Ток - фотодиод
Cтраница 1
Ток фотодиода УД1 ( см. рис. 2) при неизменном световом потоке осветителя Е1 в интервале длин волн от 315 до 990 нм изменяется примерно на три порядка, значительно уменьшаясь в области ультрафиолета. Общая максимальная чувствительность УПТ определяется минимальным измеряемым током фотодиода на длине волны 315 нм. [1]
 |
Функциональная схема ческого дальномера с ОКГ. [2] |
Ток фотодиода после усиления поступает иа стробирующее устройство 2, включающее счетчик импульсов. [3]
Ток фотодиода оказывается током базы биполярного транзистора и создает в цепи коллектора этого транзистора усиленный в ( J раз ток. [5]
Изменение тока фотодиода вследствие изменения его освещенности и является мерой измеряемого перемещения. [6]
Питание ламп напряжением меньше указанного приводит к резкому уменьшению тока фотодиода и отказу системы зажигания. [7]
Следует лишь учитывать, что выходные токи фототранзисторов в десятки раз превышают токи фотодиодов при одинаковых условиях облучения. Эффективно применение дифференциального усилителя, в одно из плеч которого включается фототранзистор, или каскодного усилителя с двумя фототранзисторами, световой поток одного из которых растет, а другого - уменьшается. Хороню сочетаются фототранзисторы с полевыми транзисторами. Входное сопротивление транзисторных каскадов, управляемых по затвору, очень велико. Такие каскады не потребляют фототока, а реагируют на изменение разности потенциалов на фотоприемнике. Существенное увеличение скорости переходного процесса, сопровождающего переключение фототранзистора, обеспечивается в схемах с положительными обратными связями. Например, переключатель на рис. 5 - 17, а фиксируется в одном из двух состояний устойчивого равновесия. Пели излучатель не возбужден, то фототранзистор оптрона и выходной транзистор закрыты. В другом устойчивом состоянии и освещенный фототранзистор и выходной транзистор насыщены. [8]
 |
Устройство ( а и условное графическое обозначение ( б германиевого фотодиода.| Вольтамперные харак. теристики германиевого фотодиода. [9] |
Под действием поля р-н-перехода электроны и дырки движутся через переход в противоположных направлениях и увеличивают ток фотодиода. [10]
Из формулы (4.13) видно, что фототок фототранзистора усиливается в Л21Э раз по сравнению с током фотодиода. [11]
Основные характеристики фотодиодов оцениваются по воздействию светового или лучистого потоков, а в качестве реакции рассматривают ток фотодиода. [12]
Основные характеристики фотодиодов оцениваются по воздействию светового потока или потока излучения, а в качестве реакции рассматривают ток фотодиода. [14]
Уровень светового сигнала Ф должен быть достаточен для того, чтобы при температуре Т0 сумма фотоэлектронного и темнового токов фотодиода, имеющего минимальную чувствительность, допустимую для данного типа, превышала величину максимально возможного тока через нагрузку / Он. [15]
Страницы: 1 2 3 4