Ток - утечка - конденсатор
Cтраница 1
Ток утечки конденсаторов зависит от типа конденсатора и составляет несколько микроампер у электролитических конденсаторов и десятки наноампер у металлобумажных; он еще меньше у керамических конденсаторов. Поэтому обычно электролитические конденсаторы в интеграторах не применяются. [1]
Ток утечки конденсаторов в миллиамперах не превышает значения, определяемого формулой / КС ( У-Ю-3 т, где С - номинальная емкость в микрофарадах, U - рабочее напряжение в вольтах. У конденсаторов КЭ и ЭГЦ коэффициент т равен 0 2 для емкостей до 5 мкф; 0 1 для емкостей от 8 до 50 мкф и нулю для емкостей больших 50 мкф. Коэффициент / С равен 0 1 при температуре 20 С и 0 3 при температуре 60 С. Коэффициент К равен 0 2 при температуре 20 С и 0 5 при температуре 60 С. [2]
 |
Электролитический тан-таловый конденсатор с объемно-пористы. м анодом. [3] |
Ток утечки конденсаторов ЭТО на номинальные рабочие напряжения 4 - 15 в при 20 С 0 1 - 2 мка, а на большие рабочие напряжения не превышает 3 мка. [4]
Как различаются токи утечки конденсаторов и период регенерации для элементов памяти на рис. 9.9 и 9.10 при одной и той же емкости запоминающих конденсаторов. [5]
С-связи вследствие тока утечки конденсатора связи на вход второго каскада попадает постоянная составляющая напряжения, величина которой пропорциональна току утечки. [6]
 |
Схема генератора, стабилизированного кварцем.| Схема генератора с избирательной ЯС-цепью. [7] |
При этом увеличиваются токи утечки конденсатора и активное сопротивление обмоток дросселя, добротность контура снижается. [8]
При этом увеличиваются токи утечки конденсатора и активные сопротивления обмоток, что снижает добротность контура. [9]
Сопротивление изоляции и ток утечки конденсаторов одного типа и одинакового номинала могут отличаться от указанных в ГОСТ в сторону увеличения на один-два порядка. Это надо учитывать при последовательном соединении нескольких конденсаторов, если прикладываемое к ним напряжение превышает номинальное напряжение каждого из них. Дело в том, что прикладываемое напряжение распределяется между последовательно соединенными конденсаторами пропорционально сопротивлению изоляции каждого из них. Поэтому на конденсаторе, имеющем наиболее высокое сопротивление изоляции, может появиться напряжение, превышающее его номинальное, и он будет пробит, что приведет, в свою очередь, к пробою и остальных конденсаторов. [10]
Как известно, ток утечки конденсаторов типа ЭФ при длительном их хранении сильно возрастает. Использование для этой цели гальванических батарей крайне нецелесообразно, тел более что восстановление свойств конденсатора при питании от выпрямителя происходит быстрее, особенно при периодическом заряде и разряде. [11]
Сопротивление изоляции характеризует величину тока утечки конденсатора при заданной величине подводимого напряжения. Сопротивление изоляции выражается в мегомах пли в Мом: мкф. [12]
Измерение сопротивления изоляции дросселя и тока утечки конденсатора фильтра лроводится в лабораторных условиях персоналом службы главного энергетика. [13]
Ори использовании конденсаторов типа МПГТ и ПГСМ составляющей тока утечки конденсатора можно пренебречь, поскольку величина саморазряда таких емкостей не превышает 2 за сутки. Специально разработанный для запоминающего устройства усилитель имеет коэффициент передачи около 0 99 и входной ток порядка IO-IIa. Уменьшение входного тока обеспечивается снижением анодного тока и напряжения накала входной лампы, что возможно благодаря сочетанию в усилителе лампы и трехкаскадного полупроводникового усилителя тока. Применение полупроводников обеспечивает достаточно продолжительный срок службы устройства и позволяет согласовать его с низкоомной ( до 10 ом) нагрузкой. Использование согласующего усилителя, включенного по потенциометрической схеме позволяет производить операцию интегрирования с длительным запоминанием результата, что затруднено при использовании обычных GST3T в интегрирующем режиме из-за дрейфа нуля усилителя и большего, чем в разработанном усилителе, входного тока. [14]
 |
Схема включения запоминающего устройства в режим интегрирования. [15] |
Страницы: 1 2 3 4