Ток - утечка - конденсатор
Cтраница 4
На этой схеме параллельно включены идеальный конденсатор ( который накапливает заряды на обкладках) и активное-сопротивление Rv, no которому протекает ток утечки конденсатора вследствие несовершенства диэлектрических свойств среды, разделяющей его-пластины. [46]
Присутствие этих примесей в металле анода может оказывать вредное влияние на электрические характеристики конденсаторов. Примеси металлов, не образующих на своей поверхности при анодном окислении диэлектрических слоев, создают в оксидном слое на тантале проводящие включения, увеличивающие ток утечки конденсатора. [47]
Из числа неметаллических примесей наиболее сильное влияние на ток утечки оказывает углерод. При содержании углерода в 15 - 25 частей на миллион ток утечки при 25 С равен 25 - 35 мка / г, при содержании углерода 200 частей на миллион ток утечки может достигать 2000 мка / г. Кислород в меньшей степени влияет на электрические характеристики конденсаторов, однако, если его содержание в аноде превосходит 2000 частей на миллион, то ток утечки конденсатора резко возрастает, а срок службы сокращается. Избыток кислорода приводит также к хрупкости танталовых анодов. [48]
 |
Схема однокаскадного амплитудного детектора. [49] |
Погрешность амплитудного детектора характеризуют изменением напряжения на запоминающем кон - денсаторе С3 в режиме хранения и ошибкой выборки. Напряжение на С3 изменяется в режиме хранения из-за протекания входных токов ОУ и токов утечки диодов, полевого транзистора в цепи Сброс и самого запоминающего конденсатора. Токи утечки конденсатора минимальны при использовании тефлоновых и полистироль-ных конденсаторов. [50]
 |
Контакт металла ( М с полупроводником. [51] |
Рассмотренное движение основных носителей в противоположные стороны продолжается лишь малый промежуток времени. Такой кратковременный ток подобен зарядному току конденсатора. Но ток утечки конденсаторов в соответствии с законом Ома пропорционален приложенному напряжению, а обратный ток п - р-перехода сравнительно мало зависит от напряжения. [52]
Реальный р-я-переход при обратном напряжении напоминает конденсатор с плохим диэлектриком, в котором имеется ток утечки. При заряде такого конденсатора в течение короткого промежутка времени проходит ток значительной величины, а затем будет существовать лишь небольшой ток утечки. Но ток утечки конденсатора пропорционален приложенному напряжению, а обратный ток р-п-перехода не так сильно зависит от напряжения. [53]
Реальный р-п переход при обратном напряжении в некоторой степени напоминает конденсатор с плохим диэлектриком, в котором имеется ток утечки. При заряде такого конденсатора сначала в течение короткого промежутка времени проходит зарядный ток значительной величины, а затем будет существовать лишь небольшой ток утечки. Однако в отличие от тока утечки конденсатора, который пропорционален приложенному напряжению, обратный ток р-п перехода сравнительно мало зависит от напряжения. Следует отметить, что р-п переход обладает емкостью и при прямом напряжении, но в этом случае она шунтируется малым сопротивлением перехода. [54]
Большую опасность представляют кажущиеся простейшими и поэтому не анализируемые всесторонне схемные решения. Например, при необходимости реализовать большую постоянную време-мени схема с использованием высокоомной цепи заряда и разряда конденсатора, казалось бы, позволяет обойтись конденсатором небольшой емкости. При этом часто упускается из виду, что при работе в высокоомных цепях возрастает ток утечки конденсаторов. [55]
 |
Теплопроводность синтетического сапфира до и после у-облучения ( добавочное облучение не вызывает дальнейшего уменьшения теплопроводности. [56] |
Было отмечено быстрое снижение электрического сопротивления с насыщением на уровне, достаточно высоком, чтобы использовать А1203 в качестве изолятора для термопар. Монк [153] облучал конденсатор из - А1203 при 400 С и измерял сопротивление и емкость во время облучения. Произведение этих величин ( RC) является характеристикой качества конденсатора и пропорционально диэлектрической постоянной и удельному объемному сопротивлению. Было найдено, что ток утечки конденсатора увеличивается с увеличением уровня мощности реактора, достигая насыщения при определенном значении мощности. [57]
Изучалось также влияние лазерного зонда на МОП-конденсаторы над р - и п-областями с толщинами окислов 1300 и 1700 А. Вследствие того что SiO2 не поглощает излучения Я, 0 63 мкм, влияние зонда на конденсаторы незначительно. В этом случае имеет место изменение тока утечки конденсатора с поврежденным слоем окисла над n - областью от напряжения, приложенного к металлической обкладке. Таким образом, воздействие лазерного зонда оказывает влияние только на поврежденные МОП-конденсаторы, что может быть использовано для контроля ИС. [58]
Этот ток вызывает появление на конденсаторе противо - ЭДС, направленную навстречу источнику напряжения. В полностью заряженном конденсаторе противо - ЭДС равна напряжению входного источника, а ток заряда равен нулю, при этом напряженность поля в диэлектрике и накопленная энергия максимальны. Длительность этого промежутка времени зависит от значения тока утечки конденсатора. Поскольку заряженный конденсатор обладает определенным запасом энергии, он может действовать как источник напряжения. [59]
Страницы: 1 2 3 4