Ток - генерация
Cтраница 2
Значит, с повышением температуры относительная роль тока генерации уменьшается. [17]
Значит, с повышением температуры относительная рель тока генерации уменьшается. [18]
Значит, с повышением температуры относительная роль тока генерации уменьшается. [20]
На основании физики процессов образования тока насыщения и тока генерации можно по аналогии с предыдущим выражением записать соотношение, показывающее, чему пропорционален ток генерации. [21]
 |
Генерация ( а и рекомбинация ( б носи клен в.| Вольт-амперные характеристики диода без учета генерации и рекомбинации носителей заряда в р-я-переходе ( / исучетом этих процессов ( 2. [22] |
Исходя из физики процессов образования тока насыщения и тока генерации можно по аналогии с предыдущим выражением записать соотношение, показывающее, чему пропорционален ток генерации. [23]
Так, в кремниевых диодах обратный ток определяется током генерации, а в германиевых диодах - током насыщения. [24]
Ток / обр кремниевого диода определяется в основном током генерации носителей в переходе и током утечки, удваивается при увеличении температуры на 8 - 12 С ( см. § 2.5), а / обр германиевого диода - тепловым током / о ( см. § 2.4), который удваивается при изменении температуры на 8 - 10 С. Различия в природе обратного тока приводят к тому, что наклон обратной ветви ВАХ германиевого диода более слабый, чем кремниевого. Значительное увеличение тока утечки с ростом температуры в кремниевом диоде приводит к различию обратных токов германиевых и кремниевых диодов при одинаковых параметрах структуры переходов всего лишь на 1 5 - 2 порядка, в то время как токи / о, обусловленные разной шириной запрещенной зоны германия и кремния, должны были бы отличаться на 6 порядков. [25]
Для нахождения условия обеспечения 100 % - ной эффективности тока генерации промежуточного реагента изучают кривые зависимости i f ( E) электрода в соответствующих условиях. Однако следует учесть, что не все условия электролиза, обеспечивающие 100 % - ный выход по току, оптимальны для кулонометрического титрования, так как они могут оказаться непригодными для протекания химической реакции в растворе и для того или иного метода индикации конечной точки. Следовательно, необходимо обеспечить правильное сочетание условий проведения кулонометрического титрования. [26]
Реальный обратный ток диода намного превосходит / 0 из-за наличия тока генерации / с. Процессы генерации и рекомбинации носителей происходят в полупроводниках непрерывно под действием температуры. При отсутствии электрического поля эти процессы находятся в динамическом равновесии и направленного потока носителей нет. Область обратного смещенного о - - перехода обедняется носителями заряда, и в ней процесс рекомбинации замедляется. Из-за этого генерация носителей заряда не уравновешивается и возникают избыточные носители, уносимые электрическим полем в нейтральные слои: электроны в - слой, а дырки в р слой. Указанные потоки электронов и дырок образуют ток термогенерации. [27]
При работе МОП-транзистора на микротоках существенное влияние на величину гс может оказывать ток генерации носителей в р - - переходе сток - подложка / ген ввиду того, что возрастает объем обедненного слоя, в котором происходит генерация. [28]
Природа фонового электролита также влияет на степень окисления иона металла и эффективность тока генерации. Введение в раствор соединений, образующих устойчивые комплексы с Cu ( II) или Cu ( I), по-разному влияет на анодное поведение медного электрода. [29]
 |
Зависимости коэффициента усиления по току ( 3f от коллекторного тока ( / с для биполярного транзистора NEC, 2SC 960. Fce 5 В. [30] |
Страницы: 1 2 3 4