Ток - фотодиод - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 2
Извините, что я говорю, когда вы перебиваете. Законы Мерфи (еще...)

Ток - фотодиод

Cтраница 2


16 Фотоэлектронное [ IMAGE ] Бесконтактное фотоэлектрон. [16]

В исходном состоянии, например при Ф 0, ток, протекающий через фотодиод, не превышает значения тем-нового тока фотодиода.  [17]

При повышении температуры изменяются физические константы материала базы, а также резко возрастают токи насыщения переходов Is ( темповой ток фотодиода), / эо и / ко, что приводит к изменению режима по постоянному току особенно у фототранзистора, включенного по схеме с разомкнутой базой. Так, темновой ток фотодиода возрастает с 5 - 10 мка при 20 С до 100 - 150 мка при 70 С, а темновой ток фототранзисторов с 50 - 100 мка при 20 С до 1 000 - 1 700 мка при 70 С.  [18]

19 Устройство фототранзистора ( а, схема включения ( б и вольтамперные характеристики ( в. [19]

Схематическое устройство фототранзистора, схема включения и его вольтамперные характеристики вместе с нагрузочной линией представлены на рис. 12.10. Темновой ток фототранзистора значительно выше темного тока фотодиода. Он составляет несколько сотен микроампер. Объясняется это тем, что внешнее напряжение, подводимое к транзистору, частично оказывается приложенным к эмиттерному переходу, открывая его. По-существу, темновой ток фототранзистора представляет собой ток 1КЭО обычного транзистора.  [20]

Электрическое взаимовлияние в значительной степени зависит от емкостной или индуктивной связи между сравнительно большим управляющим током привода и гораздо меньшим ( 106 раз) током фотодиода. Хотя электрическая связь также может измениться при масштабировании, тем не менее примем, что она постоянна, поскольку определяющий вклад в электрическую связь вносят такие факторы, как соединительные провода и электронные цепи, которые масштабированию не подлежат.  [21]

Для повышения быстродействия можно добавить резистор с базы на эмиттер; однако это дает пороговый эффект, поскольку фототранзистор не переходит в состояние проводимости до тех пор, пока ток фотодиода не достигнет величины, достаточной для получения напряжения ивэ на внешнем базовом резисторе, В цифровых схемах порог может оказаться полезным, но в аналоговых приводит к нежелательной нелинейности.  [22]

23 Схемное обозначение фототранзистора.| Схема замещения составного фототранзистора.| Простейшие фотодатчики.| Схема замещения фототранзистора. [23]

Принцип действия фототранзистора хорошо виден из схемы его замещения. Ток фотодиода является базовым током транзистора, который управляет его коллекторным током. Решение же вопроса о том, нужно подключить к схеме вывод базы фототранзистора или оставить его неподключенным, зависит от выбранной схемы измерения. Фототранзисторы, у которых базовый электрод вообще не выведен, иногда называют двойным фотодиодом.  [24]

25 Схемы включения фототранзистора. [25]

Биполярный фототранзистор подобен обычному биполярному транзистору ( см. § 13), между выводами коллектора и базы которого включен фотодиод. Таким образом, ток фотодиода оказывается током базы фототранзистора и создает усиленный в п раз ток р цепи коллектора. Если на фототранзистор подается только электрический сигнал, его параметры почти не отличаются от параметров обычного транзистора.  [26]

27 Внутренний фотоэффект в р-п переходе. [27]

Качество фотодиода определяется прежде всего эффективностью управления фототоком с помощью излучения. Именно оптическое управление током фотодиода определяет особенности его режимов работы. Сравним с этих позиций принцип действия обычного ( выпрямительного) диода и фотодиода.  [28]

29 Схема включения фотодиода.| Характеристики фотодиода. [29]

При полном затемнении ( Ф 0) через фотодиод протекает темновой ток, который равен сумме тока утечки и обратного тока насыщения р - - перехода. С ростом светового потока ток фотодиода увеличивается. В рабочей области вольт-амперных характеристик ток фотодиода практически полностью не зависит от приложенного-напряжения, что является характерной особенностью рабочей области вольт-амперных характеристик. Такой режим наступает при обратных напряжениях на диоде порядка 1 В.  [30]



Страницы:      1    2    3    4