляющая дробового шума, которая на низких частотах доминирует по сравнению с тепловой составляющей шума. [44]
Ток утечки имеет приближенно экспоненциальную зависимость от температуры и при высокой температуре и значительном сопротивлении резистора. В связи с этим влияние температуры на режим работы, проявляющееся через изменение тока утечки затвора, у этих транзисторов отсутствует. [45]
Страницы: 1 2 3 4